過(guò)流與短路保護(hù)是兩個(gè)概念，它們既有聯(lián)系也有區(qū)別。過(guò)流大多數(shù)是指某種原因引起的負(fù)載過(guò)載；短路是指橋臂直通，或主電壓經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)IGBT的無(wú)負(fù)載回路，它們的保護(hù)方法也有一定區(qū)別。如過(guò)流保護(hù)常用電流檢也傳感器，短路保護(hù)常通過(guò)檢測(cè)IGBT飽和壓降，配合驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。不同的功率有不同的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)過(guò)流或短路保護(hù)。由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容，所以會(huì)造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。雖然我們盡量考慮去降低該影響（提高控制極驅(qū)動(dòng)電壓電流，設(shè)置結(jié)電容釋放 回路等）。但是為了防止關(guān)斷延遲效應(yīng)造成上下橋臂直通，因?yàn)橐粋€(gè)橋臂未完全關(guān)斷，而另一橋臂又處于導(dǎo)通狀態(tài)，直通炸模塊后后果非常嚴(yán)重（的結(jié)果是過(guò) 熱）。選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。igbt與mos管的區(qū)別

IGBT模塊是下游產(chǎn)品中的關(guān)鍵部件，其性能表現(xiàn)、穩(wěn)定性和可靠性對(duì)下游客戶來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，因此認(rèn)證周期較長(zhǎng)，替換成本高。對(duì)于新增的IGBT供應(yīng)商，客戶往往會(huì)保持謹(jǐn)慎態(tài)度，不僅會(huì)綜合評(píng)定供應(yīng)商的實(shí)力，而且通常要經(jīng)過(guò)產(chǎn)品單體測(cè)試、整機(jī)測(cè)試、多次小批量試用等多個(gè)環(huán)節(jié)之后，才會(huì)做出大批量采購(gòu)決策，采購(gòu)決策周期較長(zhǎng)。因此，新進(jìn)入本行業(yè)者即使研發(fā)生產(chǎn)出IGBT產(chǎn)品，也需要耗費(fèi)較長(zhǎng)時(shí)間才能贏得客戶的認(rèn)可。目前國(guó)內(nèi)具有相關(guān)實(shí)踐、經(jīng)驗(yàn)豐富的研發(fā)技術(shù)人才仍然比較缺乏，新進(jìn)入的企業(yè)要想熟練掌握IGBT芯片或模塊的設(shè)計(jì)、制造工藝，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，需要花費(fèi)較長(zhǎng)的時(shí)間培養(yǎng)人才、學(xué)習(xí)探索及技術(shù)積累。IGBT驅(qū)動(dòng)板通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。

對(duì)于小功率IGBT模塊，通常采用直接串電阻的方法來(lái)檢測(cè)器件輸出電流，從而判斷過(guò)電流故障，通過(guò)電阻檢測(cè)時(shí)，無(wú)延遲；輸出電路簡(jiǎn)單；成本低；但檢測(cè)電路與主電路不隔離，檢測(cè)電阻上有功耗，因此，只適合小功率IGBT模塊。比如：5.5KW以下的變頻器。對(duì)于率IGBT模塊的電流檢測(cè)與過(guò)流、短路保護(hù)，一種方法是仍然采用電阻檢測(cè)法，為了降低電阻產(chǎn)生功耗及發(fā)熱生產(chǎn)的影響，可把帶散熱器件的取樣電阻固定在散熱器上，以測(cè)量更大的電流。對(duì)于大、率IGBT模塊的電流檢測(cè)與過(guò)流保護(hù)常采用電流傳感器。但需注意要選擇滿足響應(yīng)速度要求的電流傳感器。由于需要配置檢測(cè)電源，成本較高，但檢測(cè)電路與主電路隔離，適用于大功率的IGBT模塊。保護(hù)電路動(dòng)作的時(shí)間須在10us之內(nèi)完成。

功率分立器件的演進(jìn)路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT，其中，IGBT是功率半導(dǎo)體新一代中的典型產(chǎn)品。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的全控-電壓驅(qū)動(dòng)的功率半導(dǎo)體，IGBT既有MOSFET的開(kāi)關(guān)速度快、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn)，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件不能比擬的，因而是電力電子領(lǐng)域較為理想的開(kāi)關(guān)器件，也被譽(yù)為“電力電子器件里的CPU”。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。

過(guò)流與短路保護(hù)是兩個(gè)概念，它們既有聯(lián)系也有區(qū)別。過(guò)流大多數(shù)是指某種原因引起的負(fù)載過(guò)載；短路是指橋臂直通，或主電壓經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)IGBT的無(wú)負(fù)載回路，它們的保護(hù)方法也有一定區(qū)別。如過(guò)流保護(hù)常用電流檢也傳感器，短路保護(hù)常通過(guò)檢測(cè)IGBT飽和壓降，配合驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。不同的功率有不同的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)過(guò)流或短路保護(hù)。由于IGBT等功率器件都存在一定的結(jié)電容，所以會(huì)造成器件導(dǎo)通關(guān)斷的延遲現(xiàn)象。雖然我們盡量考慮去降低該影響（提高控制極驅(qū)動(dòng)電壓電流，設(shè)置結(jié)電容釋放 回路等）。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。IGBT中頻電源

功率器件IGBT能否正確可靠地使用起著至關(guān)重要的作用。igbt與mos管的區(qū)別

IGBT 既可控制信號(hào)的導(dǎo)通、也可控制信號(hào)的關(guān)斷，是典型的全控型功率半導(dǎo)體器件，目前，以 IGBT 為的全控型功率半導(dǎo)體器件在工作頻率、工作電壓和信號(hào)控制性等方面的性能出眾，正逐步發(fā)展為率半導(dǎo)體器件的主流應(yīng)用形態(tài)。新能源汽車中的功率半導(dǎo)體價(jià)值量提升十分，根據(jù)英飛凌的數(shù)據(jù)，新能源中汽車功率半導(dǎo)體器件的價(jià)值量約為傳統(tǒng)燃油車的5倍以上。其中，IGBT約占新能源汽車電控系統(tǒng)成本的37%，是電控系統(tǒng)中的電子器件之一，因此，未來(lái)新能源汽車市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，有望帶動(dòng)以IGBT為的功率半導(dǎo)體器件的價(jià)值量提升，從而有力推動(dòng)IGBT市場(chǎng)的發(fā)展。igbt與mos管的區(qū)別

上海萱鴻電子科技有限公司是一家專業(yè)制造整流二極管，可控硅，整流橋，模塊以及出口型二極管，可控硅。銷售，原裝進(jìn)口的IR（美國(guó)國(guó)際整流器）/VISHAY(威士），SEMIKRON（西門(mén)康），MITSUBISHI（三菱），INFINEON（英飛凌）,SANREX(三社），IXYS(艾克塞斯），NELL(尼爾），F(xiàn)UJU(富士），WESTCODE（西瑪），TOSHIBA（東芝），等國(guó)際**品牌的整流管，可控硅，整流橋，模塊，IGBT系類的公司，是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。公司自創(chuàng)立以來(lái)，投身于IGBT模塊 ，二極管模塊，整流橋模塊 ，晶閘管模塊，是電子元器件的主力軍。上海萱鴻電子致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對(duì)用戶產(chǎn)品上的貼心，為用戶帶來(lái)良好體驗(yàn)。上海萱鴻電子始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時(shí)代，對(duì)自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使上海萱鴻電子在行業(yè)的從容而自信。