在點(diǎn)接觸型晶體管開(kāi)發(fā)成功的同時(shí)，結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后，結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年，具有使用價(jià)值的**早的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結(jié)型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場(chǎng)效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無(wú)缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長(zhǎng)技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時(shí)代進(jìn)入晶體管時(shí)代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時(shí)代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)**的半導(dǎo)體工業(yè)。電感器在電子制作中雖然使用得不是很多，但它們?cè)陔娐分型瑯又匾｜S浦區(qū)質(zhì)量電子元器件供應(yīng)商

由于社會(huì)發(fā)展的需要，電子裝置變的越來(lái)越復(fù)雜，這就要求了電子裝置必須具有可靠性、速度快、消耗功率小以及質(zhì)量輕、小型化、成本低等特點(diǎn)。自20世紀(jì)50年代提出集成電路的設(shè)想后，由于材料技術(shù)、器件技術(shù)和電路設(shè)計(jì)等綜合技術(shù)的進(jìn)步，在20世紀(jì)60年代研制成功了***代集成電路。在半導(dǎo)體發(fā)展史上。集成電路的出現(xiàn)具有劃時(shí)代的意義：它的誕生和發(fā)展推動(dòng)了銅芯技術(shù)和計(jì)算機(jī)的進(jìn)步，使科學(xué)研究的各個(gè)領(lǐng)域以及工業(yè)社會(huì)的結(jié)構(gòu)發(fā)生了歷史性變革。靜安區(qū)優(yōu)勢(shì)電子元器件設(shè)計(jì)電阻在電路中用"R"加數(shù)字表示，如：R1表示編號(hào)為1的電阻。

B 注意：測(cè)試時(shí)，特別是在測(cè)幾十kΩ以上阻值的電阻時(shí)，手不要觸及表筆和電阻的導(dǎo)電部分；被檢測(cè)的電阻從電路中焊下來(lái)，至少要焊開(kāi)一個(gè)頭，以免電路中的其他元件對(duì)測(cè)試產(chǎn)生影響，造成測(cè)量誤差；色環(huán)電阻的阻值雖然能以色環(huán)標(biāo)志來(lái)確定，但在使用時(shí)比較好還是用萬(wàn)用表測(cè)試一下其實(shí)際阻值。2 水泥電阻的檢測(cè)。檢測(cè)水泥電阻的方法及注意事項(xiàng)與檢測(cè)普通固定電阻完全相同。3 熔斷電阻器的檢測(cè)。在電路中，當(dāng)熔斷電阻器熔斷開(kāi)路后，可根據(jù)經(jīng)驗(yàn)作出判斷：若發(fā)現(xiàn)熔斷電阻器表面發(fā)黑或燒焦，可斷定是其負(fù)荷過(guò)重，通過(guò)它的電流超過(guò)額定值很多倍所致；如果其表面無(wú)任何痕跡而開(kāi)路，則表明流過(guò)的電流剛好等于或稍大于其額定熔斷值。

電子元器件在質(zhì)量方面國(guó)際上有歐盟的CE認(rèn)證，美國(guó)的UL認(rèn)證，德國(guó)的VDE和TUV認(rèn)證以及中國(guó)的CQC認(rèn)證等國(guó)內(nèi)外認(rèn)證，來(lái)保證元器件的合格。電子元器件的發(fā)展史其實(shí)就是一部濃縮的電子發(fā)展史。電子技術(shù)是十九世紀(jì)末、二十世紀(jì)初開(kāi)始發(fā)展起來(lái)的新興技術(shù)，二十世紀(jì)發(fā)展**迅速，應(yīng)用*****，成為近代科學(xué)技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要標(biāo)志。電子元器件1906年，美國(guó)發(fā)明家德福雷斯特（De Forest Lee）發(fā)明了真空三極管（電子管）。***代電子產(chǎn)品以電子管為**。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開(kāi)關(guān)電容電路等。

B 將一光源對(duì)準(zhǔn)光敏電阻的透光窗口，此時(shí)萬(wàn)用表的指針應(yīng)有較大幅度的擺動(dòng)，阻值明顯減些 此值越小說(shuō)明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無(wú)窮大，表明光敏電阻內(nèi)部開(kāi)路損壞，也不能再繼續(xù)使用。C 將光敏電阻透光窗口對(duì)準(zhǔn)入射光線，用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動(dòng)，使其間斷受光，此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)隨黑紙片的晃動(dòng)而左右擺動(dòng)。如果萬(wàn)用表指針始終停在某一位置不隨紙片晃動(dòng)而擺動(dòng)，說(shuō)明光敏電阻的光敏材料已經(jīng)損壞。電容器1 固定電容器的檢測(cè)電容器通常簡(jiǎn)稱其為電容，用字母C表示。黃浦區(qū)質(zhì)量電子元器件供應(yīng)商

而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無(wú)窮大。黃浦區(qū)質(zhì)量電子元器件供應(yīng)商

模擬集成電路是指由電阻、電容、晶體管等元件集成在一起用來(lái)處理模擬信號(hào)的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路，如集成運(yùn)算放大器、比較器、對(duì)數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、基準(zhǔn)源電路、開(kāi)關(guān)電容電路等。模擬集成電路設(shè)計(jì)主要是通過(guò)有經(jīng)驗(yàn)的設(shè)計(jì)師進(jìn)行手動(dòng)的電路調(diào)試、模擬而得到，與此相對(duì)應(yīng)的數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)大部分是通過(guò)使用硬件描述語(yǔ)言在EDA軟件的控制下自動(dòng)的綜合產(chǎn)生。黃浦區(qū)質(zhì)量電子元器件供應(yīng)商

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