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不控整流電路是由無控制功能的整流二極管組成的整流電路。當輸入交流電壓一定時，在負載上得到的直流電壓是不能調節的電路。它利用整流二極管的單向導電性能把外加交流電壓變為直流電壓。對于理想情況，即整流二極管既無慣性又無損耗，因為二極管的開通和關斷只需幾微秒，對于50...

這在高溫下尤為嚴重，在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個RC緩沖電路來限制VD/DT，或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關于連續峰值開路電壓VDRM在電源不正常的情況下，可控硅(晶閘管)兩端的電壓會超過連續峰值開路電壓VDRM的最大值，此時可控硅(晶閘管)...

可控整流：與整流器件構成調壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調**流調壓：通過控制晶閘管的導通角來調節交流電壓的大小。無觸點電子開關：在電路中起到可控電子開關的作用，控制電路的接通和斷開。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關鍵器件使用。五、設計注意事項在晶閘管的...

可控硅(SCR是可控硅整流器的簡稱。可控硅有單向、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優點，被***用于可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合。單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部...

在變壓器的設計中，銅和鐵的用量可以均衡考慮。因為一旦變壓器的容量確定了，電流就確定了，導線的粗細也就確定了，增大匝數W，磁通Φ就可以小一些，鐵芯的截面積就可以小一些，但是要把這些匝數繞進去，鐵芯的窗口要大一些；相反，減小匝數W，磁通Φ就要大一些，鐵芯的截面積要...

在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極比較大額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵極—發射極間開...

性能的差別將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅良好。...

Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來...

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子...

由此可見,交流電壓通過二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動的。一般負載需要供給平滑的直流電壓，因此在整流元件與負載之間常接有濾波器。濾波器對整流電流的直流分量無扼流作用，而對交流分量的感抗很大。這樣，就能在負載上得到平直的直流電壓Ud，其數值等于脈動電壓...

該電子為p+n-p晶體管的少數載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進行電導率調制（雙極工作），所以可以降低集電極－發射極間飽和電壓。在發射極電極側形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續流動，直到輸出側停...

橋式電路的特點是整流橋中有兩組：共陰極組和共陽極組，兩組共同串聯到負載上，因此適宜在高電壓、小電流情況下運行。如果電源大小合適，可不用變壓器。在低電壓、大電流情況下運行應是兩組三相半波電路的并聯結線（圖2d）。并聯后，利用變壓器繞組的適當連接，消除了直流磁化，...

fsw max. : 比較高開關頻率IoutAV :單路的平均電流QG : 門極電壓差時的 IGBT門極總電荷RG extern : IGBT 外部的門極電阻RG intern : IGBT 芯片內部的門極電阻但是實際上在很多情況下，數據手冊中這個門極電荷參數...

當運行點到達控制范圍的**右端，節點電壓進一步升高后將不能由控制系統來補償，因為TCR的電抗器已經處于完全導通狀態，所以運行點將沿著對應電抗器全導通(α=90°)的特性曲線向上移動，此時補償器運行在過負荷范圍，超過此范圍后，觸發控制將設置～個電流極限以防止晶閘...

由于整流變繞組電流是非正弦的含有很多高次諧波，為了減小對電網的諧波污染，為了提高功率因數，必須提高整流設備的脈波數，這可以通過移相的方法來解決。移相的目的是使整流變壓器二次繞組的同名端線電壓之間有一個相位移。整流變壓器***用于各類行業之中，主要分為照明、機床...

（2）動穩定程度高：產品繞組有較高的機械強度，具有較強的抗突發能力，以滿足極惡劣的負載環境。在設計、制造過程中較好地消除了變壓器漏磁引起的或非正常運輸可能造成的動不穩定源。產品具有較高的動穩定性。高抗阻，比同容量的電力變壓器的阻抗高30%，以抑制di/dt，有...

導通壓降電導調制效應使電阻RN減小，使通態壓降小。關斷當在柵極施加一個負偏壓或柵壓低于門限值時，溝道被禁止，沒有空穴注入N-區內。在任何情況下，如果MOSFET電流在開關階段迅速下降，集電極電流則逐漸降低，這是因為換向開始后，在N層內還存在少數的載流子（少子）...

若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上，可控硅的功用不僅是整流，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷...

整流橋一般帶有足夠大的電感性負載， 因此整流橋不出現電流斷續。 [1]一般整流橋應用時, 常在其負載端接有平波電抗器, 故可將其負載視為恒流源。 [2]多組三相整流橋相互連接，使得整流橋電路產生的諧波相互抵消。按整流變壓器的類型可以分為傳統的多脈沖變壓整流器和...

（五）按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。（六）過零觸發-一般是調功，即當正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發，必須是過零點才觸發，導通可控硅。（七）非過零觸發-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發導通可控硅，常見的是移相觸...

橋式電路的特點是整流橋中有兩組：共陰極組和共陽極組，兩組共同串聯到負載上，因此適宜在高電壓、小電流情況下運行。如果電源大小合適，可不用變壓器。在低電壓、大電流情況下運行應是兩組三相半波電路的并聯結線（圖2d）。并聯后，利用變壓器繞組的適當連接，消除了直流磁化，...

一種將交流電能轉變為直流電能的半導體器件。通常它包含一個PN結，有正極和負極兩個端子。二極管**重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉變為直流電的半導體器件。二...

雙向可控硅可被認為是一對反并聯連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發脈沖都...

一、結構與工作原理結構：晶閘管是由四層半導體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個電極：陽極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當陽極接正向電壓，而控制極無觸發電壓或觸發電壓不足以使內部的三極管導通時，晶閘管處于阻斷狀態，電流不能流過...

三相整流橋是將數個整流管封在一個殼內，從而構成的一個完整整流電路。當功率進一步增加或由于其他原因要求多相整流時三相整流電路就被提了出來。三相整流橋分為三相整流全橋和三相整流半橋兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器，對...

該電子為p+n-p晶體管的少數載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進行電導率調制（雙極工作），所以可以降低集電極－發射極間飽和電壓。在發射極電極側形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續流動，直到輸出側停...

⒊ 控制極觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P...

不同品牌的IGBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數手冊的推薦值附近調試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅動的功率決定，一般來說柵極電阻的總功率應至少是柵極驅動功率的2倍。IGBT柵極驅動功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅動...

四、直流輸電用這類整流變壓器的電壓一般在110kV以上，容量在數萬千伏安。需特別注意對地絕緣的交、直流疊加問題。 此外還有電鍍用或電加工用直流電源，勵磁用直流電源，充電用及靜電除塵用直流電源等。應用整流變**多的化學行業中，大功率整流裝置也是二次電壓低，電流...

(2) 認真核對變壓器基礎橫、縱軸線尺寸及預埋管位置，并與圖紙所給尺寸核對，無誤后方可進行下一步工作。2.2 變壓器開箱檢查(1) 變壓器到貨后開箱檢查時，應會同業主、監理及廠家的有關人員一同檢查。(2) 在卸車前測量和記錄沖擊記錄器的沖擊值，這個數值應小于3...