· 工業(yè)規(guī)范標準，Specification：如果所設計的功能模塊要實現(xiàn)某種工業(yè)標準接口或者協(xié)議，那一定要找到相關的工業(yè)規(guī)范標準，讀懂規(guī)范之后，才能開始設計。

因此，為實現(xiàn)本設計實例中的 DDR 模塊，需要的技術資料和文檔。

由于我們要設計 DDR 存儲模塊，那么在所有的資料當中，應該較早了解 DDR 規(guī)范。通過對 DDR 規(guī)范文件「JEDEC79R」的閱讀，我們了解到，設計一個 DDR 接口，需要滿足規(guī)范中規(guī)定的 DC，AC 特性及信號時序特征。下面我們從設計規(guī)范要求和器件本身特性兩個方面來解讀，如何在設計中滿足設計要求。 DDR3一致性測試期間會測試哪些方面？江蘇電氣性能測試DDR3測試

走線阻抗/耦合檢查

走線阻抗/耦合檢查流程在PowerSI和SPEED2000中都有，流程也是一樣的。本例通過 Allegro Sigrity SI 啟動 Trace Impedance/Coupling Check,自動調用 PowerSI 的流程。下面通過實例來介紹走線阻抗/耦合檢查的方法。

啟動 Allegro Sigrity SI,打開 DDR_Case_C。單擊菜單 AnalyzeTrace Impedance/Coupling Check,在彈出的 SPDLINK Xnet Selection 窗口 中單擊 OK 按鈕。整個.brd 文件將被轉換成.spd文件，并自動在PowerSI軟件界面中打開。 電氣性能測試DDR3測試銷售電話是否可以使用可編程讀寫狀態(tài)寄存器（SPD）來執(zhí)行DDR3一致性測試？

從DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,數據率成倍增加，位寬成倍減小，工作電壓持續(xù)降 低，而電壓裕量從200mV減小到了幾十毫伏?？偟膩碚f，隨著數據傳輸速率的增加和電壓裕 量的降低，DDRx內存子系統(tǒng)對信號完整性、電源完整性及時序的要求越來越高，這也給系 統(tǒng)設計帶來了更多、更大的挑戰(zhàn)。

Bank> Rank及內存模塊

1.BankBank是SDRAM顆粒內部的一種結構，它通過Bank信號BA(BankAddress)控制，可以把它看成是對地址信號的擴展，主要目的是提高DRAM顆粒容量。對應于有4個Bank的內存顆粒，其Bank信號為BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3顆粒有8個Bank,對應Bank信號為BA[2:0],在DDR4內存顆粒內部有8個或16個Bank，通過BA信號和BG(BankGroup)信號控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框圖，可以從中看到芯片內部由8個Bank組成(BankO,Bankl,…，Bank7),它們通過BA[2:0]這三條信號進行控制。

還可以給這個Bus設置一個容易區(qū)分的名字，例如把這個Byte改為ByteO,這樣就把 DQ0-DQ7, DM和DQS, DQS與Clock的總線關系設置好了。

重復以上操作，依次創(chuàng)建：DQ8?DQ15、DM1信號；DQS1/NDQS1選通和時鐘 CK/NCK的第2個字節(jié)Bytel,包括DQ16?DQ23、DM2信號；DQS2/NDQS2選通和時鐘 CK/NCK的第3個字節(jié)Byte2,包括DQ24?DQ31、DM3信號；DQS3/NDQS3選通和時鐘 CK/NCK的第4個字節(jié)Byte3。

開始創(chuàng)建地址、命令和控制信號，以及時鐘信號的時序關系。因為沒有多個Rank, 所以本例將把地址命令信號和控制信號合并仿真分析。操作和步驟2大同小異，首先新建一 個Bus,在Signal Names下選中所有的地址、命令和控制信號，在Timing Ref下選中CK/NCK （注意，不要與一列的Clock混淆，Clock列只對應Strobe信號），在Bus Type下拉框中 選擇AddCmd,在Edge Type下拉框中選擇RiseEdge,將Bus Gro叩的名字改為AddCmdo。 什么是DDR3內存的一致性問題？

雙擊PCB模塊打開其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項卡，在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator兩種模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信號耦合，考慮非理想電源地的S參數模型；而使用SPEED2000Generator可以提取理想電源地情況下的非耦合信號的SPICE模型。前者模型提取時間長，但模型細節(jié)完整，適合終的仿真驗證；后者模型提取快，SPICE模型仿真收斂性好，比較適合設計前期的快速仿真迭代。DDR3一致性測試是否適用于非服務器計算機？電氣性能測試DDR3測試銷售電話

DDR3一致性測試是否包括高負載或長時間運行測試？江蘇電氣性能測試DDR3測試

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作電壓為1.5V；時鐘信號頻率為400? 800MHz；數據信號速率為800?1600Mbps,通過差分選通信號雙沿釆樣；地址/命令/控制信 號在1T模式下速率為400?800Mbps,在2T模式下速率為200?400Mbps；數據和選通信號 仍然使用點對點或樹形拓撲，時鐘/地址/命令/控制信號則改用Fly-by的拓撲布線；數據和選 通信號有動態(tài)ODT功能；使用Write Leveling功能調整時鐘和選通信號間因不同拓撲引起的 延時偏移，以滿足時序要求。江蘇電氣性能測試DDR3測試