加在控制極G上的觸發脈沖的大小或時間改變時，就能改變其導通電流的大小。雙向可控硅模塊與單向可控硅模塊的區別是，雙向可控硅G極上觸發脈沖的極性改變時，其導通方向就隨著極性的變化而改變，從而能夠控制交流電負載。而單向可控硅經觸發后只能從陽極向陰極單方向導通，所以可控硅有單雙向之分。雙向可控硅模塊按象限來分，又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅；按封裝分，分為一般半塑封裝、外絕緣式全塑封裝；按觸發電流來分，分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發型；按電壓分，常規電壓品種、高壓品種。可控硅模塊由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發展，并已形成了一門單獨的學科。可控硅模塊發展到現在，在工藝上已經非常成熟，品質更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發展。可控硅模塊在應用電路中的作用體現在：可控整流：如同二極管整流一樣，將交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現交流→可變直流之轉變；無觸點功率靜態開關（固態開關）：作為功率開關元件，可控硅模塊可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。淄博正高電氣公司在多年積累的客戶好口碑下，不但在產品規格配套方面占據優勢。浙江三相晶閘管調壓模塊哪家好

所以脈沖寬度下應小于300μs，通常取1ms，相當廣50Hz正弦波的18電角度。二、觸發脈沖的型式要有助于可控硅觸模塊發電路導通時間的一致性對于可控硅串并聯電路，要求并聯或者串聯的元件要同一時刻導通，使兩個管子中流過的電流及或承受的電壓及相同。否則，由于元件特性的分散性，在并聯電路中使導通較早的元件超出允許范圍，在串聯電路中使導通較晚的元件超出允許范圍而被損壞，所以，針對上述問題，通常采取強觸發措施，使并聯或者串聯的可控硅盡量在同一時間內導通。三、觸發電路的觸發脈沖要有足夠的移相范圍并且要與主回路電源同步為了保證可控硅變流裝置能在給定的控制范圍內工作，必須使觸發脈沖能在相應的范圍內進行移相。同時，無論是在可控整流、有源逆變還是在交流調壓的觸發電路中，為了使每—周波重復在相同位置上觸發可控硅，觸發信號必須與電源同步，即觸發信號要與主回路電源保持固定的相位關系。否則，觸發電路就不能對主回路的輸出電壓Ud進行準確的控制。逆變運行時甚至會造成短路，而同步是由相主回路接在同一個電源上的同步變壓器輸出的同步信號來實現的。以上就是可控硅模塊觸發電路時必須滿足的三個必定條件，希望對您有所幫助。陜西交流晶閘管調壓模塊報價誠摯的歡迎業界新朋老友走進淄博正高電氣！

隨著電氣行業的不斷發展，可控硅模塊在調速、調光、調壓、調溫以及其他各種控制電路中都有它的身影。能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，并且不像繼電器那樣控制時有火花產生，而且動作快、壽命長、可靠性好。可控硅模塊又分為單向可控硅模塊和雙向可控硅模塊，它們有什么區別呢，下面可控硅模塊廠家為你講解。可控硅模塊分為單向的和雙向的，符號也不同。單向可控硅有三個pn結，由外層的p極和n極引出兩個電極，分別稱為陽極和陰極，由中間的p極引出一個控制極。然而單項的可控硅模塊具有其獨特的特性：當陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓時，它都不導通，而陽極和控制極同時接正向電壓時，它就會變成導通狀態。一旦導通，控制電壓便失去了對它的控制作用，不論有沒有控制電壓，也不論控制電壓的極性如何，將一直處于導通狀態。要想關斷，只有把陽極電壓降低到某一臨界值或者反向。雙向的可控硅模塊的引腳多數是按t1、t2、g的順序從左至右排列（電極引腳向下，面對有字符的一面時）。加在控制極g上的觸發脈沖的大小或時間改變時，就能改變其導通電流的大小。與單向的區別是，它的g極上觸發脈沖的極性改變時。

選購可控硅模塊，質量重要還是品牌重要,您在購買東西的時候是比較注重質量呢還是品牌呢？如果是在購買服裝類物品可以注重品牌，但是可控硅模塊類產品的質量問題是不容小視的，輕則損壞設備，重則會產生安全隱患。可控硅模塊類的產品質量問題比品牌重要的多。可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；具有體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發展。可控硅模塊的重點不在于它是什么牌子，而是工藝、芯片直流，和壓降大小。所以品質比牌子更重要。可控硅模塊采用德國設備工藝中國制造、體積小、重量輕、結構緊湊、重復性好、外接線簡單、反應極快，在微秒級內開通、關斷、無觸點開關、無火花、無噪音、芯片與底板絕緣、真空焊接結構、正向壓降小。選擇淄博正高電氣，就是選擇質量、真誠和未來。

軟啟動器可控硅降溫的重要性軟啟動器中可控硅模塊是比較重要的一環，所以保護好可控硅模塊能夠的延長軟啟動器的使用壽命。可控硅模塊與其它功率器件一樣，工作時由于自身功耗而發熱。如果不采取適當措施將這種熱量散發出去，就會引起模塊管芯PN結溫度急劇上升。致使器件特性惡化，直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導通損耗、開關損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應用中主要的是導通損耗。散熱器的常用散熱方式有：自然風冷、強迫風冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。正常工作情況的軟啟動器設備有，主要以熱量的形式散失在環境當中，所以我們要先解決軟啟動器工作環境的溫度問題，若工作環境的溫度過高則將危害到軟啟動器的工作，導致軟啟動器過熱保護跳閘。保證軟起動器具有良好的運行環境，須對變頻器及運行環境的溫度控制采取相應的措施。給軟啟動器預留一定的空間，定期給軟啟動器進行清灰處理，都是能夠有效降低可控硅溫度的方式。淄博正高電氣我們完善的售后服務，讓客戶買的放心，用的安心。臨沂雙向晶閘管調壓模塊批發

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怎么區分可控硅模塊的損壞緣由當可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時，可把管芯從冷卻套中取出，翻開芯盒再取出芯片，調查其損壞后的痕跡，以判別是何緣由。下面介紹幾種常見表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其方位在遠離操控極上。電壓擊穿。可控硅因不能接受電壓而損壞，其芯片中有一個光亮的小孔，有時需用擴展鏡才干看見。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開時發生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣，而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。浙江三相晶閘管調壓模塊哪家好

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