電力調整器編輯鎖定電力調整器是應用晶閘管（又稱可控硅）及其觸發控制電路用于調整負載功率的盤裝功率調整單元。更多的是運用數字電路觸發可控硅實現調壓和調功。調壓采用移相控制方式，調功有定周期調功和變周期調功兩種方式。中文名電力調整器方式定周期調功和變周期調功類別盤裝功率調整單元特點主電路和控制電路一體化結構目錄1電力調整器低諧波**2三相可控硅電力調整器3單相可控硅電力調整器電力調整器電力調整器低諧波**編輯1.采用比例式不產生諧波控制。2.應用于恒溫恒濕加熱系統需低諧波環境。3.本控制器之保護裝置:1.來源電欠相。2.保險絲斷線檢知。3.本控制器散熱片超溫保護。4.異常輸出接點，提供遠程監控使用，接點容量240VAC/5A。4.本控制器具有CE國際安全認證之標準。5.具有，并提供異常輸出接點，可做系統緊急控制之用。6.體積精巧、散熱佳，內含半導體**快速保險絲，不怕負載短路。7.冷卻風扇動作具有溫度控制，’當散熱片溫度55oC時工作，45oC時停止，可提高風扇壽命2~3倍。8.本控制器散熱片具超溫保護裝置及異常輸出接點，接點容量240VAC/10A。可控硅觸發板用于單相、三相電焊機控制、電解電鍍控制等。南京可控硅定做

    **交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式結構。（4）現在市售VNF系列（N溝道）產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其比較高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關電路和廣播、通信設備中。（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達到30W。（6）多管并聯后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓。南通可控硅訂制以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠紅外發熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。

    摘要：為了深入了解雙向可控硅內部電路和工作原理，以運用簡便易懂的三極管為主，依據雙向可控硅內部P型半導體和N型半導體的分布，設計一種可以被雙向觸發導通的電路。并從理論上來對其進行論述，通過實際電路制作對其進行了驗證，在實際運用方面達到與雙向可控硅具有同樣的效果。0引言雙向可控硅（TRIAC）在控制交流電源控制領域的運用非常***，如我們的日光燈調光電路、交流電機轉速控制電路等都主要是利用雙向可控硅可以雙向觸發導通的特點來控制交流供電電源的導通相位角，從而達到控制供電電流的大小[1]。然而對其工作原理和結構的描述，以我們可以查悉的資料都只是很淺顯地提及，大部分都是對它的外圍電路的應用和工作方式、參數的選擇等等做了比較多的描述，更進一步的--哪怕是內部方框電路--內容也很難找到。由于可控硅所有的電子部件是集成在同一硅源之上，我們根本是不可能通過采用類似機械的拆卸手段來觀察其內部結構。為了深入了解和運用可控硅，依據現有可查資料所給P型和N型半導體的分布圖，采用分離元器件--三極管、電阻和電容--來設計一款電路，使該電路在PN的連接、分布和履行的功能上完全與雙向可控硅類似。

    可控整流電路的作用是把交流電變換為電壓值可以調節的直流電。圖20－1所示為單相半控橋式整流實驗電路。主電路由負載RL（燈炮）和晶閘管T1組成，觸發電路為單結晶體管T2及一些阻容元件構成的阻容移相橋觸發電路。改變晶閘管T1的導通角，便可調節主電路的可控輸出整流電壓（或電流）的數值，這點可由燈炮負載的亮度變化看出。晶閘管導通角的大小決定于觸發脈沖的頻率f，由公式圖1單相半控橋式整流實驗電路可知，當單結晶體管的分壓比η（一般在～）及電容C值固定時，則頻率f大小由R決定，因此，通過調節電位器Rw，使可以改變觸發脈沖頻率，主電路的輸出電壓也，從而達到可控調壓的目的。用萬用電表的電阻檔（或用數字萬用表二極管檔）可以對單結晶體管和晶閘管進行簡易測試。圖2為單結晶體管BT33管腳排列、結構圖及電路符號。好的單結晶體管PN結正向電阻REB1、REB2均較小，且REB1稍大于REB2，PN結的反向電阻RB1E、RB2E均應很大，根據所測阻值，即可判斷出各管腳及管子的質量優劣。圖2單結晶體管BT33管腳排列、結構圖及電路符號圖3為晶閘管3CT3A管腳排列、結構圖及電路符號。晶閘管陽極（A）—陰極（K）及陽極（A）—門極（G）之間的正、反向電阻RAK、RKA、RAG、RGA均應很大。當采用遠端溫度檢測器時，整流器/充電機應自動調節蓄電池浮充電壓（一般按?5mv/只/℃）。

    此時表內電壓較高。當用手接觸柵極Ｇ時，會發現管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導值越高；如果被測管的跨導很小，用此法測時，反向阻值變化不大。二、.場效應管的使用注意事項（1）為了安全使用場效應管，在線路的設計中不能超過管的耗散功率，比較大漏源電壓、比較大柵源電壓和比較大電流等參數的極限值。（2）各類型場效應管在使用時，都要嚴格按要求的偏置接人電路中，要遵守場效應管偏置的極性。如結型場效應管柵源漏之間是ＰＮ結，Ｎ溝道管柵極不能加正偏壓；Ｐ溝道管柵極不能加負偏壓，等等。（3）MOS場效應管由于輸人阻抗極高，所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路，要用金屬屏蔽包裝，以防止外來感應電勢將柵極擊穿。尤其要注意，不能將MOS場效應管放人塑料盒子內，保存時比較好放在金屬盒內，同時也要注意管的防潮。（4）為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如采用接地環等；當然，如果能采用先進的氣熱型電烙鐵。觸發板應用于工業各領域的電壓電流調節，用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側及各種整流裝置等。靈敏可控硅

一臺儀表可以同時控制多臺觸發板。南京可控硅定做

    可控硅模塊屬于一種使用模塊封裝形式，擁有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，這種可控硅模塊的體積非常的小，結構也十分的緊湊，對于維修與安裝都有很大的作用，可控硅模塊的類型非常的多，比方說壓接式可控硅模塊、焊接式可控硅模塊等，很多人不是很清楚兩者之間的差異，下面詳細的進行區分一下。①從電流方面來講，焊接式模塊可以做到160A電流，同時壓接式模塊的電流就能夠達到1200A，這就是講低于160A的模塊，不只是有焊接式的，同時也有壓接式的。②從外形方面來講，焊接式的模塊遠遠沒有壓接式的外形比較好，壓接式的屬于一體成型，技術十分的標準，焊接式的局部地區可能有焊接的痕跡，但是在使用的時候是沒有任何的影響的。③眾所周知，壓接式可控硅模塊的市場占有率是非常大的，有不少的公司都會使用壓接式可控硅模塊，這其中的原因可能使由于其外形十分的美觀，除此之外從價格方面來講，焊接式可控硅模塊的成本遠遠要比壓接式可控硅模塊的成本低。南京可控硅定做

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