X射線反射率測定引言X射線反射率（XRR：X-RayReflectivity）是一種表面表征技術，是利用X射線在不同物質表面或界面的反射線之間的干涉現象分析薄膜或多層膜結構的工具。通過分析XRR圖譜(圖1)可以確定各層薄膜的密度、膜厚、粗糙度等結構參數。XRR的特點：1無損檢測2對樣品的結晶狀態沒有要求，不論是單晶膜、多晶膜還是非晶膜均可以進行測試3XRR適用于納米薄膜，要求厚度小于500nm4晶面膜，表面粗糙度一般不超過5nm5多層膜之間要求有密度差在DIFFRAC.LEPTOS中，進行晶片分析：分析晶片的層厚度和外延層濃度的均勻性。GaN

制劑中微量API的晶型檢測引言藥物制劑生產過程中除需添加各種輔料外，往往還需要經過溶解、研磨、干燥(溫度)、壓片等工藝過程，在此過程中API的晶型有可能發生改變，進而可能影響到藥物的療效。國內外FDA規定多晶型藥物在研制、生產、貯存過程中必須保證其晶型的一致性，固體制劑中使用的晶型物質應該與API晶型一致。因此藥物制劑中的晶型分析是非常重要的。由于輔料的存在對藥物制劑中API的晶型分析增加了干擾，特別是API含量非常少的制劑樣品，檢測更加困難。XRPD是API晶型分析的有效手段之一，配合高性能的先進檢測器，為制劑中微量API的晶型檢測提供了有利工具。合肥礦渣檢測分析在DIFFRAC.EVA中，對塑料薄膜進行WAXS測量分析。然后塑料纖維的擇優取向便顯而易見了。

RuO2薄膜掠入射XRD-GID引言薄膜材料就是厚度介于一個納米到幾個微米之間的單層或者多層材料。由于厚度比較薄，薄膜材通常依附于一定的襯底材料之上。常規的XRD測試，X射線的穿透深度一般在幾個微米到幾十個微米，這遠遠大于薄膜的厚度，導致薄膜的信號會受到襯底的影響（圖1）。另外，如果衍射簡單較高，那么X射線只能輻射到部分樣品，無法利用整個樣品的體積，衍射信號弱。薄膜掠入射衍射（GID：GrazingIncidenceX-RayDiffraction）很好的解絕了以上問題。所謂掠入射是指使X射線以非常小小的入射角（＜5°）照射到薄膜上，小的入射角大大減小了在薄膜中的穿透深度，同時增加衍射顆粒的數目和x射線在薄膜中的光程。這里有兩點說明：GID需要硬件配置；常規GID只適合多晶薄膜和非晶薄膜，不適合單晶外延膜。

對于需要探索材料極限的工業金屬樣品，通常需要進行殘余應力和織構測量。通過消除樣品表面的拉應力或引起壓應力，可延長其功能壽命。這可通過熱處理或噴丸處理等物理工藝來完成。構成塊狀樣品的微晶的取向，決定了裂紋的生長方式。而通過在材料中形成特定的織構，可顯著增強其特性。這兩種技術在優化制造法（例如增材制造）領域也占有一席之地。由于具有出色的適應能力，使用D8ADVANCE，您就可對所有類型的樣品進行測量：從液體到粉末、從薄膜到固體塊狀物。對較大300 mm的樣品進行掃描、安裝和掃描重量不超過5kg的樣品、自動化接口。

殘余應力分析：：在DIFFRAC.LEPTOS中，使用sin2psi法，用Cr輻射進行測量，對鋼構件的殘余應力進行分析。使用了2D檢測器的μXRD：使用DIFFRAC.EVA,測定小區域結構特性。通過積分2D圖像，進行1D掃描，來進行定性相分析和微觀結構分析。定性相分析：候選材料鑒別（PMI）為常見，這是因為其對原子結構十分靈敏，而這無法通過元素分析技術實現。高通量篩選（HTS）:在DIFFRAC.EVA中，進行半定量分析，以現實孔板上不同相的濃度。非環境XRD：在DIFFRAC.WIZARD中配置溫度曲線并將其與測量同步，然后可以在DIFFRAC.EVR中顯示結果。小角X射線散射（SAXS）：在DIFFRAC.SAXS中，對EIGER2R500K通過2D模式手機的NISTSRM80119nm金納米顆粒進行粒度分析。專為在環境條件下和非環境條件下，對從粉末、非晶和多晶材料到外延多層薄膜等各種材料進行結構表征而設計。珠海點陣參數精確測量XRD衍射儀推薦咨詢

涉及高通量篩選（HTS）和大區域掃描分析時，D8 DISCOVER是較好解決方案。GaN

蒙脫石散及雜質的鑒定引言蒙脫石散常見的用于用于成人及兒童急、慢性腹瀉的藥物。蒙脫石散的主要成分為層狀結構的粘土礦物蒙脫石。根據中國藥典，蒙脫石散的鑒別和雜質含量的分析的主要手段為XRD。不論在何種應用場合，它都是值得您選擇的探測器：高的計數率、動態范圍和能量分辨率。布魯克提供基于NIST標樣剛玉（SRM1976c）整個角度范圍內的準直保證。D8衍射儀系列平臺的D8ADVANCE，是所有X射線粉末衍射和散射應用的理想之選，如：典型的X射線粉末衍射（XRD）對分布函數（PDF）分析小角X射線散射（SAXS）和廣角X射線散射（WAXS）GaN