晶閘管模塊電流規(guī)格的選取

1、根據(jù)負(fù)載性質(zhì)及負(fù)載額定電流進(jìn)行選取

（1）電阻負(fù)載的較大電流應(yīng)是負(fù)載額定電流的2倍。

（2）感性負(fù)載的較大電流應(yīng)為額定負(fù)載電流的3倍。

（3）負(fù)載電流變化較大時(shí)，電流倍數(shù)適當(dāng)增大。

（4）在運(yùn)行過程中，負(fù)載的實(shí)際工作電流不應(yīng)超過模塊的較大電流。

2、散熱器風(fēng)機(jī)的選用

模塊正常工作時(shí)必須配備散熱器和風(fēng)機(jī)，推薦采用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī)。如果用戶是自己提供的，則使用以下原則來選擇：

（1）模塊正常工作時(shí)，必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃；

（2）當(dāng)模塊負(fù)載較輕時(shí)，可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻；

（3） 有水冷條件的，應(yīng)優(yōu)先水冷散熱 。

3、使用要求

（1）工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃；

（2）模塊周圍需要干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。

（3）模塊電極上的銅線嚴(yán)禁不用端子直接壓接，以免接觸不良引起附加發(fā)熱。

（4）應(yīng)經(jīng)常測(cè)量固體繼電器導(dǎo)熱襯底側(cè)或固態(tài)繼電器附近散熱器的表面溫度，測(cè)點(diǎn)溫度應(yīng)小于80℃。 “質(zhì)量優(yōu)先，用戶至上，以質(zhì)量求發(fā)展，與用戶共創(chuàng)雙贏”是正高電氣新的經(jīng)營觀。電磁吸盤穩(wěn)流模塊哪家好

    所述第三螺栓和第三螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。此外，所述晶閘管單元中，所述壓塊7上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。相類似地，所述第二晶閘管單元中，所述第二壓塊12上還設(shè)置有絕緣套管。其中，所述絕緣套管與對(duì)應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。為了實(shí)現(xiàn)門極銅排的安裝，所述外殼1上還設(shè)置有門極銅排安裝座。綜上所述，本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制，有效保證了電力系統(tǒng)的正常運(yùn)行。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)，而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此，無論從哪一點(diǎn)來看，均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。此外，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本說明書按照實(shí)施方式加以描述，但并非每個(gè)實(shí)施方式*包含一個(gè)**的技術(shù)方案。電磁吸盤穩(wěn)流模塊哪家好公司生產(chǎn)工藝得到了長足的發(fā)展，優(yōu)良的品質(zhì)使我們的產(chǎn)品****各地。

    晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門極觸發(fā)電壓VG、門極觸發(fā)電流IG、門極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門極(G)開路的條件下，在其陽極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時(shí)，允許加在A、K(或T1、T2)極間比較大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，晶閘管正常工作時(shí)A、K(或T1、T2)極間所允許通過電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下，晶閘管陽極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門極G斷路時(shí)，允許加在A、K極間的比較大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。

    額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值，考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降，因此，額定電壓的取值應(yīng)適當(dāng)提高。目前通常采用30[%]的余量計(jì)算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量：三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護(hù)晶閘管在電流通過時(shí)，會(huì)產(chǎn)生一定的壓降，而壓降的存在則會(huì)產(chǎn)生一定的功耗，電流越大則功耗越大，產(chǎn)生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉，會(huì)造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時(shí)，一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞，是影響模塊能否安全工作的重要因素。良好的散熱條件不但能夠保證模塊可靠工作、防止模塊過熱燒毀，而且能夠提高模塊的電流輸出能力。建議用戶在使用大電流規(guī)格模塊的時(shí)候盡量選擇帶過熱保護(hù)作用的模塊。當(dāng)然，即便模塊帶過熱保護(hù)作用，而散熱器和風(fēng)機(jī)也是不可缺少的。在使用中，當(dāng)散熱條件不符合規(guī)定要求時(shí)，如室溫超過40℃、強(qiáng)迫風(fēng)冷的出口風(fēng)速不足6m/s等，則模塊的額定電流應(yīng)立即降低使用，否則模塊會(huì)由于芯片結(jié)溫超過允許值而損壞。譬如。正高電氣公司自成立以來，一直專注于對(duì)產(chǎn)品的精耕細(xì)作。

    在快速無功補(bǔ)償和諧波濾波裝置中，要用晶閘管投切電容器TSC，。執(zhí)行元件晶閘管根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的不同，有餅式的、模塊的和雙向可控硅的不同結(jié)構(gòu)型式。針對(duì)不同的主回路和不同的晶閘管型式，觸發(fā)電路也不同。TSC要求在晶閘管電壓過零點(diǎn)觸發(fā)，確定晶閘管電壓過零點(diǎn)的方法有兩種，一種是從電網(wǎng)電壓取得同步信號(hào)，另一種是從晶閘管的陽極和陰極取得過零信號(hào)。晶閘管投切電容器的原理晶閘管投切電容器組的關(guān)鍵技術(shù)是必須做到投切時(shí)無電流沖擊。晶閘管投切電容器組的原理如圖1所示。圖1晶閘管投切電容器組的原理可控硅晶閘管模塊產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)1.電壓過零觸發(fā)，電流過零斷開，無沖擊電流；2.光電隔離，抗干擾能力強(qiáng)，響應(yīng)時(shí)間＜15ms；3.德國經(jīng)典觸發(fā)及保護(hù)電路，全正弦波切換，運(yùn)行安全無諧波；4.特有**散熱片，無軸流風(fēng)機(jī)，主動(dòng)散熱，運(yùn)行無噪聲，組件免維護(hù)，使用壽命長；5.內(nèi)置過溫（85℃）保護(hù)；6.三色LED信號(hào)燈分別顯示開關(guān)通電狀態(tài)、運(yùn)行狀態(tài)、故障狀態(tài)；7.兼容性強(qiáng)，可與全球各種規(guī)格無功補(bǔ)償控制器配套；8.導(dǎo)通壓降低，開關(guān)損耗小，降低用戶能耗。正高電氣經(jīng)營理念：前列的設(shè)備、前列的產(chǎn)品、前列的服務(wù)。濟(jì)南單相整流調(diào)壓模塊

正高電氣從國內(nèi)外引進(jìn)了一大批先進(jìn)的設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了工程設(shè)備的現(xiàn)代化。電磁吸盤穩(wěn)流模塊哪家好

    VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對(duì)器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對(duì)器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模塊屬于溫度敏感性器件，使用時(shí)必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來回滾動(dòng)涂抹）導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱硅脂剛好能夠覆蓋整個(gè)底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊，檢查模塊底板整個(gè)區(qū)域是否完全沾潤。l手冊(cè)中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強(qiáng)通風(fēng)冷(風(fēng)速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負(fù)載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負(fù)載)額定電流就會(huì)下降。l散熱器與模塊接觸面應(yīng)平整，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導(dǎo)，電極與銅排連接時(shí)。電磁吸盤穩(wěn)流模塊哪家好

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