晶閘管智能模塊的保護

在實際應用中，除合理選擇智能可控硅調壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。

過熱保護：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實際工作中由于自身功耗，都會引起芯片溫度上升，溫度過高后，會使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過熱擊穿，在實際應用中，通常采用強迫風冷的方法來及時散除晶閘管工作時產生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 正高電氣公司狠抓產品質量的提高，逐年立項對制造、檢測、試驗裝置進行技術改造。青島MTAC40晶閘管智能模塊配件

    由與非門的邏輯關系可知此時YFA3腳輸出為高電平，經過YF2反相變為低電平，D1截止后級電路不動作。晚上光線暗RG阻值變大，YFA1腳電位升高，如果此時有聲音被MIC接收，經C1耦合T1放大，在R3上形成音頻電壓，此電壓如高于1/2電源電壓，則YF13腳輸出低電平，經YFB反相，4腳輸出的高電平經D1向C2瞬間充電，使YFC輸入端接近電源電壓，10腳輸出低電平，由YFD反相緩沖后經R6觸發可控硅導通，電燈正常點亮。（此時則由C3向電路供電）如此后無聲被MIC接收，則YFA輸出恢復為高電平，C2通過R5緩慢放電，當C2電壓下降到低于1/2電源電壓時（按圖中參數約一分鐘）YFC反轉、YFD反轉，可控硅（SCR）截止電燈關閉，等待下次觸發。元件選擇：MIC用駐極體話筒，RG用一般光敏電阻即可，YFA-YFD用一片低工S四與非門電路TC4011，T1用9014低頻管，放大倍數越大靈敏度越高，D1用IN4148，D2是，C2、C3用電解電容、SCR可選用MCR100-61A的單向可控硅，電阻均為1/8w炭膜電阻，阻值按圖。D4-D7用IN4007，反向漏電必須小。電燈的功率不能超過60W。青島MTAC40晶閘管智能模塊配件正高電氣技術力量雄厚，工裝設備和檢測儀器齊備，檢驗與實驗手段完善。

    過流保護如果想得到較安全的過流保護，建議用戶優先使用內部帶過流保護功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡單常用的方法，介紹如下：（1）快速熔斷器的選擇：①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓；②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的，按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關系參考本本博客有關文章。用戶也可根據經驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。（2）接線方法：快速熔斷器接在模塊的輸入端，負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差，當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間很短，也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉折電壓，會引起晶閘管硬開通，它不僅使電路工作失常，且多次硬開通后元件正向轉折電壓要降低，甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護措施用以晶閘管上可能出現的過電壓。模塊的過壓保護，推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護措施。（1）阻容吸收回路晶閘管從導通到阻斷時，和開關電路一樣，因線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量會產生過電壓。

    使設備進入穩態運行。若一次起動不成功，即自動調頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時，它激信號便會一直掃描到比較低頻率，重復起動電路一旦檢測到它激信號進入到比較低頻段，便進行一次再起動，把它激信號再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動成功，重復起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號，經IC1A轉換成方波信號，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發信號。經IC7A隔離放大后，驅動逆變觸發CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構成逆變壓控時鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時又由IC7B進行頻壓轉換后用于驅動頻率表。W6微調電位器用于設定壓控時鐘的比較高頻（即逆變它激信號的比較高頻率），W5微調電位器用于整定外接頻率表的讀數。另外，當發生過電壓保護時，IC6內部的過電壓保護振蕩器起振，輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發脈沖，使逆變橋的4只晶閘管均導通。IC4A為起動失敗檢測器，其輸出控制IC6內部重復起動電路。過電流保護信號經Q3倒相后，送到IC6的20P，整流觸發脈沖：驅動“”LED批示燈亮和驅動報警繼電器。過電流觸發器動作后，只有通過復位信號或通過關機后再開機進行“上電復位”，方可再次運行。正高電氣的行業影響力逐年提升。

    [1]單結管即單結晶體管，又稱為雙基極二極管，是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”，圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數有：①分壓比η，指單結晶體管發射極E至基極B1間的電壓（不包括PN結管壓降）在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP，是指單結晶體管剛開始導通時的發射極E與基極B1的電壓，其所對應的發射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV，是指單結晶體管由負阻區開始進入飽和區時的發射極E與基極B1間的電壓，其所對應的發射極電流叫做谷點電流IV。[4]單結晶體管共有三個管腳，分別是：發射極E、基極B1和第二基極B2。圖示為兩種典型單結晶體管的管腳電極。[5]單結晶體管**重要的特性是具有負阻性，其基本工作原理如圖示（以N基極單結管為例）。當發射極電壓UE大于峰點電壓UP時，PN結處于正向偏置，單結管導通。隨著發射極電流IE的增加，大量空穴從發射極注入硅晶體，導致發射極與基極間的電阻急劇減小，其間的電位也就減小，呈現出負阻特性。[6]檢測單結晶體管時，萬用表置于“R×1k”擋。正高電氣是多層次的模式與管理模式。聊城MTAC600晶閘管智能模塊哪家好

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晶閘管智能調壓模塊的使用方法

1、各功能端相對com端必須為正，若com端為負極，極性相反，則晶閘管智能調壓模塊主回路輸出端可能失控。

2、晶閘管智能調壓模塊各功能端的控制特性均為正極性，即控制電壓越高，模塊強電主回路輸出電壓越高。

3、晶閘管智能調壓模塊在某一時刻宜使用一種輸入控制方式，若2種以上方式同時輸入使用，則輸入信號較強的一種起主要作用。

4、晶閘管智能調壓模塊電源為上進下出，三相交流電路的進線R、S、T無相序要求，導線粗細按實際使用電流選擇。

5、晶閘管智能調壓模塊N線*為模塊內部開關電源用，用1平方細導線即可，N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設計。

6、晶閘管智能調壓模塊在使用過程中若發生過流現象，應首先檢查負載有無短路等故障。可在模塊的進線R、S、T端之前安裝快速熔斷器進行過流保護，規格可按實際負載電流的1.5倍選配。

7、智能晶閘管智能調壓模塊應與散熱器配合使用，在機柜中與其他器件之間有足夠的散熱空間。必要時可安裝風扇強制散熱。 青島MTAC40晶閘管智能模塊配件

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