4、 觸發電壓VGT 在規定的環境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的**小控制極電流和電壓。5、 維持電流IH 在規定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導通所必需的**小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應用的快速可控硅,可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅,可以用正觸發信號使其導通,用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。可控硅有多種分類方法。(一)按關斷、導通及控制方式分類:可控硅按其關斷、導通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導可控硅、門極關斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。相城區新型可控硅模塊現價
用R×1k或R×10k擋測陽極和控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應幾百千歐以上。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結的正反向電阻在幾千歐左右,如出現正向阻值接近于零值或為無窮大,表明控制極和陰極之間的PN結已經損壞。反向阻值應很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。萬用表選電阻R×1擋,將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時萬用表指針應不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,此時萬用表電阻擋指針應向右偏轉,阻值讀數為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時,萬用表指針發生偏轉,說明該單向可控硅已擊穿損壞。常熟加工可控硅模塊聯系方式可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。
PNPN四層組成(2)可控硅由關斷轉為導通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導通后,當陽極電流小干維持電流In時.可控硅關斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,2.門極伏安特性區。(5)應在額定參數范圍內使用可控硅。選擇可控硅主要確定兩個參致:電流⒈ 額定通態電流(IT)即比較大穩定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。⒉反向重復峰值電壓(VRRM)或斷態重復峰值電壓(VDRM),俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
額定速態平均屯成系列共分為14個,如表1一5所示。正反向重復蜂值屯壓級別規定1000V以下的管子每100V為一級,1000V以上的管子每200V為一級。取電壓教除以100做為級別標志,如表1-6所示。通態平均電壓組別依電壓大小分為9組,用宇毋表示,如表1一所示。例如.KP500-12D表示的是通態平均電流為500A,額定(正反向重復峰值)電壓為1200V,管壓降(通態平均電壓)為0.6---0.7V的普通型可控硅。綜上所述,小結如下:(1)可控硅一般做成螺栓形和平板形,有三個電極,用硅半導體材料制成的管芯由由圖可見,雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個象限內的曲線組合成的。
可控硅導通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備,可控硅才會處于導通狀態。另外,可控硅一旦導通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導通。 可控硅關斷條件:降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的正向電壓,使陽極電流小于**小維持電流以下。單向可控硅為具有三個 PN 結的四層結構,由**外層的 P 層、N 層引出兩個電極――陽 極 A 和陰極 K,由中間的 P 層引出控制極 G。電路符號好像為一只二極管,但好多一個引 出電極――控制極或觸發極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。“一觸即發”。但是,如果陽極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導通。姑蘇區好的可控硅模塊推薦廠家
按電流容量分類:可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、可控硅和小功率可控硅三種。相城區新型可控硅模塊現價
1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環境中,如果柵極上的噪聲電壓超過VGT,并有足夠的柵電流激發可控硅(晶閘管)內部的正反饋,則也會被觸發導通。應用安裝時,首先要使柵極外的連線盡可能短。當連線不能很短時,可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個1KΩ的電阻來降低其靈敏度,也可以再并聯一個100nf的電容,來濾掉高頻噪聲。2、關于轉換電壓變化率當驅動一個大的電感性負載時,在負載電壓和電流間有一個很大的相移。當負載電流過零時,雙向可控硅(晶閘管)開始換向,但由于相移的關系,電壓將不會是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關斷這個電壓。如果這時換向電壓的變化超過允許值時,就沒有足夠的時間使結間的電荷釋放掉,而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導通狀態。相城區新型可控硅模塊現價
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