整個(gè)控制板由五個(gè)模塊構(gòu)成：電源模塊、采樣及A/D轉(zhuǎn)換模塊、DSP控制模塊、PWM輸出模塊、驅(qū)動(dòng)電路模塊。數(shù)字控制電路中任何一個(gè)芯片的工作都離不開電源，其中DSP芯片和A/D芯片對(duì)電源的要求很高，電源發(fā)生過電壓、欠電壓、功率不夠或電壓波動(dòng)等都可能導(dǎo)致芯片不能正常工作甚至損壞。對(duì)于任何一個(gè)PCB板，電源模塊設(shè)計(jì)的好壞都直接影響著整個(gè)控制板工作的穩(wěn)定。在設(shè)計(jì)電源模塊的時(shí)候，不僅要為整個(gè)控制板提供其所需要的所有幅值的電壓，還要保證每一個(gè)幅值的電壓值穩(wěn)定、紋波小，必要時(shí)須電氣隔離，并且電源模塊須功率足夠。有兩種主要類型的電壓傳感器: 電容式電壓傳感器和電阻式電壓傳感器。蘇州磁調(diào)制電壓傳感器價(jià)錢

    一、我國新型儲(chǔ)能行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀發(fā)展速度：截至2023年底，我國新型儲(chǔ)能項(xiàng)目累計(jì)裝機(jī)規(guī)模達(dá)，占全球總規(guī)模的30%。其中，鋰離子電池在新型儲(chǔ)能中占***份額，達(dá)。技術(shù)成熟：自2019年以來，新型儲(chǔ)能以年均超一倍的增速發(fā)展，2023年底累計(jì)裝機(jī)規(guī)模***突破30吉瓦，顯示出技術(shù)的快速成熟和市場(chǎng)的快速擴(kuò)張。二、我國新型儲(chǔ)能行業(yè)面臨的問題產(chǎn)能預(yù)期過剩：2023年儲(chǔ)能型鋰電池產(chǎn)能利用率約50%，新增儲(chǔ)能電池產(chǎn)能超過1太瓦，遠(yuǎn)超市場(chǎng)需求。隨著技術(shù)成本快速下降，儲(chǔ)能行業(yè)利潤(rùn)率持續(xù)下滑，2023年底行業(yè)景氣度**為，同比下降，這不利于企業(yè)的長(zhǎng)期發(fā)展和技術(shù)創(chuàng)新。市場(chǎng)調(diào)節(jié)機(jī)制不完善：電力價(jià)格機(jī)制仍不完善，儲(chǔ)能的電量與容量?jī)r(jià)值無法有效體現(xiàn)。約20多個(gè)省份發(fā)布了新能源配置儲(chǔ)能政策，但缺乏成熟的盈利模式，導(dǎo)致配儲(chǔ)使用效率低、收益差。貿(mào)易保護(hù)主義的影響：全球可再生能源目標(biāo)提升，但逆全球化浪潮使得我國儲(chǔ)能企業(yè)面臨出口不確定性。隨著歐美地區(qū)貿(mào)易保護(hù)主義抬頭，我國儲(chǔ)能產(chǎn)品出口受到影響，特別是在電芯等**部件的市場(chǎng)份額方面。三、促進(jìn)我國新型儲(chǔ)能行業(yè)**發(fā)展的對(duì)策科學(xué)規(guī)劃引導(dǎo)儲(chǔ)能布局：各地主管部門應(yīng)根據(jù)新能源裝機(jī)容量、配套電網(wǎng)規(guī)劃等因素，科學(xué)測(cè)算儲(chǔ)能建設(shè)規(guī)模需求。佛山磁調(diào)制電壓傳感器哪家便宜傳感器是能夠感知或識(shí)別特定類型的電信號(hào)或光信號(hào)并對(duì)其作出反應(yīng)的裝置。

本項(xiàng)目逆變橋臂上有4個(gè)開關(guān)管，對(duì)應(yīng)需要四個(gè)**的驅(qū)動(dòng)電路。可選用的驅(qū)動(dòng)電路有很多種，以驅(qū)動(dòng)電路和IGBT的連接方式可以將驅(qū)動(dòng)電路分為直接驅(qū)動(dòng)、隔離驅(qū)動(dòng)和集成化驅(qū)動(dòng)。在此我們采用集成化驅(qū)動(dòng)，因?yàn)橄鄬?duì)于分立元件構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路，集成化驅(qū)動(dòng)電路集成度更高、速度快、抗干擾強(qiáng)、有保護(hù)功能模塊，并且也減小了設(shè)計(jì)的難度[25]。**終選用集成驅(qū)動(dòng)電路M57962，如圖4-3和4-4所示為M57962L驅(qū)動(dòng)電路和驅(qū)動(dòng)信號(hào)放大效果圖。M57962 是 N 溝道大功率 IGBT 驅(qū)動(dòng)電路，可以驅(qū)動(dòng) 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器實(shí)現(xiàn)電氣隔離，輸入輸出隔離電壓高達(dá) 2500V。

對(duì)于前端儲(chǔ)能電容還需要考慮的參數(shù)是其耐壓值，直流母線上電壓峰值為373v，留一定裕量，可以選擇耐壓值為500v的電解電容作為儲(chǔ)能電容。在電力電子變換和控制電路中，都是以各種電力半導(dǎo)體器件為基礎(chǔ)的。我們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，也有很多可供選擇的電力半導(dǎo)體器件，BJT、MOSFET、GTO、GTR、IGBT等。但是每種元件都有其自身特點(diǎn)以及**適合應(yīng)用場(chǎng)合。例如MOSFET開關(guān)頻率高，動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度快，但其電流容量相對(duì)小，耐壓能力低，適用于低功率、高頻的場(chǎng)合[13][14]。門級(jí)可關(guān)斷晶閘管具有自關(guān)斷能力、電流容量大、耐壓能力好，適用于大功率逆變場(chǎng)合。IGBT的性能相對(duì)來說是介于兩者之間，有較高的工作頻率（20K以上），有較大的電流容量和較好的耐壓能力。在本實(shí)驗(yàn)中，裝置的功率在10kW以下，頻率在20K以下可以滿足要求，故而綜合考慮選用全控、壓控型器件IGBT作為開關(guān)管。電壓傳感器的輸入是電壓本身，輸出可以是模擬電壓信號(hào)、開關(guān)、可聽信號(hào)、模擬電流電平。

削去原有電源系統(tǒng)紋波的補(bǔ)償方案有三種：注入、吸收、少則注入多則吸收。是單方向的向磁體注入電流，填補(bǔ)紋波，將整體的電流修正到紋波很低的水平。從磁體中吸收電流，是削波的方式將紋波中和得到紋波更小的電流。前兩種方案的綜合，將高于設(shè)定值得電流吸收、低于設(shè)定值的電流則進(jìn)行補(bǔ)償，電流的供應(yīng)室雙向的，即積存在注入也存在吸收。由于磁體電源系統(tǒng)中三套電源是各自**向磁體供電的，所以補(bǔ)償電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)業(yè)可以**進(jìn)行。由上述補(bǔ)償方案可見，補(bǔ)償電源只需要補(bǔ)償原供電系統(tǒng)中紋波部分，所以補(bǔ)償電源容量較小，可以直接從電網(wǎng)中取電進(jìn)行AC/DC變換。補(bǔ)償電路原理圖如圖2-3所示B1為三相工頻整流橋，C0為儲(chǔ)能電容器，B2為IGBT逆變橋，TM為高頻變壓器，B3為高頻整流橋。Lf和Cf構(gòu)成輸出濾波器，Cp為補(bǔ)償電容，Lp為濾波電感，DCCT為高精度零磁通電流傳感器。第一種是**簡(jiǎn)單的方法，即向由傳感器和參考電阻組成的電阻分壓器電路提供電壓。北京循環(huán)測(cè)試電壓傳感器發(fā)展現(xiàn)狀

而折射兩光波之間的相位差與外施電壓成正比。蘇州磁調(diào)制電壓傳感器價(jià)錢

圖3-3所示一次為開關(guān)管1（**超前橋臂）的驅(qū)動(dòng)波形和電壓波形，圖中橫縱坐標(biāo)分別為時(shí)間和電壓值。開通過程：由圖可見當(dāng)開關(guān)驅(qū)動(dòng)波形由低電平變?yōu)楦叩颓埃_關(guān)管兩端的電壓已經(jīng)為0，故而開關(guān)管的開通是零電壓開通。關(guān)斷過程：由于開關(guān)并聯(lián)有諧振電容，在關(guān)斷開關(guān)管時(shí)，開關(guān)管端電壓不會(huì)突變，而是隨著諧振電容緩慢上升，故而開關(guān)管的關(guān)斷是軟關(guān)斷。圖3-4所示為開關(guān)管4（**滯后橋臂）的驅(qū)動(dòng)波形和電壓波形，圖中橫縱坐標(biāo)分別為時(shí)間和電壓值。同超前橋臂上開關(guān)管一樣，滯后橋臂上開關(guān)管實(shí)現(xiàn)了零開通和軟關(guān)斷。在參數(shù)調(diào)試過程中，滯后橋臂的軟開關(guān)對(duì)參數(shù)更加敏感。諧振電容值過大或者諧振電感值過小可能就無法滿足滯后橋臂上開關(guān)管的零開通。蘇州磁調(diào)制電壓傳感器價(jià)錢