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光耦的特點(diǎn)光耦基本電路1. 參數(shù)設(shè)計(jì)簡單2. 輸出端需要隔離驅(qū)動(dòng)電源3. 驅(qū)動(dòng)功率有限磁耦合-變壓器隔離受高頻調(diào)制的單向脈沖變壓器隔離電路磁耦合:用于傳送較低頻信號時(shí)—調(diào)制/解調(diào)磁耦合的特點(diǎn):1.既可傳遞信號又可傳遞功率2.頻率越高,體積越小-適合高頻應(yīng)用比較好驅(qū)動(dòng)特性和驅(qū)動(dòng)電流波形比較好驅(qū)動(dòng)1.開通時(shí): 基極電流有快速上升沿和過沖—加速開通,減小開通損耗;2.導(dǎo)通期間:足夠的基極電流,使晶體管任意負(fù)載飽和導(dǎo)通—低導(dǎo)通損耗;關(guān)斷前調(diào)整基極電流,使晶體管處于臨界飽和導(dǎo)通—減小 , 關(guān)斷快;繼電器驅(qū)動(dòng)電路:通過控制繼電器的開關(guān)來驅(qū)動(dòng)高功率負(fù)載,適用于需要隔離控制信號和負(fù)載的場合。青浦區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路銷售廠
由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,在實(shí)際開關(guān)中存在的米勒效應(yīng)(Miller 效應(yīng))在測量中也沒有被包括在內(nèi),在實(shí)際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此,在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對于設(shè)計(jì)一個(gè)驅(qū)動(dòng)器來說,**重要的參數(shù)是門極電荷QG(門極電壓差時(shí)的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數(shù)據(jù)手冊中能夠找到這個(gè)參數(shù),那么我們就可以運(yùn)用公式計(jì)算出:門極驅(qū)動(dòng)能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]楊浦區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路銷售廠優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠減少器件的開關(guān)損耗,提高能量轉(zhuǎn)換效率,并降低電磁干擾(EMI/EMC)。
IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同,只需控制輸入極N一溝道MOSFET ,所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后,從P+ 基極注入到N 一層的空穴(少子),對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,減小N 一層的電阻,使IGBT 在高電壓時(shí),也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作,并同時(shí)對其進(jìn)行保護(hù)的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用,在實(shí)際使用中除IGBT自身外,IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會直接導(dǎo)致 IGBT 和驅(qū)動(dòng)器損壞。以下總結(jié)了一些關(guān)于IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出性能的計(jì)算方法以供選型時(shí)參考。
這樣一來,輸出高低電平時(shí),T3 一路和 T4 一路將交替工作,從而減低了功耗,提高了每個(gè)管的承受能力。又由于不論走哪一路,管子導(dǎo)通電阻都很小,使 RC 常數(shù)很小,轉(zhuǎn)變速度很快。因此,推拉式輸出級既提高電路的負(fù)載能力,又提高開關(guān)速度。推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號的控制,總是在一個(gè)三極管導(dǎo)通的時(shí)候另一個(gè)截止。要實(shí)現(xiàn)線與需要用 OC(open collector)門電路。推挽電路適用于低電壓大電流的場合,廣泛應(yīng)用于功放電路和開關(guān)電源中。直接接地驅(qū)動(dòng):功率器件的接地端電位恒定,常用的有推挽驅(qū)動(dòng)以及圖騰柱驅(qū)動(dòng)等。
MOSFET驅(qū)動(dòng)器是一款高頻高電壓柵極驅(qū)動(dòng)器,可利用一個(gè)同步 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和高達(dá) 100V 的電源電壓來驅(qū)動(dòng)兩個(gè) N 溝道 MOSFET。強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中的開關(guān)損耗。針對兩個(gè)與電源無關(guān)的輸入進(jìn)行配置。高壓側(cè)輸入邏輯信號在內(nèi)部被電平移位至自舉電源,此電源可以在高出地電位達(dá) 114V 的電壓條件下運(yùn)行。●分布式電源架構(gòu)●汽車電源●高密度●電信系統(tǒng)●欠壓閉鎖功能●自適應(yīng)貫通保護(hù)功能●自舉電源電壓至 114V●1.4A 峰值頂端柵極上拉電流●1.75A 峰值底端柵極上拉電流●耐熱增強(qiáng)型 8 引腳 MSOP 封裝它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、電視、汽車、機(jī)器人等領(lǐng)域。楊浦區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路銷售廠
由單個(gè)電子元器件連接起來組成的驅(qū)動(dòng)電路,多用于功能簡單的小功率驅(qū)動(dòng)場合。青浦區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路銷售廠
驅(qū)動(dòng),計(jì)算機(jī)軟件術(shù)語,是指驅(qū)使計(jì)算機(jī)里硬件動(dòng)作的軟件程序。驅(qū)動(dòng)程序全稱設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序,是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序,其中包含有關(guān)硬件設(shè)備的信息。此信息能夠使計(jì)算機(jī)與相應(yīng)的設(shè)備進(jìn)行通信。驅(qū)動(dòng)程序是硬件廠商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫的配置文件,可以說沒有驅(qū)動(dòng)程序,計(jì)算機(jī)中的硬件就無法工作。驅(qū)動(dòng)程序全稱設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序,是添加到操作系統(tǒng)中的特殊程序,其中包含有關(guān)硬件設(shè)備的信息。此信息能夠使計(jì)算機(jī)與相應(yīng)的設(shè)備進(jìn)行通信。驅(qū)動(dòng)程序是硬件廠商根據(jù)操作系統(tǒng)編寫的配置文件,可以說沒有驅(qū)動(dòng)程序,計(jì)算機(jī)中的硬件就無法工作。操作系統(tǒng)不同,硬件的驅(qū)動(dòng)程序也不同,各個(gè)硬件廠商為了保證硬件的兼容性及增強(qiáng)硬件的功能會不斷地升級驅(qū)動(dòng)程序。青浦區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路銷售廠
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