自由調節輸出負載的能力較好。附圖說明圖1是本實用新型實施例相交流固態調壓器的電路示意圖。具體實施方式下面結合附圖并通過實施例對本實用新型作進一步的詳細說明，以下實施例是對本實用新型的解釋而本實用新型并不局限于以下實施例。參見圖1，本實施例一種單相交流固態調壓器，其電路結構如下：整流橋的其中兩個腳連接交流電源的兩端，整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩壓二極管的正極，穩壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2，穩壓二極管的負極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結晶體管T2的發射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極，光耦OC的腳2經由電阻R5連接輸入控制端的負極，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極，NPN三極管T1的發射極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結晶體管T2的發射極b1，單結晶體管T2的發射極b1連接變壓器B1的輸入端1，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1。在自動化設備中,用無觸點開關代替通用繼電器已被逐步應用。其***特點是無噪音,壽命長。蘇州可控硅價位

    新型跟.蹤式可控硅直流穩壓電源信息時代里，BP機已成為常用的通信工具。目前，我國BP機總臺的發射設備都采用進口設備，其輸出電壓為13．8V，電流為15～20A。進口電源不帶可控硅部分，而我國電網波動較大，為此設計了這種低成本穩壓電源。該設計在串聯反饋調整型穩壓電源的基礎上加裝了可控硅相位控制裝置，用調整管兩端壓降來控制可控硅觸發的導通角，維持調整管壓降不變，從而設計出跟.蹤式大功率直流穩壓電源。該穩壓電源限制了調整管功耗，實現了大功率。該穩壓電源主要由單相半控橋整流濾波、線性穩壓器及可控硅相位控制等環節組成，并加裝了過流保護、短路保護、過熱保護裝置及顯示部分。在220V電網電壓波動±15％情況下，輸出電壓13．8V，輸出電流可達20A。由于采用了可控硅相位控制技術，能將調整管兩端壓降限制在3V左右，功耗不大于40W，提高了電源效率。當輸出電流超過20A時，限流保護可減小輸出電流。若輸出短路，短路保護輸出***信號關斷可控硅。調整管溫度高于60℃時啟動電扇，溫度低于40℃時關斷電扇，溫度高于80℃時關斷可控硅。該電源采用集成可控硅觸發器，雙運算放大器及具有溫度補償的穩壓管作基準源，并配有三端穩壓器作為輔助電源，實現了高精度。山東散熱可控硅調整器具有“自動限流”功能，負載電流大于額定值時，調壓器輸出電流被限制在額定值左右。

KY-ZB3型周波觸發器是工業電加熱系統中相當有廣泛應用的SSR信號處理控制器。具有周期過零式（PWM占空比控制）和周波過零式（CYC變周期控制）兩種控制方式。觸發器采用鎖相環同步電路、自動判別相位。可做為單相調功、三相三控、三相兩控過零觸發控制。其優越的周波過零控制使負載電流的通斷是按正弦波均勻分布的。它提高了調節精度和電源的利用效率以及避免了打表針現象，節電效果也十分明顯。主要應用于電阻性負載、溫度加熱控制單元以及各種工業爐等。

    當T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發信號（相對于T1、T2所接電源負極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當G極接負觸發信號時，其工作過原理如圖4所示，此時Q3的基極B和發射極E處于正偏電壓而致使Q3導通，繼而Q1導通給電容C充電后致Q2導通并保持導通狀態。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導體開關，目前主要用于對交流電源的控制，主要特點表現在能在四個象限來使可控硅觸發導通和保持導通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發信號Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發信號Vg的負。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負極，G觸發信號分別接Vg的正、負極。2類雙向可控硅電路設計在理解了前面所述雙向可控硅的內部結構和工作原理之后，依據其內部結構采用我們熟悉的晶體管來設計一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發電路。如圖5所示，電路采用用7個三極管和幾個電阻組成。把圖5電路中PN結的結構按圖6所示結構圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。整流裝置也用于提供電焊時所需固定極性的電壓。

    由此可以觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極表針擺動較小，說明管的放大能力較差；表針擺動較大，表明管的放大能力大；若表針不動，說明管是壞的。根據上述方法，我們用萬用表的R×100檔，測結型場效應管3DJ2F。先將管的Ｇ極開路，測得漏源電阻RDS為600Ω，用手捏住Ｇ極后，表針向左擺動，指示的電阻RDS為12kΩ，表針擺動的幅度較大，說明該管是好的，并有較大的放大能力。運用這種方法時要說明幾點：首先，在測試場效應管用手捏住柵極時，萬用表針可能向右擺動（電阻值減小），也可能向左擺動（電阻值增加）。這是由于人體感應的交流電壓較高，而不同的場效應管用電阻檔測量時的工作點可能不同（或者工作在飽和區或者在不飽和區）所致，試驗表明，多數管的RDS增大，即表針向左擺動；少數管的RDS減小，使表針向右擺動。但無論表針擺動方向如何，只要表針擺動幅度較大，就說明管有較大的放大能力。第二，此方法對MOS場效應管也適用。但要注意，MOS場效應管的輸人電阻高，柵極Ｇ允許的感應電壓不應過高，所以不要直接用手去捏柵極，必須用于握螺絲刀的絕緣柄，用金屬桿去碰觸柵極，以防止人體感應電荷直接加到柵極，引起柵極擊穿。第三，每次測量完畢。如果把二極管換成可控硅，就可以構成可控整流電路。可控硅總經銷

隔離開關應能同時提供滿足負載的電流和蓄電池的再充電電流，并能承受較大的短路電流。蘇州可控硅價位

    可控硅檢測方法與經驗可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優點，它是大功率開關型半導體器件，廣泛應用在電力、電子線路中。1.可控硅的特性。可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態，用它可制成無觸點開關。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向。蘇州可控硅價位

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