MOS場效應管電源開關電路，MOS場效應管也被稱為金屬氧化物半導體場效應管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。場效應管可通過控制柵極電壓來調節輸出電流，具有較好的線性特性。VMOS場效應管

場效應管注意事項：為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如采用接地環等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵，焊接場效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關斷電源時，一定不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。VMOS場效應管場效應管的優勢在于低噪聲、高放大倍數和低失真，適用于高要求的音頻放大電路中。

漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較?。╲DS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD=vGS－vDS=VT(或vDS=vGS－VT)時，溝道在漏極一端出現預夾斷，如圖2(b)所示。再繼續增大vDS，夾斷點將向源極方向移動，如圖2(c)所示。由于vDS的增加部分幾乎全部降落在夾斷區，故iD幾乎不隨vDS增大而增加，管子進入飽和區，iD幾乎只由vGS決定。

Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管，制造非對稱晶體管有很多理由，但所有的較終結果都是一樣的，一個引線端被優化作為drain，另一個被優化作為source，如果drain和source對調，這個器件就不能正常工作了。晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個晶體管的GATE相對于BACKGATE正向偏置，電子就被吸引到表面，空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累，沒有channel形成。場效應管在高頻電路中表現出色，能夠保持較低的失真和較高的效率。

MOS管的工作原理，在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，如圖2漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷負載電流。是理想的模擬開關器件。這就是MOS管做開關器件的原理。當然MOS管做開關使用的電路形式比較多了。NMOS管的開路漏極電路，在開關電源應用方面，這種應用需要MOS管定期導通和關斷。比如，DC-DC電源中常用的基本降壓轉換器依賴兩個MOS管來執行開關功能，這些開關交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。我們常選擇數百kHz乃至1MHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當于一個導體。因此，我們電路或者電源設計人員較關心的是MOS的較小傳導損耗。場效應管是一種半導體器件，用于放大或開關電路中的信號。VMOS場效應管

場效應管需遵循正確的電路連接方式，通常包括源極、柵極和漏極三個引腳，根據不同類型選擇合適的偏置電壓。VMOS場效應管

場效應管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統的雙極型晶體管（BJT）相比，FET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進行導電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結型場效應管（JFET）：基于PN結形成的通道，分為N溝道JFET和P溝道JFET。絕緣柵型場效應管（MOS管）：分為增強型MOS管和耗盡型MOS管，每種類型又分為N溝道和P溝道。耗盡型MOS管：在柵極電壓（VGS）為零時，耗盡型MOS管已經形成了導電溝道，即使沒有外加電壓，也會有漏極電流（ID）。這是因為在制造過程中，通過摻雜在絕緣層中引入正離子，使得在半導體表面感應出負電荷，形成導電溝道。增強型MOS管：在VGS為零時是關閉狀態，不導電。只有當施加適當的正向柵極電壓時，才會在半導體表面感應出足夠的多數載流子，形成導電溝道。VMOS場效應管