Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從source通過channel流到drain，總的來說，只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時，才會有drain電流。在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性，定義上，載流子流出source，流入drain，因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色，這種情況下，電路設計師必須指定一個是drain另一個是source。場效應管的使用方法包括選擇合適的工作點和電源電壓，以及連接正確的外部電路?；葜莞叻€定場效應管參考價

導電溝道的形成：當vGS數值較小，吸引電子的能力不強時，漏——源極之間仍無導電溝道出現，如圖1(b)所示。vGS增加時，吸引到P襯底表面層的電子就增多，當vGS達到某一數值時，這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個N型薄層，且與兩個N+區相連通，在漏——源極間形成N型導電溝道，其導電類型與P襯底相反，故又稱為反型層，如圖1(c)所示。vGS越大，作用于半導體表面的電場就越強，吸引到P襯底表面的電子就越多，導電溝道越厚，溝道電阻越小。絕緣柵場效應管市價MOSFET適用于各種電路中的信號放大，功率放大和開關控制等應用。

效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大；而三極管的集電極與發射極互換使用時，其特性差異很大，β值將減小很多。2.場效應管的噪聲系數很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應管。3.場效應管和三極管均可組成各種放大電路和開關電路，但由于前者制造工藝簡單，且具有耗電少，熱穩定性好，工作電源電壓范圍寬等優點，因而被普遍用于大規模和超大規模集成電路中。4.三極管導通電阻大，場效應管導通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現用電器件上，一般都用場效應管做開關來用，他的效率是比較高的。

我們經常看MOS管的PDF參數，MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS(ON)也是較重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜態參數。一直處于導通的MOS管很容易發熱。另外，慢慢升高的結溫也會導致RDS(ON)的增加。MOS管數據手冊規定了熱阻抗參數，其定義為MOS管封裝的半導體結散熱能力。RθJC的較簡單的定義是結到管殼的熱阻抗。場效應管在電子設備中扮演著關鍵角色。

靜態電特性：注①：Vgs（off）其實就是開啟電壓Vgs（th），只不過這里看的角度不一樣。注②：看完前文的讀者應該知道為什么這里兩個Rds（on）大小有差異，不知道的回去前面重新看。動態點特性：注①：Ciss = Cgs + Cgd ；Coss = Cds ；Crss = Cgd；注②：MOS管開啟速度較主要關注的參數是Qg，也就是形成反型層需要的總電荷量！注③：接通/斷開延遲時間t d(on/off)、上升/下降時間tr / tf，各位工程時使用的時候請根據實際漏級電路ID，柵極驅動電壓Vg進行判斷。場效應管的功耗較低，可以節省能源。惠州高穩定場效應管參考價

MOSFET通過柵極與源極電壓調節，是現代電子器件中常見的元件?；葜莞叻€定場效應管參考價

場效應管注意事項：（1）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸5毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。（2）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，較大功率才能達到30W。（3）多管并聯后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。惠州高穩定場效應管參考價