三相整流橋是將數個整流管封在一個殼內,從而構成的一個完整整流電路。當功率進一步增加或由于其他原因要求多相整流時三相整流電路就被提了出來。三相整流橋分為三相整流全橋和三相整流半橋兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器,對...
當控制極G接收到觸發信號時,晶閘管會從截止狀態轉變為導通狀態。值得注意的是,一旦晶閘管導通,即使控制極信號消失,只要陽極和陰極間維持著正向電壓,它將繼續保持導通狀態,直到陽極電流降至維持電流以下或陽極出現反向偏置時,才會重新回到截止狀態。二、應用領域晶閘管模塊...
在使用IGBT的場合,當柵極回路不正常或柵極回路損壞時(柵極處于開路狀態),若在主回路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止此類故障,應在柵極與發射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時,應十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態和擰緊程...
有些驅動器只有一個輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯一個電阻和二極管的串聯網絡,用以調節2個方向的驅動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅動引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IG...
移相全橋 PWM DC/DC 變換器基本的全橋電路結構基本的 DC/DC 全橋變換器由全橋逆變器和輸出整流濾波電路構成,右圖 顯示了PWM DC/DC 全橋變換器的電路基本拓撲結構及主要波形。Vin是直流輸入電壓,Q1&D1~Q4&D4構成變換器的兩個橋臂,高...
晶閘管(Thyristor)是一種半導體器件,廣泛應用于電力電子領域。它的主要功能是控制電流的開關,能夠在高電壓和大電流的條件下穩定工作。晶閘管的基本結構由四層半導體材料(P-N-P-N結構)組成,具有三個PN結。晶閘管的工作原理是,當施加一個觸發信號到其門極...
這時,即使輸入觸發信號,可控硅也不能工作。反過來,Ea接成正向,而觸動發信號是負的,可控硅也不能導通。另外,如果不加觸發信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導通,但已屬于非正常工作情況了??煽毓柽@種通過觸發信號(小的觸發電流)來控制導通(可控硅中通...
由此可見,交流電壓通過二極管的整流作用所得到的直流電壓ud是脈動的。一般負載需要供給平滑的直流電壓,因此在整流元件與負載之間常接有濾波器。濾波器對整流電流的直流分量無扼流作用,而對交流分量的感抗很大。這樣,就能在負載上得到平直的直流電壓Ud,其數值等于脈動電壓...
晶閘管模塊:現代電力電子技術的關鍵器件在當今的電力電子技術領域,晶閘管模塊作為一種關鍵的功率半導體器件,扮演著舉足輕重的角色。它不僅在整流、調壓、逆變等電力轉換過程中發揮著重要作用,還在眾多工業應用領域中展現了其獨特的價值和優勢。本文將深入探討晶閘管模塊的基本...
可控硅導通條件:一是可控硅陽極與陰極間必須加正向電壓,二是控制極也要加正向電壓。以上兩個條件必須同時具備,可控硅才會處于導通狀態。另外,可控硅一旦導通后,即使降低控制極電壓或去掉控制極電壓,可控硅仍然導通。 可控硅關斷條件:降低或去掉加在可控硅陽極至陰極之間的...
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。實際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷...
鑒于尾流與少子的重組有關,尾流的電流值應與芯片的溫度、IC 和VCE密切相關的空穴移動性有密切的關系。因此,根據所達到的溫度,降低這種作用在終端設備設計上的電流的不理想效應是可行的,尾流特性與VCE、IC和 TC有關。柵射極間施加反壓或不加信號時,MOSFET...
表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區隨著柵極驅動電路的變化而變化,因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當的正向柵壓。并且在...
IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時,漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ,...
單向可控硅和雙向可控硅,都是三個電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(...
通常,小規模的ipm的特點在于其引線框架技術。穿孔銅板用作功率開關和驅動ic的載體。通過一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進行散熱。 用于中高功率應用的ipm模塊的設計特點是將模塊分為兩個層次。功率半導體在底部,驅動器和保護電路在上部。本領域內名氣比較大的ipm是賽...
結構特點(1)鐵芯:采用30Q130高導磁硅鋼片,同時采用選進的3~6級step-lap core stacking步進多級疊片方式,有較降低了空載損耗、空載電流和噪聲。(2)繞組:電磁線采用了高導電率的無氧銅導線,繞組采用園筒式、雙餅式和新型螺旋式等結構的整...
(4)過載能力強:產品具有較強的過負載能力和過電壓能力,可在額定負載情況下長期安全運行,可在110%過電壓情況下滿負載長期安全運行(環境溫度40℃);變壓器與電機相聯的端子上能承受1.5倍額定電流,歷時5S。產品設計、制造充分考慮負載特性,從溫升、絕緣性能及附...
(3)器身:器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐,使繞組的端部的支撐面積達到95%以上,進一步提高了產品抗短路能力,提高產品的運行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結構,克服了器身“懸空”和“頂蓋”現象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞,...
變壓器的設計一般只看額定容量,而不看額定功率,因為其電流只與額定容量有關。對于電壓源型變頻器,由于其輸入功率因數接近于1,所以額定容量與額定功率幾乎相等。電流源型變頻器則不然,其輸入側變壓器功率因數**多等于負載異步電機的功率因數,所以對于相同的負載電機,其額...
5. ih:**小維持電流在室溫下,控制極開路、晶閘管被觸發導通后,維持導通狀態所必須的**小電流。一般為幾十到一百多毫安。 6. ug、ig:控制極觸發電壓和電流 在室溫下, 陽極電壓為直流 6v 時,使晶閘管完全導通所必須的**小控制極直流電壓、電流 ...
晶閘管模塊:現代電力電子技術的關鍵器件在當今的電力電子技術領域,晶閘管模塊作為一種關鍵的功率半導體器件,扮演著舉足輕重的角色。它不僅在整流、調壓、逆變等電力轉換過程中發揮著重要作用,還在眾多工業應用領域中展現了其獨特的價值和優勢。本文將深入探討晶閘管模塊的基本...
2、轉移驅動器的功率損耗電容電感都是無功元件,如果沒有柵極電阻,驅動功率就將絕大部分消耗在驅動器內部的輸出管上,使其溫度上升很多。3、調節功率開關器件的通斷速度柵極電阻小,開關器件通斷快,開關損耗?。环粗畡t慢,同時開關損耗大。但驅動速度過快將使開關器件的電壓和...
三相全波整流橋不需要輸入電源的零線(中性線)。整流橋堆一般用在全波整流電路中。全橋是由6只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構成的,右圖為其外形。全橋的正向電流有5A、10A、20A、35A、50A等多種規格,耐壓值(比較高反向電壓)有50V、...
冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷:如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認為Cin=4.5Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [...
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優點。在自動控制系統中,可作為大功率驅動器件,實現用小功率控件控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動...
IGBT功率模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,其產品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于...
跨越施工前應由技術負責人按線路施工圖中交叉跨越點斷面圖,對跨越點交叉角度、被跨越不停電電力線路架空地線在交叉點的對地高度、下導線在交叉點的對地高度、導線邊線間寬度、地形情況進行復測。根據復測結果,選擇跨越施工方案。(1) 跨越不停電電力線,在架線施工前,施工單...
一個有趣的趨勢是將標準模塊升級為ipm。可直接或使用帶驅動電路(通過彈簧連接)的適配器板來進行升級。賽米控的skypertm驅動器是這方面理想的產品。 2、集成子系統 所有這些ipm的共同點是真實的“智能”,即將設定點值轉換成驅動脈沖序列的控制器不包含在模...
整流電路常用整流電路為單相半波、單相全波、三相半波、三相全波(Y或△)橋式、三相曲折式(Zo形)、六相Y形(中點接線)、六相叉形(又曲折形)、六相Y形并聯橋式(帶平衡電抗器)、六相△Y形串聯橋式、十二相四曲折形帶平衡電抗器、六相Y形或△形式、六相(十二、二十四...