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來源: 發布時間:2025-05-02

    圖3是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖二,其離子注入步驟。圖4是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖三,其顯示離子注入后光刻膠形成了主要光刻膠層和第二光刻膠層。圖5是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖四,其顯示光刻膠膨脹。圖6是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖五,其顯示光刻膠炸裂到臨近光刻膠。圖7是一現有技術光刻膠剝離去除示意圖六,其顯示光刻膠去除殘留。圖8是本發明光刻膠剝離去除示意圖一,其顯示首先剝離去除主要光刻膠層。圖9是本發明光刻膠剝離去除示意圖二,其顯示逐步剝離去除第二光刻膠層的中間過程。圖10是本發明光刻膠剝離去除示意圖三,其顯示完全去除光刻膠后的襯底。圖11是采用現有技術剝離去除光刻膠殘留缺陷示意圖。圖12是采用本發明剝離去除光刻膠殘留缺陷示意圖。具體實施方式以下通過特定的具體實施例說明本發明的實施方式,本領域技術人員可由本說明書所公開的內容充分地了解本發明的其他優點與技術效果。本發明還可以通過不同的具體實施方式加以實施或應用,本說明書中的各項細節也可以基于不同觀點加以應用,在沒有背離發明總的設計思路下進行各種修飾或改變。需說明的是,在不的情況下,以下實施例及實施例中的特征可以相互組合。哪家公司的剝離液的是口碑推薦?蘇州哪家剝離液批量定制

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    按照組成成分和應用工藝不同,濕電子化學品可分為通用性和功能性濕電子化學品。通用濕電子化學品以超凈高純試劑為主,一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學品,按照性質劃分可分為:酸類、堿類、有機溶劑類和其他類。酸類包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等;堿類包括氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀等;有機溶劑類包括甲醇、乙醇、異丙醇、**、乙酸乙酯等;其他類包括雙氧水等。功能濕電子化學品指通過復配手段達到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的復配類化學品,即在單一的超凈高純試劑(或多種超凈高純試劑的配合)基礎上,加入水、有機溶劑、螯合劑、表面活性劑混合而成的化學品。例如剝離液、顯影液、蝕刻液、清洗液等。由于多數功能濕電子化學品是復配的化學品,是混合物,它的理化指標很難通過普通儀器定量檢測,只能通過應用手段來評價其有效性。 池州顯示面板用剝離液推薦廠家什么制程中需要使用剝離液。

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    高世代面板)表面上,或透入其表面,而把固體物料潤濕,剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此,本申請中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環胺與鏈胺、緩蝕劑、潤濕劑組成。其中,酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種,酰胺是用于溶解光刻膠;n-甲基甲酰胺下面簡稱″nmf″醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種,醇醚是用于潤濕、膨潤、溶解光刻膠的;二乙二醇丁醚下面簡稱″bdg″。環胺與鏈胺,用于滲透、斷開光刻膠分子間弱結合力;鏈胺:分子量的大小決定瞬間溶解力,分子量過大瞬間溶解力小,光刻膠未被完全溶解;分子量過小,對金屬的腐蝕性增強,影響產品質量。分子量一般在50g/mol-200g/mol,鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種;環胺:溶解光刻膠中環狀結構的樹脂,包括氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種;上述鏈胺與環胺的比例在4∶1-1∶4之間。緩蝕劑,用于降低對金屬的腐蝕速度,緩蝕劑為三唑類物質,具體為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。潤濕劑。

    能夠增強親水性,使得剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。潤濕劑含有羥基,為聚乙二醇、甘油中的任意一種。下面通過具體實施例對本申請作進一步詳細說明。以下實施例對本申請進行進一步說明,不應理解為對本申請的限制。表一:兩種不同組分的剝離液配方一和配方二所采用的基礎組分基本相同,不同的是配方二中加入有潤濕劑,上述所描述的潤濕劑是用于增強親水性的,滴液與產品表面間的夾角為接觸角,接觸角可用來衡量潤濕程度,水滴角測試儀可測量接觸角,從潤濕角度考慮,接觸角<90°,且接觸角越小潤濕效果越好加入潤濕劑后的配方二所制得的剝離液,在滴落在高世代面板后,通過水滴角測試儀測接觸角,檢測圖如圖1所示,三次測試的接觸角如下表二:上述兩種不同組分的剝離液作接觸角測試接觸角配方一配方二測試一,加入潤濕劑后的配方二所制得的剝離液,其滴落在高世代面板后,其接觸角比未加入潤濕劑的配方一的剝離液潤濕效果更好;請參閱圖2所示,將配方一所制得的剝離液以及配方二所制得的剝離液進行光刻膠剝離,圖2中的陰影圓點為浸泡時間t1后光刻膠殘留,明顯地,可以看出配方二中t1時間后光刻膠殘留量小,而配方一中產品邊緣處光刻膠的殘留量大。剝離液的發展趨勢如何。

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    但現有的回收裝置普遍存在如下問題:剝離廢液利用水洗裝置水洗過濾出光刻膠樹脂成分,回收率低。為了解決這一問題,現有技術通常再向剝離廢液中加入沉淀劑繼續反應,而后沉淀過濾出光刻膠樹脂成分,但所得到的光刻膠樹脂成分品質不宜再用于光刻膠原料,只能用于其他要求較低的樹脂需求場所。技術實現要素:本實用新型的目的是為了提供一種結構設置更為合理、使用方便可靠的光刻膠廢剝離液回收裝置,從根本上解決現有回收裝置回收率低的問題,同時分級回收輸出線性酚醛樹脂成分,分級儲存,以用于不同場合,物盡其用。為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種光刻膠廢剝離液回收裝置,包括攪拌釜和與攪拌釜連通的過濾罐,攪拌釜頂部設有廢剝離液投料口,其技術要點是:所述過濾罐的數量為兩個,由一級過濾罐和二級過濾罐組成,所述一級過濾罐和二級過濾罐在垂直方向上位于攪拌釜下方,一級過濾罐和二級過濾罐的進料管路分別與攪拌釜底部連通,且進料管路上分別設有電磁閥,所述一級過濾罐的底部出液口連接有提升泵,所述提升泵的出料管路末端與攪拌釜頂部的循環料口連通,所述攪拌釜頂部另設有功能切換口。剝離液的組成成分是什么;南京BOE蝕刻液剝離液費用

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    本發明涉及半導體制造領域,特別是涉及一種用于包括但不限于半導體生產工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術:光刻膠是一大類具有光敏化學作用(或對電子能量敏感)的高分子聚合物材料,是轉移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。光刻膠的也稱為光致抗蝕劑、光阻等,其作用是作為抗刻蝕層保護襯底表面。光刻膠廣泛應用于集成電路(ic)、封裝(packaging)、微機電系統(mems)、光電子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板顯示其(led、lcd、oled)和太陽能光伏(solarpv)等領域。在半導體制造領域,離子注入層光刻膠(參考圖2)在經過高劑量或大分子量的源種注入后(參考圖3),會在光刻膠的外層形成一層硬殼(參考圖4)本發明命名為主要光刻膠層?,F有的離子注入層光刻膠在經過氧氣灰化干法剝離時,由于等離子氧與光刻膠反應速率很高,會有一部分等離子氧先穿透主要光刻膠層到達第二光刻膠層,在與第二光刻膠層反應后在內部產生大量氣體,第二層光刻膠膨脹(參考圖5),主要光刻膠層終因承受不住內層巨大的氣壓而爆裂,爆裂的光刻膠有一定的概率掉落在臨近的光刻膠上(參考圖6),導致此交疊的光刻膠不能法剝離干凈。在經過后續批作業的濕法剝離后會產生殘余物。蘇州哪家剝離液批量定制