介質刻蝕是用于介質材料的刻蝕,如二氧化硅。干法刻蝕優點是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復性好,細線條操作安全,易實現自動化,無化學廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。缺點是:成本高,設備復雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程(如屏蔽式,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學過程,常用的有反應離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式比較多,一般有:濺射與離子束銑蝕,等離子刻蝕(PlasmaEtching),高壓等離子刻蝕,高密度等離子體(HDP)刻蝕,反應離子刻蝕。另外,化學機械拋光CMP,剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。光刻是平面型晶體管和集成電路生產中的一個主要工藝。江西氮化硅材料刻蝕技術
鋁膜濕法刻蝕:對于鋁和鋁合金層有選擇性的刻蝕溶液是居于磷酸的。遺憾的是,鋁和磷酸反應的副產物是微小的氫氣泡。這些氣泡附著在晶圓表面,并阻礙刻蝕反應。結果既可能產生導致相鄰引線短路的鋁橋連,又可能在表面形成不希望出現的雪球的鋁點。特殊配方鋁刻蝕溶液的使用緩解了這個問題。典型的活性溶液成分配比是:16:1:1:2。除了特殊配方外,典型的鋁刻蝕工藝還會包含以攪拌或上下移動晶圓舟的攪動。有時聲波或兆頻聲波也用來去除氣泡。按材料來分,刻蝕主要分成三種:金屬刻蝕、介質刻蝕、和硅刻蝕。河北氮化鎵材料刻蝕加工廠隨著光刻膠技術的進步,只需要一次涂膠,兩次光刻和一次刻蝕的雙重光刻工藝也成為可能。
理想情況下,晶圓所有點的刻蝕速率都一致(均勻)。晶圓不同點刻蝕速率不同的情況稱為非均勻性(或者稱為微負載),通常以百分比表示。減少非均勻性和微負載是刻蝕的重要目標。應用材料公司一直以來不斷開發具有成本效益的創新解決方案,來應對不斷變化的蝕刻難題。這些難題可能源自于器件尺寸的不斷縮小;所用材料的變化(例如高k薄膜或多孔較低k介電薄膜);器件架構多樣化(例如FinFET和三維NAND晶體管);以及新的封裝方式(例如硅穿孔(TSV)技術)。干法刻蝕優點是:細線條操作安全,易實現自動化,無化學廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。
刻蝕用單晶硅材料和芯片用單晶硅材料在制造環節上有諸多相似之處:公司積累的固液共存界面控制技術、熱場尺寸優化工藝、多晶硅投料優化等工藝技術已經達到國際先進水平,為公司進入新賽道提供了產業技術和經驗的支撐。不過,芯片用單晶硅材料對材料內部微缺陷率水平的要求較高,對加工環節的硅片表面顆粒和雜質含量、表面平整度、應力和機械強度等參數指標有更為嚴格的要求。這些特性導致芯片用單晶硅材料的研發和生產,需要合理設計加工環節的工藝流程,同時也需要更先進的加工設備。通過刻蝕用單晶硅材料在全球半導體產業鏈中“見縫插針”的公司,已經擁有了穩定的基本盤。向芯片用單晶硅材料賽道進發,既是對創業初心的回歸,更是應對下游需求變化的戰略調整,有望再一次驅動公司的強勁增長。在微細加工中,刻蝕和清洗處理過程包括許多內容。
廣東省科學院半導體研究所是一家面向半導體光電子器件、功率電子器件、MEMS、生物芯片等前沿領域,致力于打造***的公益性、開放性、支撐性樞紐中心。平臺擁有半導體制備工藝所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸(部分8英寸),同時形成了一支與硬件有機結合的專業人才隊伍。平臺當前緊抓技術創新和公共服務,面向國內外高校、科研院所以及企業提供開放共享,為技術咨詢、創新研發、技術驗證以及產品中試提供支持。的公司,是一家集研發、設計、生產和銷售為一體的專業化公司。刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來進行剝離、去除材料的一種統稱。湖南硅材料刻蝕
溫度越高刻蝕效率越高,但是溫度過高工藝方面波動較大,要通過設備自帶溫控器和點檢確認。江西氮化硅材料刻蝕技術
材料的濕法化學刻蝕,包括刻蝕劑到達材料表面和反應產物離開表面的傳輸過程,也包括表面本身的反應。如果刻蝕劑的傳輸是限制加工的因素,則這種反應受擴散的限制。吸附和解吸也影響濕法刻蝕的速率,而且在整個加工過程中可能是一種限制因素。半導體技術中的許多刻蝕工藝是在相當緩慢并受速率控制的情況下進行的,這是因為覆蓋在表面上有一污染層。因此,刻蝕時受到反應劑擴散速率的限制。污染層厚度常有幾微米,如果化學反應有氣體逸出,則此層就可能破裂。濕法刻蝕工藝常常有反應物產生,這種產物受溶液的溶解速率的限制。為了使刻蝕速率提高,常常使溶液攪動,因為攪動增強了外擴散效應。多晶和非晶材料的刻蝕是各向異性的。然而,結晶材料的刻蝕可能是各向同性,也可能是各向異性的,它取決于反應動力學的性質。晶體材料的各向同性刻蝕常被稱作拋光刻蝕,因為它們產生平滑的表面。各向異性刻蝕通常能顯示晶面,或者使晶體產生缺陷。因此,可用于化學加工,也可作為結晶刻蝕劑。江西氮化硅材料刻蝕技術
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