MEMS多重轉印工藝與硬質塑料芯片快速成型：針對硬質塑料芯片的快速開發需求，公司**MEMS多重轉印工藝。通過紫外光固化膠將硅母模上的微結構（精度±1μm）轉印至PMMA、COC等工程塑料，10個工作日內即可完成從設計到成品的全流程交付。以器官芯片為例，該工藝制造的多層PMMA芯片集成血管網絡與組織隔室，可模擬肺部的氣體交換功能，用于藥物毒性測試時，數據重復性較傳統方法提升80%。此外，COP材質芯片憑借**蛋白吸附性（<3ng/cm2），成為抗體篩選與蛋白質結晶的**載體。該技術還支持復雜三維結構加工，例如仿生肝小葉芯片中的正弦狀微流道，可精細調控細胞剪切力，提升原代肝細胞活性至95%以上。超薄石英玻璃雙面套刻加工技術，在 100μm 以上基板實現微流道與金屬電極的高精度集成。標準MEMS微納米加工的傳感器

MEMS制作工藝-太赫茲超導混頻陣列的MEMS體硅集成天線與封裝技術：

太赫茲波是天文探測領域的重要波段，太赫茲波探測對提升人類認知宇宙的能力有重要意義。太赫茲超導混頻接收機是具有代表性的高靈敏天文探測設備。天線及混頻芯片封裝是太赫茲接收前端系統的關鍵組件。當前，太赫茲超導接收機多采用單獨的金屬喇叭天線和金屬封裝，很難進行高集成度陣列擴展。大規模太赫茲陣列接收機發展很大程度受到天線及芯片封裝技術的制約。課題擬研究基于MEMS體硅工藝技術的適合大規模太赫茲超導接收陣列應用的0.4THz以上頻段高性能集成波紋喇叭天線，及該天線與超導混頻芯片一體化封裝。通過電磁場理論分析、電磁場數值建模與仿真、低溫超導實驗驗證等手段， 廣西MEMS微納米加工服務電話太赫茲柔性電極以 PI 為基底構建雙面結構，適用于非侵入式生物檢測與材料無損探測。

射頻MEMS器件分為MEMS濾波器、MEMS開關、MEMS諧振器等。射頻前端模組主要由濾波器、低噪聲放大器、功率放大器、射頻開關等器件組成，其中濾波器是射頻前端中重要的分立器件，濾波器的工藝就是MEMS，在射頻前端模組中占比超過50%，主要由村田制作所等國外公司生產。因為沒有適用的國產5GMEMS濾波器，因此華為手機只能用4G，也是這個原因，可見MEMS濾波器的重要性。濾波器（SAW、BAW、FBAR等），負責接收通道的射頻信號濾波，將接收的多種射頻信號中特定頻率的信號輸出，將其他頻率信號濾除。以SAW聲表面波為例，通過電磁信號-聲波-電磁信號的兩次轉換，將不受歡迎的頻率信號濾除。

新材料或將成為國產MEMS發展的新機會。截止到目前，硅基MEMS發展已經有40多年的發展歷程，如何提高產品性能、降低成本是全球企業都在思考的問題，而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪，PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進行中，搶先一步投入應用，將是國產MEMS彎道超車的好時機。另外，將多種單一功能傳感器組合成多功能合一的傳感器模組，再進行集成一體化，也是MEMS產業新機會。提高自主創新意識，加強創新能力，也不是那么的遙遠。MEMS常見的產品-壓力傳感器。

微納結構的多圖拼接測量技術：針對大尺寸微納結構的完整表征，公司開發了多圖拼接測量技術，結合SEM與圖像算法實現亞微米級精度的全景成像。首先通過自動平移臺對樣品進行網格掃描，獲取多幅局部SEM圖像（分辨率5nm，視野范圍10-100μm）；然后利用特征點匹配算法（如SIFT/SURF）進行圖像配準，誤差＜±2nm/100μm；通過融合算法生成完整的拼接圖像，可覆蓋10mm×10mm區域。該技術應用于微流控芯片的流道檢測時，可快速識別全長10cm流道內的微小缺陷（如5μm以下的毛刺或堵塞），檢測效率較單圖測量提升10倍。在納米壓印模具檢測中，多圖拼接可精確分析100μm×100μm范圍內的結構一致性，特征尺寸偏差＜±1%。公司自主開發的拼接軟件支持實時預覽與缺陷標記，輸出包含尺寸標注、粗糙度分析的檢測報告，為微納加工的質量控制提供了高效工具，尤其適用于復雜三維結構與大面積陣列的計量需求。MEMS是一種現代化的制造技術。標準MEMS微納米加工的傳感器

自研超聲收發芯片輸出電壓達 ±100V、電流 1A，部分性能指標超越國際品牌 TI。標準MEMS微納米加工的傳感器

MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點：

1.聲表面波具有極低的傳播速度和極短的波長，它們各自比相應的電磁波的傳播速度的波長小十萬倍。在VHF和UHF波段內，電磁波器件的尺寸是與波長相比擬的。同理，作為電磁器件的聲學模擬聲表面波器件SAW，它的尺寸也是和信號的聲波波長相比擬的。因此，在同一頻段上，聲表面波器件的尺寸比相應電磁波器件的尺寸減小了很多，重量也隨之大為減輕。

2.由于聲表面波系沿固體表面傳播，加上傳播速度極慢，這使得時變信號在給定瞬時可以完全呈現在晶體基片表面上。于是當信號在器件的輸入和輸出端之間行進時，就容易對信號進行取樣和變換。這就給聲表面波器件以極大的靈活性，使它能以非常簡單的方式去。完成其它技術難以完成或完成起來過于繁重的各種功能。

3.采用MEMS工藝，以鈮酸鋰LNO和鉭酸鋰LTO為例子的襯底，通過光刻（含EBL光刻）、鍍膜等微納米加工技術，實現的SAW器件，在聲表面器件的濾波、波束整形等方面提供了極大的工藝和性能支撐。 標準MEMS微納米加工的傳感器