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整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流橋的整流作用及分類整流這一個(gè)術(shù)語(yǔ),它是通過(guò)二極管的單向?qū)ㄔ韥?lái)完成工作的,通俗的來(lái)說(shuō)二極管它是正向?qū)ê头聪蚪卣鳂蚓褪菍⒄鞴芊庠谝粋€(gè)殼內(nèi)了.分全橋和半橋.全橋是將連接好的橋式整流電路的四個(gè)二極管封在一起.半橋是將兩個(gè)二極管橋式整流的一半封在一起,用兩個(gè)半橋可組成一個(gè)橋式整流電路,一個(gè)半橋也可以組成變壓器帶中心抽頭的全波整流電路,(一)整流橋堆整流橋(D25XB60)堆一般用在全波整流電路中,它又分為全橋與半橋。1.全橋 全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的,圖4-65是其電路圖形符號(hào)與內(nèi)部電路凱軒業(yè)的肖特基二極管以高質(zhì)量樹(shù)立良好口碑。云南大規(guī)模肖特基二極管
16、阻尼二極管具有較高的反向工作電壓和峰值電流,正向壓降小,高頻高壓整流二極管,用在電視機(jī)行掃描電路作阻尼和升壓整流用。17、瞬變電壓抑制二極管TVP 管,對(duì)電路進(jìn)行快速過(guò)壓保護(hù),分雙極型和單極型兩種,按峰值功率(500W-5000W)和電壓(8.2V~200V)分類。18、雙基極二極管(單結(jié)晶體管)兩個(gè)基極,一個(gè)發(fā)射極的三端負(fù)阻器件,用于張馳振蕩電路,定時(shí)電壓讀出電路中,它具有頻率易調(diào)、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。19、發(fā)光二極管用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成,體積小,正向驅(qū)動(dòng)發(fā)光。工作電壓低,工作電流小,發(fā)光均勻、壽命長(zhǎng)、可發(fā)紅、黃、綠單色光。云南大規(guī)模肖特基二極管誠(chéng)信商家,用戶的信賴之選,肖特基二極管就選凱軒業(yè)科技。
13、江崎二極管 (Tunnel Diode)它是以隧道效應(yīng)電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區(qū)的 N 型區(qū)是高摻雜的(即高濃度雜質(zhì)的)。隧道電流由這些簡(jiǎn)并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生的。如發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個(gè)條件:①費(fèi)米能級(jí)位于導(dǎo)帶和滿帶內(nèi);②空間電荷層寬度必須很窄(0.01 微米以下);簡(jiǎn)并半導(dǎo)體 P 型區(qū)和 N 型區(qū)中的空穴和電子在同一能級(jí)上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比(IP/PV),其中,下標(biāo)“P”表示“峰”;而下標(biāo)“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應(yīng)用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中(其工作頻率可達(dá)毫米波段),也可以被應(yīng)用于高速開(kāi)關(guān)電路中。
1、檢波用二極管就原理而言,從輸入信號(hào)中取出調(diào)制信號(hào)是檢波,以整流電流的大小(100mA)作為界線通常把輸出電流小于 100mA 的叫檢波。鍺材料點(diǎn)接觸型、工作頻率可達(dá) 400MHz,正向壓降小,結(jié)電容小,檢波效率高,頻率特性好,為 2AP 型。類似點(diǎn)觸型那樣檢波用的二極管,除用于檢波外,還能夠用于限幅、削波、調(diào)制、混頻、開(kāi)關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波專業(yè)使用的特性一致性好的兩只二極管組合件。2、整流用二極管就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小(100mA)作為界線通常把輸出電流大于 100mA 的叫整流。面結(jié)型,工作頻率小于 KHz,較高反向電壓從 25 伏至 3000 伏分 A~X 共 22 檔。分類如下:①硅半導(dǎo)體整流二極管 2CZ 型、②硅橋式整流器 QL 型、③用于電視機(jī)高壓硅堆工作頻率近 100KHz 的 2CLG 型。肖特基二極管在復(fù)雜電路環(huán)境中穩(wěn)定發(fā)揮功能。
15、肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode)它是具有肖特基特性的“金屬半導(dǎo)體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外,還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵,多為 N 型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的 PN 結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響但為 RC 時(shí)間常數(shù)限制,因而,它是高頻和快速開(kāi)關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá) 100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。憑借先進(jìn)工藝,肖特基二極管實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定工作。云南大規(guī)模肖特基二極管
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大體意義上講,PN結(jié)的定義為:采用不同的摻雜工藝,通過(guò)擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體基片上,一般半導(dǎo)體的材料選擇為硅或者鍺,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。具體介紹PN結(jié)的形成大體分為三步,首先擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),P區(qū)的空穴濃度遠(yuǎn)大于N區(qū)的自由電子濃度,因此,P區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴(kuò)散,并與N區(qū)中的自由電子復(fù)合而消失;同樣,N區(qū)的自由電子必然向P區(qū)漂移,并與P區(qū)中的空穴復(fù)合而消失。其次是空間電荷區(qū)的產(chǎn)生,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致了P區(qū)一側(cè)失去空穴而留下負(fù)離子,N區(qū)一側(cè)失去電子而留下正離子,這些不能移動(dòng)的帶電離子稱為空間電荷,相應(yīng)地這個(gè)區(qū)域稱為空間電荷區(qū),較后由于有正離子和負(fù)離子,這樣在空間電荷區(qū)內(nèi)就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)內(nèi)電場(chǎng),內(nèi)電場(chǎng)的產(chǎn)生讓多子的擴(kuò)散和少子的漂移達(dá)到了一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡,較后形成了PN結(jié)。云南大規(guī)模肖特基二極管