刻蝕較簡單較常用分類主要是：干法刻蝕和濕法刻蝕。顯而易見，它們的區別就在于濕法使用溶劑或溶液來進行刻蝕。濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著普遍應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕。優點是選擇性好、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低。干法刻蝕種類比較多，包括光揮發、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。按照被刻蝕的材料類型來劃分，干法刻蝕主要分成三種：金屬刻蝕、介質刻蝕和硅刻蝕。干法刻蝕優點是：易實現自動化。河南反應性離子刻蝕

刻蝕技術，是在半導體工藝，按照掩模圖形或設計要求對半導體襯底表面或表面覆蓋薄膜進行選擇性腐蝕或剝離的技術。刻蝕技術不僅是半導體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應用于薄膜電路、印刷電路和其他微細圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。普通的刻蝕過程大致如下：先在表面涂敷一層光致抗蝕劑，然后透過掩模對抗蝕劑層進行選擇性曝光，由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同，經過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形，以此為掩模就可對襯底表面進行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質或金屬層，則選擇腐蝕以后，圖形就轉移到介質或金屬層上。深圳寶安反應性離子刻蝕干刻蝕是一類較新型，但迅速為半導體工業所采用的技術，GaN材料刻蝕工藝。

    溫度越高刻蝕效率越高，但是溫度過高工藝方面波動較大，只要通過設備自帶溫控器和點檢確認。刻蝕流片的速度與刻蝕速率密切相關噴淋流量的大小決定了基板表面藥液置換速度的快慢，流量控制可保證基板表面藥液濃度均勻。過刻量即測蝕量，適當增加測試量可有效控制刻蝕中的點狀不良作業數量管控：每天對生產數量及時記錄，達到規定作業片數及時更換。作業時間管控：由于藥液的揮發，所以如果在規定更換時間未達到相應的生產片數藥液也需更換。首片和抽檢管控：作業時需先進行首片確認，且在作業過程中每批次進行抽檢（時間間隔約25min）。1、大面積刻蝕不干凈：刻蝕液濃度下降、刻蝕溫度變化。2、刻蝕不均勻：噴淋流量異常、藥液未及時沖洗干凈等。3、過刻蝕：刻蝕速度異常、刻蝕溫度異常等。

等離子體刻蝕機要求相同的元素是：化學刻蝕劑和能量源。物理上，等離子體刻蝕劑由反應室、真空系統、氣體供應、終點檢測和電源組成。晶圓被送入反應室，并由真空系統把內部壓力降低。在真空建立起來后，將反應室內充入反應氣體。對于二氧化硅刻蝕，氣體一般使用CF4和氧的混合劑。電源通過在反應室中的電極創造了一個射頻電場。能量場將混合氣體激發或等離子體狀態。在激發狀態，氟刻蝕二氧化硅，并將其轉化為揮發性成分由真空系統排出。ICP刻蝕設備能夠進行(氮化鎵）、(氮化硅）、（氧化硅）、(鋁鎵氮）等半導體材料進行刻蝕。硅刻蝕（包括多晶硅）應用于需要去除硅的場合，如刻蝕多晶硅晶體管柵和硅槽電容。

電子元器件產業作為電子信息制造業的基礎產業，其自身的市場開放及格局形成與國內電子信息產業的高速發展有著密切關聯，目前在不斷增長的新電子產品市場需求、全球電子產品制造業向中國轉移、中美貿易戰加速國產品牌替代等內外多重作用下，國內電子元器件分銷行業會長期處在活躍期，與此同時，在市場已出現的境內外電子分銷商共存競爭格局中，也誕生了一批具有新商業模式的電子元器件分銷企業，并受到了資本市場青睞。中國微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務行業協會秘書長古群表示5G時代下微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務產業面臨的機遇與挑戰。認為，在當前不穩定的國際貿易關系局勢下，通過2018一2019年中國電子元件行業發展情況可以看到，被美國加征關稅的微納加工技術服務，真空鍍膜技術服務，紫外光刻技術服務，材料刻蝕技術服務產品的出口額占電子元件出口總額的比重只為10％。干法刻蝕優點是：細線條操作安全。鎳刻蝕加工公司

微觀結構差的薄膜，包括多孔膜和疏松結構的膜，將被迅速刻蝕。河南反應性離子刻蝕

ArF浸沒式兩次曝光技術已被業界認為是32nm節點較具競爭力的技術；在更低的22nm節點甚至16nm節點技術中，浸沒式光刻技術一般也具有相當大的優勢。浸沒式光刻技術所面臨的挑戰主要有：如何解決曝光中產生的氣泡和污染等缺陷的問題；研發和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻膠的問題；研發折射率較大的光學鏡頭材料和浸沒液體材料；以及有效數值孔徑NA值的拓展等問題。針對這些難題挑戰，國內外學者以及公司已經做了相關研究并提出相應的對策。浸沒式光刻機將朝著更高數值孔徑發展，以滿足更小光刻線寬的要求。河南反應性離子刻蝕

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