吉田半導體助力區(qū)域經濟，構建半導體材料生態(tài)圈，發(fā)揮企業(yè)作用，吉田半導體聯(lián)合上下游資源，推動東莞松山湖半導體產業(yè)協(xié)同創(chuàng)新。
作為松山湖產業(yè)集群重要成員，吉田半導體聯(lián)合光刻機制造商、光電子企業(yè)共建材料生態(tài)圈。公司通過技術輸出與資源共享，幫助本地企業(yè)提升工藝水平，促進產業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。例如，與華中科技大學合作研發(fā)的 T150A KrF 光刻膠，極限分辨率 120nm，工藝寬容度優(yōu)于日本信越同類產品，已實現(xiàn)量產并出口東南亞，為區(qū)域經濟發(fā)展注入新動能。水性感光膠推薦吉田 JT-1200，精細網(wǎng)點 + 易操作性！湖南LED光刻膠
作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業(yè)，廣東吉田半導體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產品研發(fā)與生產全流程。公司位于東莞松山湖產業(yè)集群，依托區(qū)域產業(yè)鏈優(yōu)勢，持續(xù)推出符合國際環(huán)保標準的半導體材料解決方案。
公司在錫膏、焊片等產品中采用無鹵無鉛配方，嚴格遵循 RoHS 指令要求，避免使用有害物質。以錫膏為例，其零鹵素配方通過第三方機構認證，不僅減少了電子產品廢棄后的環(huán)境負擔，還提升了焊接可靠性，適用于新能源汽車、精密電子設備等領域。同時，納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產過程中，公司通過優(yōu)化原料配比，減少揮發(fā)性有機物（VOCs）排放，確保產品符合歐盟 REACH 法規(guī)。
陜西阻焊油墨光刻膠國產廠商吉田半導體實現(xiàn)光刻膠技術突破，為半導體產業(yè)鏈自主化提供材料支撐。
光刻膠系列：
厚板光刻膠 JT - 3001，具備優(yōu)異分辨率、感光度和抗深蝕刻性能，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年；
水油光刻膠 SR - 3308，容量 5L；SU - 3 負性光刻膠，分辨率優(yōu)異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應，重量 100g；
液晶平板顯示器負性光刻膠 JT - 1000，有 1L 裝和 100g 裝兩種規(guī)格，分辨率高，準確性和穩(wěn)定性好；
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g；
LCD 正性光刻膠 YK - 200，具有較大曝光、高分辨率、良好涂布和附著力，重量 100g；
半導體正性光刻膠 YK - 300，具備耐熱耐酸、耐溶劑性、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g；
耐腐蝕負性光刻膠 JT - NF100，重量 1L。
? 化學反應：
? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；
? 負性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結構。
5. 顯影（Development）
? 顯影液：
? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域；
? 負性膠：有機溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域。
? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導體），時間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。
6. 后烘（Post-Bake）
? 目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。
? 條件：
? 溫度：100-150℃（半導體用正性膠可能更高，如180℃）；
? 時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）。
7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）
? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；
? 離子注入：膠膜保護未曝光區(qū)域，使雜質離子只能注入曝光區(qū)域（半導體摻雜工藝）。
8. 去膠（Strip）
? 方法：
? 濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；
? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導體領域，無殘留）。
光刻膠廠家推薦吉田半導體，23 年研發(fā)經驗，全自動化生產保障品質!
市場拓展
? 短期目標：2025年前實現(xiàn)LCD光刻膠國內市占率10%，半導體負性膠進入中芯國際、華虹供應鏈，納米壓印膠完成臺積電驗證。
? 長期愿景：成為全球的半導體材料方案提供商，2030年芯片光刻膠營收占比超40%，布局EUV光刻膠和第三代半導體材料。
. 政策與產業(yè)鏈協(xié)同
? 受益于廣東省“強芯工程”和東莞市10億元半導體材料基金，獲設備采購補貼（30%）和稅收減免，加速KrF/ArF光刻膠研發(fā)。
? 與松山湖材料實驗室、華為終端建立聯(lián)合研發(fā)中心，共同攻關光刻膠關鍵技術，縮短客戶驗證周期（目前平均12-18個月）。
. 挑戰(zhàn)與應對
? 技術壁壘：ArF/EUV光刻膠仍依賴進口，計劃2026年建成中試線，突破分辨率和靈敏度瓶頸（目標曝光劑量<10mJ/cm2）。
? 供應鏈風險：部分原材料（如樹脂）進口占比超60%，正推進“國產替代計劃”，與鼎龍股份、久日新材建立戰(zhàn)略合作為原材料供應。
PCB光刻膠國產化率超50%。陜西阻焊油墨光刻膠國產廠商
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“設備-材料-工藝”閉環(huán)驗證
吉田半導體與中芯國際、華虹半導體等晶圓廠建立了聯(lián)合研發(fā)機制，針對28nm及以上成熟制程開發(fā)專門使用光刻膠，例如其KrF光刻膠已通過中芯國際北京廠的產線驗證，良率達95%以上。此外，公司參與國家重大專項（如02專項），與中科院微電子所合作開發(fā)EUV光刻膠基礎材料，雖未實現(xiàn)量產，但在酸擴散控制和靈敏度優(yōu)化方面取得階段性突破。
政策支持與成本優(yōu)勢
作為廣東省專精特新企業(yè)，吉田半導體享受稅收優(yōu)惠（如15%企業(yè)所得稅）和研發(fā)補貼（2023年獲得國家補助超2000萬元），比較明顯降低產品研發(fā)成本。同時，其本地化生產（東莞松山湖基地）可將物流成本壓縮至進口產品的1/3，并實現(xiàn)48小時緊急訂單響應，這對中小客戶具有吸引力。
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