磁存儲(chǔ)原理基于磁性材料的磁學(xué)特性。磁性材料具有自發(fā)磁化和磁疇結(jié)構(gòu)，在沒有外部磁場(chǎng)作用時(shí)，磁疇的磁化方向是隨機(jī)的。當(dāng)施加外部磁場(chǎng)時(shí)，磁疇的磁化...
薄膜高Q值電容在精密儀器中有著重要的應(yīng)用價(jià)值。精密儀器對(duì)電容的性能要求極高，需要電容具有高精度、高穩(wěn)定性和低損耗等特點(diǎn)。薄膜高Q值電容采用薄...
TO封裝硅電容具有獨(dú)特的特點(diǎn)和卓著的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。TO封裝是一種常見的電子元件封裝形式，TO封裝硅電容采用這種封裝方式，具有良好的密封性和穩(wěn)定性...
物理噪聲源芯片種類豐富多樣，除了上述的連續(xù)型、離散型、自發(fā)輻射和相位漲落量子物理噪聲源芯片外，還有基于熱噪聲、散粒噪聲等其他物理機(jī)制的芯片。...
蘇州凌存科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱凌存科技）成立于2021年12月，坐落于美麗的陽澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術(shù)開發(fā)不同品類產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司，并在該領(lǐng)域處于先進(jìn)的地位。凌存科技取得技術(shù)原始、核心專利授權(quán)20項(xiàng)，涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術(shù)。此外，公司已申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利15項(xiàng)。目前，凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)的流片，性能指標(biāo)處于先進(jìn)地位。 公司擁有一支國(guó)際化團(tuán)隊(duì)，成員來自中國(guó)大陸，美國(guó)，中國(guó)臺(tái)灣，日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國(guó)突破“卡脖子”技術(shù)，旨在開發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲(chǔ)芯片---電壓控制磁存儲(chǔ)器(MeRAM)芯片，磁性真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片。
