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三相整流橋是將數個整流管封在一個殼內，從而構成的一個完整整流電路。當功率進一步增加或由于其他原因要求多相整流時三相整流電路就被提了出來。三相整流橋分為三相整流全橋和三相整流半橋兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器，對...

2010年，中國科學院微電子研究所成功研制國內***可產業化IGBT芯片，由中國科學院微電子研究所設計研發的15-43A /1200V IGBT系列產品（采用Planar NPT器件結構）在華潤微電子工藝平臺上流片成功，各項參數均達到設計要求，部分性能優于國外...

90年代中期，溝槽柵結構又返回到一種新概念的IGBT，它是采用從大規模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術實現的新刻蝕工藝，但仍然是穿通(PT)型芯片結構。[4]在這種溝槽結構中，實現了在通態電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。硅芯片的重直結構也得到了急...

IGBT功率模塊采用IC驅動，各種驅動保護電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術，從復合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展，其產品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于...

雙向可控硅可被認為是一對反并聯連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2， 一個門極G， 門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發導通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負觸發脈沖都...

目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經獲得實際應用，日本東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產廠商不...

一、電化學工業這是應用整流變**多的行業，電解有色金屬化合物以制取鋁、鎂、銅及其它金屬；電解食鹽以制取氯堿；電解水以制取氫和氧。二、牽引用直流電源用于礦山或城市電力機車的直流電網。由于閥側接架空線，短路故障較多，直流負載變化輻度大，電機車經常起動，造成不同程度...

觸發電壓范圍一般為 1.5V-3V 左右，觸發電流為 10mA-幾百 mA 左右。峰值觸發 電壓不宜超過10V，峰值觸發電流也不宜超過 2A。A、K 間導通壓降為 1-2V [1]。雙向可控硅單向可控硅的工作原理圖雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙...

右圖給出三相橋式不控整流電路示意圖，變壓器一次側繞組為三角形連接，二次側繞組為星形連接。六個整流二極管按其導通順序排列，VD1、VD3、VD5三個二極管構成共陰極三相半波整流，VD2、VD4、VD6三個二極管構成共陽極三相半波整流，電感L和電阻R串聯成阻感負載...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環放大，直到BG1、BG2完全導通。實際這一過程是“一觸即發”的過程，對可控硅來說，觸發信號加入控制極，可控硅立即導通。導通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經觸發導通后，...

2．變壓器設計的基本問題是什么？變壓器設計的基本問題是磁通和電流密度。變壓器的電流與容量成正比，電流密度的大小（即導線的粗細）按照導體的發熱量來考慮。對于磁通，電磁學的基本關系式為u=4.44fwΦ，其中u為電壓；f為頻率，在這里為50Hz，定值；w為線圈的匝...

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅...

可控整流：與整流器件構成調壓電路，使整流電路輸出電壓具有可調**流調壓：通過控制晶閘管的導通角來調節交流電壓的大小。無觸點電子開關：在電路中起到可控電子開關的作用，控制電路的接通和斷開。逆變及變頻：在逆變和變頻電路中作為關鍵器件使用。五、設計注意事項在晶閘管的...

有些驅動器只有一個輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯一個電阻和二極管的串聯網絡，用以調節2個方向的驅動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅動引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IG...

由于IGBT模塊為MOSFET結構，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。 因此使用中要注意以下幾點：1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅動端子...

圖1（a）所示為一個N 溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+ 區稱為源區，附于其上的電極稱為源極。N基 區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P 型區（包括P+ 和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝...

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態下斷開G極，指針應指示幾十歐至一百歐，此時可控硅已被觸發，且觸發電壓低（或觸發電流小）。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置，則表明可控硅...

1. 普通晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓，普通晶閘管都處于關斷狀態。 2. 普通晶閘管承受正向陽極電壓時，*在門極承受正向電壓的情況下普通晶閘管才導通。 3. 普通晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，普通晶閘管保...

保護裝置整流變壓器微機保護裝置是由高集成度、總線不出芯片單片機、高精度電流電壓互感器、高絕緣強度出口中間繼電器、高可靠開關電源模塊等部件組成。是用于測量、控制、保護、通訊為一體化的一種經濟型保護。整流變壓器微機保護裝置的優點1、可以滿足庫存配制有二十幾種保護，...

IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產生的額定損耗亦變大。同時，開關損耗增大，使原件發熱加劇，因此，選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時，由于開關損耗增大，發熱加...

4、故障解除：當整流器故障時，發出燈光報警信號并停機，操作人員應在排除故障以后可 合閘，否則將擴大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開關置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運行程序開機。5、起動后，直流輸出電壓或電流達不到額定值則丟脈沖...

晶閘管（Thyristor）是一種半導體器件，廣泛應用于電力電子領域。它的主要功能是控制電流的開關，能夠在高電壓和大電流的條件下穩定工作。晶閘管的基本結構由四層半導體材料（P-N-P-N結構）組成，具有三個PN結。晶閘管的工作原理是，當施加一個觸發信號到其門極...

表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區隨著柵極驅動電路的變化而變化，因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當的正向柵壓。并且在...

。不同的控制策略可以容易的被實現，特別是那些涉及外部輔助信號以顯著提高系統性能的控制。參考電壓和電流斜率都能夠用簡單的方式加以控制。由于TCR型SVC本質上是模塊化的，因此通過追加更多的TCR模塊就能達到擴容的目的，當然前提是不能超過耦合變壓器的容量。TCR不...

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅開關（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅...

b、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式。c、裝卸時應采用接地工作臺，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。 d、儀器測量時，將1000電阻與g極串聯。e、要在無電源時進行安裝。f,焊接g極時，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適。當手工焊...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達到95%以上，進一步提高了產品抗短路能力，提高產品的運行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結構，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...

目前只能通過IGBT高壓串聯等技術來實現高壓應用。國外的一些廠家如瑞士ABB公司采用軟穿通原則研制出了8KV的IGBT器件，德國的EUPEC生產的6500V/600A高壓大功率IGBT器件已經獲得實際應用，日本東芝也已涉足該領域。與此同時，各大半導體生產廠商不...

當控制極G接收到觸發信號時，晶閘管會從截止狀態轉變為導通狀態。值得注意的是，一旦晶閘管導通，即使控制極信號消失，只要陽極和陰極間維持著正向電壓，它將繼續保持導通狀態，直到陽極電流降至維持電流以下或陽極出現反向偏置時，才會重新回到截止狀態。二、應用領域晶閘管模塊...

電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數的***、二、三層...