特點：1、芯片與底板電氣絕緣。2、國際標準封裝。3、全壓接結構，優良的溫度特性和功率循環能力。4、350A以下模塊皆為強迫風冷，400A以上模塊既可選用風冷，也可選用水冷。5、安裝簡單，使用維修方便典型應用：1、交直流電機控制。2、各種整流電源。3、工業加熱控制。4、調光。5、無觸點開關。6、電機軟起動。7、靜止無功補償。8、電焊機。9、變頻器。10、UPS電源。11、電池充放電，淄博正高電氣有限公司有10多年功率半導體元器件制造經驗，是專業從事功率半導體器件的研發、封裝、測試、銷售、技術服務為一體的****，多年來一直從事冶金自動化和鐵路電氣化領域的國產化工作。我公司的電力半導體器件有：全系列功率模塊，普通整流管(ZP)，快速整流管(ZK)，軟恢復快速整流管(FRD)，旋轉整流管(ZX)，大功率組合整流元件，普通晶閘管(KP)，快速晶閘管(KK)，雙向晶閘管(KS)，逆導晶閘管(KN)，可關斷晶閘管(GTO)，電力晶體管(GTR)發電機旋轉勵磁整流組件，各種功率單元。這些元件廣泛應用于電化學電源，充電電源，電機調速，感應加熱及熱處理等各種整流、逆變和變頻領域。我公司所生產的電力電子器件成功的替代了多種進口器件，實現了自動軋機原器件的國產化。淄博正高電氣產品**國內。萊蕪恒壓晶閘管移相調壓模塊生產廠家

措施：在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯適當電容，就可以減小這種過電壓。與整流器并聯的其它負載切斷時，因電源回路電感產生感應電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時，初級拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級感生出很高的瞬時電壓，這種電壓尖峰值可達工作電壓的6倍以上。交流電網遭雷擊或電網侵入干擾過電壓，即偶發性浪涌電壓，都必須加阻容吸收路進行保護。直流側過電壓及保護當負載斷開時或快熔斷時，儲存在變壓器中的磁場能量會產生過電壓，顯然在交流側阻容吸收保護電路可以這種過電壓，但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進行保護。過電流保護一般加快速熔斷器進行保護，實際上它不能保護可控硅，而是保護變壓器線圈。電壓、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好，很容易燒壞元件。為了解決均流問題，過去加均流電抗器，噪聲很大，效果也不好，一只一只進行對比，擰螺絲松緊，很盲目，效果差，噪音大，耗能。我們采用的辦法是：用計算機程序軟件進行動態參數篩選匹配、編號，裝配時按其號碼順序裝配，很間單。每一只元件上都刻有字，以便下更換時參考。這樣能使均流系數可達到。上海進口晶閘管移相調壓模塊型號淄博正高電氣公司自成立以來，一直專注于對產品的精耕細作。

可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了的應用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。如何鑒別可控硅模塊的三個極鑒別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅模塊是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電。淄博正高電氣品質好、服務好、客戶滿意度高。

D1、D2整流，C2濾波，DW穩壓后，獲得9V左右的電壓供IC用。室溫下接通電源，因已調V2《Vz、V6《Vf，IC③腳為高電位，BCR被觸發導通，電熱絲通電發熱，溫度逐漸升高。熱敏傳感器BG1隨溫度的升高，其穿透電流Iceo增大，V2、V6升高。當V2》Vz，V6≥Vf時，IC翻轉，③腳變為低電位，BCR截止郵電局熱絲停止發熱，溫度開始逐漸下降，BG1的Iceo隨之逐漸減小，V2、V6降低。當V6《Vf，V2≤Vz時，IC③腳回到高電位，BCR又被觸發導通，電熱絲又開始發熱。實踐證明，調節RP2使V2=1/2V6時，溫差為零；而V2=V6時大。元件選擇：BG1可選用3AX、3AG等PNP型鍺管；BCR用400V以上小型塑封雙向可控硅，其它元件可按圖標選用。制作要點：熱敏傳感器BG1可用耐溫的細軟線引出，并將其連同管腳接頭裝入一電容器鋁殼內，注入導熱硅脂，制成溫度探頭。使用時，把該探頭放在適當部位即可。13：安全省電的按鍵式床頭燈一盞延時式床頭燈，對于許多讀者在夜晚使用是很方便的。本文介紹的按鍵式床頭燈能安全和方便的要求，電路原理如下圖所示。該床頭燈由節電型單穩態電路和亮度可控照明燈兩部分組成。兩部分靠光電耦合器耦合，電氣部分完全單獨，使用十分安全。當K1斷開時，VT1截止，其集電極電壓為0V。淄博正高電氣具有一支經驗豐富、技術力量過硬的專業技術人才管理團隊。日照恒壓晶閘管移相調壓模塊配件

淄博正高電氣累積點滴改進，邁向優良品質！萊蕪恒壓晶閘管移相調壓模塊生產廠家

T1管由截止變為導通，于是電容C通過T1管的e、b1結和R2迅速放電，結果在R2上獲得一個尖脈沖。這個脈沖作為控制信號送到可控硅SCR的控制極，使可控硅導通。可控硅導通后的管壓降很低，一般小于1V，所以張弛振蕩器停止工作。當交流電通過零點時，可控硅自關斷。當交流電在負半周時，電容C又從新充電……如此周而復始，便可調整負載RL上的功率了。2：元器件選擇調壓器的調節電位器選用阻值為470KΩ的WH114-1型合成碳膜電位器，這種電位器可以直接焊在電路板上，電阻除R1要用功率為1W的金屬膜電阻外，其佘的都用功率為1/8W的碳膜電阻。D1—D4選用反向擊穿電壓大于300V、大整流電流大于，如2CZ21B、2CZ83E、2DP3B等。SCR選用正向與反向電壓大于300V、額定平均電流大于1A的可控硅整流器件，如國產3CT12：電熱毯溫控器市售電熱毯一般有高、低兩個溫度檔。使用時，撥在高溫檔，入睡后總被熱醒；撥在低溫檔，有時醒來會覺得熱度不夠。為此，筆者制作了這種電熱毯溫控器，它可以把電熱毯的溫度控制在一個適宜的范圍內。工作原理：IC為NE555時基電路；RP3為溫度調節電位器，其滑動臂電位決定IC的觸發電位V2和閾電位Vf，且V5=Vf=2Vz。220V交流電壓經C1、R1限流降壓。萊蕪恒壓晶閘管移相調壓模塊生產廠家

淄博正高電氣有限公司坐落于稷下街道閆家路11號南院，是集設計、開發、生產、銷售、售后服務于一體，電子元器件的生產型企業。公司在行業內發展多年，持續為用戶提供整套可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊的解決方案。本公司主要從事可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊領域內的可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊等產品的研究開發。擁有一支研發能力強、成果豐碩的技術隊伍。公司先后與行業上游與下游企業建立了長期合作的關系。依托成熟的產品資源和渠道資源，向全國生產、銷售可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊產品，經過多年的沉淀和發展已經形成了科學的管理制度、豐富的產品類型。淄博正高電氣有限公司以先進工藝為基礎、以產品質量為根本、以技術創新為動力，開發并推出多項具有競爭力的可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊產品，確保了在可控硅模塊，晶閘管模塊，可控硅智能模塊，晶閘管智能模塊市場的優勢。