重復(fù)以上步驟,分別對(duì)Meml?Mem4分配模型并建立總線時(shí)序關(guān)系,置完其中一個(gè),單擊0K按鈕并在彈出窗口單擊Copy按鈕,將會(huì)同時(shí)更新其他Memory 模塊。
3.分配互連模型有3種方法可設(shè)置互連部分的模型:第1種是將已有的SPICE電路模型或S參數(shù)模型分配給相應(yīng)模塊;第2種是根據(jù)疊層信息生成傳輸線模型;第3種是將互連模塊與印制電路板或封裝板關(guān)聯(lián),利用模型提取工具按需提取互連模型。對(duì)前兩種方法大家比較熟悉,這里以第3種方法為例介紹其使用過(guò)程。 是否可以在運(yùn)行操作系統(tǒng)時(shí)執(zhí)行DDR3一致性測(cè)試?江西DDR3測(cè)試產(chǎn)品介紹
高速DDRx總線系統(tǒng)設(shè)計(jì)
首先簡(jiǎn)要介紹DDRx的發(fā)展歷程,通過(guò)幾代DDR的性能及信號(hào)完整性相關(guān)參數(shù)的 對(duì)比,使我們對(duì)DDRx總線有了比較所有的認(rèn)識(shí)。隨后介紹DDRx接口使用的SSTL電平, 以及新一代DDR4使用的POD電平,這能幫助我們?cè)诮窈蟮脑O(shè)計(jì)中更好地理解端接匹配、拓 撲等相關(guān)問(wèn)題。接下來(lái)回顧一下源同步時(shí)鐘系統(tǒng),并推導(dǎo)源同步時(shí)鐘系統(tǒng)的時(shí)序計(jì)算方法。 結(jié)果使用Cadence的系統(tǒng)仿真工具SystemSI,通過(guò)實(shí)例進(jìn)行DDRx的信號(hào)完整性仿真和時(shí)序 分析。 內(nèi)蒙古DDR3測(cè)試安裝為什么要進(jìn)行DDR3一致性測(cè)試?
使用SystemSI進(jìn)行DDR3信號(hào)仿真和時(shí)序分析實(shí)例
SystemSI是Cadence Allegro的一款系統(tǒng)級(jí)信號(hào)完整性仿真工具,它集成了 Sigrity強(qiáng)大的 電路板、封裝等互連模型及電源分布網(wǎng)絡(luò)模型的提取功能。目前SystemSI提供并行總線分析 和串行通道分析兩大主要功能模塊,本章介紹其中的并行總線分析模塊,本書(shū)第5章介紹串 行通道分析模塊。
SystemSI并行總線分析(Parallel Bus Analysis)模塊支持IBIS和HSPICE晶體管模型, 支持傳輸線模型、S參數(shù)模型和通用SPICE模型,支持非理想電源地的仿真分析。它擁有強(qiáng) 大的眼圖、信號(hào)質(zhì)量、信號(hào)延時(shí)測(cè)量功能和詳盡的時(shí)序分析能力,并配以完整的測(cè)量分析報(bào) 告供閱讀和存檔。下面我們結(jié)合一個(gè)具體的DDR3仿真實(shí)例,介紹SystemSI的仿真和時(shí)序分 析方法。本實(shí)例中的關(guān)鍵器件包括CPU、4個(gè)DDR3 SDRAM芯片和電源模塊,
雙擊PCB模塊打開(kāi)其Property窗口,切換到LayoutExtraction選項(xiàng)卡,在FileName處瀏覽選擇備好的PCB文件在ExtractionEngine下拉框里選擇PowerSL所小。SystemSI提供PowerSI和SPEED2000Generator兩種模型提取引擎。其中使用PowerSI可以提取包含信號(hào)耦合,考慮非理想電源地的S參數(shù)模型;而使用SPEED2000Generator可以提取理想電源地情況下的非耦合信號(hào)的SPICE模型。前者模型提取時(shí)間長(zhǎng),但模型細(xì)節(jié)完整,適合終的仿真驗(yàn)證;后者模型提取快,SPICE模型仿真收斂性好,比較適合設(shè)計(jì)前期的快速仿真迭代。如何執(zhí)行DDR3的一致性測(cè)試?
· 相關(guān)器件的應(yīng)用手冊(cè),ApplicationNote:在這個(gè)文檔中,廠家一般會(huì)提出一些設(shè)計(jì)建議,甚至參考設(shè)計(jì),有時(shí)該文檔也會(huì)作為器件手冊(cè)的一部分出現(xiàn)在器件手冊(cè)文檔中。但是在資料的搜集和準(zhǔn)備中,要注意這些信息是否齊備。
· 參考設(shè)計(jì),ReferenceDesign:對(duì)于比較復(fù)雜的器件,廠商一般會(huì)提供一些參考設(shè)計(jì),以幫助使用者盡快實(shí)現(xiàn)解決方案。有些廠商甚至?xí)苯犹峁┰韴D,用戶可以根據(jù)自己的需求進(jìn)行更改。
· IBIS 文件:這個(gè)對(duì)高速設(shè)計(jì)而言是必需的,獲得的方法前面已經(jīng)講過(guò)。 DDR3一致性測(cè)試是否會(huì)提前壽命內(nèi)存模塊??jī)?nèi)蒙古DDR3測(cè)試哪里買(mǎi)
DDR3一致性測(cè)試期間可能發(fā)生的常見(jiàn)錯(cuò)誤有哪些?江西DDR3測(cè)試產(chǎn)品介紹
單擊Impedance Plot (expanded),展開(kāi)顯示所有網(wǎng)絡(luò)走線的阻抗彩圖。雙擊彩圖 上的任何線段,對(duì)應(yīng)的走線會(huì)以之前定義的顏色在Layout窗口中高亮顯示。
單擊Impedance Table,可以詳細(xì)查看各個(gè)網(wǎng)絡(luò)每根走線詳細(xì)的阻抗相關(guān)信息,內(nèi) 容包括走線名稱、走線長(zhǎng)度百分比、走線阻抗、走線長(zhǎng)度、走線距離發(fā)送端器件的距離、走 線延時(shí),
單擊Impedance Overlay in Layout,可以直接在Layout視圖中查看走線的阻抗。在 Layer Selection窗口中單擊層名稱,可以切換到不同層查看走線阻抗視圖。 江西DDR3測(cè)試產(chǎn)品介紹