一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。

在性能上，可控硅不僅具有單向導電性，而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此頻率，因元件開關損耗明顯增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應降級使用。

可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數高達幾十萬倍;反應極快，在微秒級內開通、關斷;無觸點運行，無火花、無噪音;效率高，成本低等等。

可控硅的弱點：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。

可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司不斷從事技術革新，改進生產工藝，提高技術水平。泰安高壓可控硅模塊價格

可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道，它的應用范圍是非常廣的，在不同設備上的使用方法也是不一樣的，那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢？下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。

在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時，可控硅模塊被觸發(fā)導通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。 日照大功率可控硅模塊組件淄博正高電氣有限公司以***，高質量的產品，滿足廣大新老用戶的需求。

可控硅模塊的應用領域

該智能模塊應用于控溫、調光、勵磁、電鍍、電解、充放電、電焊機、等離子拉弧、逆變電源等需對電力能量大小進行調整和變換的場合，如工業(yè)、通訊、**等各類電氣操控、電源等，依據還可經過模塊的操控端口與多功用操控板聯接，結束穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動等功用，并可結束過流、過壓、過溫、缺持平維護功用。

可控硅模塊的操控辦法

經過輸入模塊操控接口一個可調的電壓或許電流信號，經過調整該信號的大小即可對模塊的輸出電壓大小進行滑潤調度，結束模塊輸出電壓從0V至任一點或悉數導通的進程。

電壓或電流信號可取自各種操控外表、核算機D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種辦法；操控信號選用0～5V，0～10V，4～20mA三種對比常用的操控辦法。

雙向可控硅的檢測

用萬用表電阻R×1檔，用紅黑兩表筆分別測任意兩引腳正反向電阻，結果其中兩組讀數為無窮大。若一組為數十歐姆時，該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽極A1和控制極G，另一空腳即為第二陽極A2。確定A、G極后，再仔細測量A1、G極間正反向電阻，讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽極A2，紅表筆接陽極A1，此時萬用表指針應不發(fā)生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發(fā)電壓，A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開A2、G極短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右。互換紅黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接陽極A1。同樣萬用表指針應不發(fā)生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負向的觸發(fā)電壓，A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測雙向可控硅管未損壞且三個引腳極性判斷正確。

檢測較大功率可控硅管是地，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池，以提高觸發(fā)電壓。 淄博正高電氣有限公司是您可信賴的合作伙伴！

可控硅模塊設備相信大家都已經熟悉并了解了，在您了解的知識中，您知道可控硅模塊的導通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下。

可控硅模塊的工作條件：

1.當可控硅模塊承受反向陽極電壓時，不管門級承受哪種電壓，可控硅模塊都會處于斷開狀態(tài)。

2.當可控硅模塊經歷正向陽極電壓時，可控硅*在門級受到正向電壓時接通。

3.當可控硅模塊導通時，只需要有一定的正極電壓，不管門極電壓怎樣，可控硅模塊都保持導通，如果可控硅導通后，門極將失去其功能。

4..當可控硅模塊導通時，主電路電壓(或電流)減小到接近零時，可控硅模塊關斷。 淄博正高電氣有限公司提供周到的解決方案，滿足客戶不同的服務需要。日照大功率可控硅模塊組件

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過電壓會對可控硅模塊造成損壞，如果要想保護可控硅不受其損壞，就要了解過電壓的產生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來講講過電壓會對可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過電壓產生的原因。

可控硅模塊對過電壓非常敏感，當正向電壓超過udrm值時，可控硅會誤導并導致電路故障；當施加的反向電壓超過urrm值時，可控硅模塊會立即損壞。因此，需要研究過電壓產生的原因和過電壓的方法。

過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲能的急劇變化，使系統(tǒng)轉換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現，由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型，如雷擊和開關開啟和關閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動作產生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對可控硅模塊非常危險。

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