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重慶水油光刻膠品牌

來源: 發布時間:2025-05-18

納米電子器件制造

? 半導體芯片:在22nm以下制程中,EUV光刻膠(分辨率≤10nm)用于制備晶體管柵極、納米導線等關鍵結構,實現芯片集成度提升(如3nm制程的FinFET/GAA晶體管)。

? 二維材料器件:在石墨烯、二硫化鉬等二維材料表面,通過電子束光刻膠定義納米電極陣列,構建單原子層晶體管或傳感器。

 納米光子學與超材料

? 光子晶體與波導:利用光刻膠制備亞波長周期結構(如光子晶體光纖、納米級波導彎頭),調控光的傳播路徑,用于集成光路或量子光學器件。

? 超材料設計:在金屬/介質基底上刻蝕納米級“魚網狀”“蝴蝶結”等圖案(如太赫茲超材料),實現對電磁波的超常調控(吸收、偏振轉換)。
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吉田半導體的光刻膠產品覆蓋芯片制造、顯示面板、PCB 及微納加工等領域,通過差異化技術(如納米壓印、厚膜工藝)和環保特性(水性配方),滿足從傳統電子到新興領域(如第三代半導體、Mini LED)的多樣化需求。其產品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝,還通過材料創新推動行業向綠色化、低成本化方向發展。吉田半導體光刻膠的優勢在于技術全面性、環保創新、質量穩定性及本土化服務,尤其在納米壓印、厚膜工藝及水性膠領域形成差異化競爭力。

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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,各有特性與優勢,適用于不同領域。

厚板光刻膠 JT - 3001:具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年,適用于對光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場景,如一些特殊的電路板制造。

SU - 3 負性光刻膠:分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應。重量為 100g,常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。

液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000:有 1L 和 100g 兩種規格,具有優異的分辨率,準確性和穩定性好。主要應用于液晶平板顯示器的制造,能滿足其對光刻膠高精度和穩定性的需求。

JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠:耐強酸強堿,耐高溫達 250°C,長期可靠性高,粘接強度高。重量 100g,適用于需要在特殊化學和高溫環境下進行納米壓印光刻的工藝,如一些半導體器件的制造。

光刻膠的主要應用領域

光刻膠是微電子制造的主要材料,廣泛應用于以下領域:

 半導體制造

? 功能:在晶圓表面形成微細電路圖案,作為蝕刻或離子注入的掩膜。

? 分類:

? 正性光刻膠:曝光區域溶解于顯影液,形成與掩膜版一致的圖案(主流,分辨率高)。

? 負性光刻膠:未曝光區域溶解,形成反向圖案(用于早期工藝,耐蝕刻性強)。

? 技術演進:隨制程精度提升,需匹配不同曝光波長(紫外UV、深紫外DUV、極紫外EUV),例如EUV光刻膠用于7nm以下制程。

 平板顯示(LCD/OLED)

? 彩色濾光片(CF):在玻璃基板上制作紅/綠/藍像素單元,光刻膠用于圖案化黑矩陣(BM)、彩色層(R/G/B)和保護層。

? 電極圖案:制作TFT-LCD的電極線路或OLED的陰極/陽極,需高透光率和精細邊緣控制。

 印刷電路板(PCB)

? 線路蝕刻:在覆銅板上涂膠,曝光顯影后保留線路區域,蝕刻去除未保護的銅箔,形成導電線路。

? 阻焊與字符層:阻焊膠覆蓋非線路區域,防止短路;字符膠用于印刷電路板標識。

 LED與功率器件

? 芯片制造:在藍寶石/硅基板上制作電極和量子阱結構,需耐高功率環境的耐高溫光刻膠。

? Micro-LED:微米級芯片轉移和陣列化,依賴超高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)。

自研自產的光刻膠廠家。

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廣東吉田半導體材料有限公司,坐落于松山湖經濟技術開發區,是半導體材料領域的一顆璀璨明珠。公司注冊資本 2000 萬元,專注于半導體材料的研發、生產與銷售,是國家高新技術企業、廣東省專精特新企業以及廣東省創新型中小企業。

強大的產品陣容:吉田半導體產品豐富且實力強勁。芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠精細滿足芯片制造、微納加工等關鍵環節需求;半導體錫膏、焊片在電子焊接領域性能;靶材更是在材料濺射沉積工藝中發揮關鍵作用。這些產品遠銷全球,與眾多世界 500 強企業及電子加工企業建立了長期穩固的合作關系。

雄厚的研發生產實力:作為一家擁有 23 年研發與生產經驗的綜合性企業,吉田半導體具備行業前列規模與先進的全自動化生產設備。23 年的深耕細作,使其在技術研發、工藝優化等方面積累了深厚底蘊,能夠快速響應市場需求,不斷推出創新性產品。

嚴格的質量管控:公司始終將品質視為生命線,嚴格按照 ISO9001:2008 質量體系標準監控生產制程。生產環境執行 8S 現場管理,從源頭抓起,所有生產材料均選用美國、德國、日本等國家進口的高質量原料,確保客戶使用到超高質量且穩定的產品。 聚焦封裝需求,吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一站式服務。成都油墨光刻膠生產廠家

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關鍵應用領域

半導體制造:

? 在晶圓表面涂覆光刻膠,通過掩膜曝光、顯影,刻蝕出晶體管、電路等納米級結構(如EUV光刻膠用于7nm以下制程)。

 印刷電路板(PCB):

? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,制作線路和焊盤。

 顯示面板(LCD/OLED):

? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。

 微機電系統(MEMS):

? 加工微結構(如傳感器、執行器)。

工作原理(以正性膠為例)

1. 涂膠:在基材(如硅片)表面均勻旋涂光刻膠,烘干形成薄膜。

2. 曝光:通過掩膜版,用特定波長光線照射,曝光區域的光敏劑分解,使樹脂變得易溶于顯影液。

3. 顯影:用顯影液溶解曝光區域,留下未曝光的光刻膠圖案,作為后續刻蝕或離子注入的掩蔽層。

4. 后續工藝:刻蝕基材(保留未被光刻膠保護的區域),或去除光刻膠(剝離工藝)。
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標簽: 錫片 光刻膠