門極關斷晶閘管的檢測1)判別各電極：門極關斷晶閘管三個電極的判別方法與普通晶閘管相同，即用萬用表的R×100檔，找出具有二極管特性的兩個電極，其中一次為低阻值(幾百歐姆)，另一次阻值較大。在阻值小的那一次測量中，紅表筆接的是陰極K，黑表筆接的是門極G，剩下的一只引腳即為陽極A。觸發能力和關斷能力的檢測：可關斷晶閘管觸發能力的檢測方法與普通晶閘管相同。檢測門極關斷晶閘管的關斷能力時，可先按檢測觸發能力的方法使晶閘管處于導通狀態，即用萬用表R×1檔，黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，測得電阻值為無窮大。再將A極與門極G短路，給G極加上正向觸發信號時，晶閘管被觸發導通，其A、K極間電阻值由無窮大變為低阻狀態。斷開A極與G極的短路點后，晶閘管維持低阻導通狀態，說明其觸發能力正常。再在晶閘管的門極G與陽極A之間加上反向觸發信號，若此時A極與K極間電阻值由低阻值變為無窮大，則說明晶閘管的關斷能力正常，圖7是關斷能力的檢測示意圖。也可以電路來檢測門極關斷晶閘管的觸發能力和關斷能力。電路中，EL為6．3V指示燈(小電珠)，S為轉換開關，VT為被測晶閘管。當開關S關斷時，晶閘管不導通，指示燈不亮。將開關S的K1觸點接通時。 當采用遠端溫度檢測器時，整流器/充電機應自動調節蓄電池浮充電壓（一般按?5mv/只/℃）。多路可控硅經銷

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區等優點，尤其是其具有負的電流溫度系數，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現象所引起的管子損壞現象。因此，VMOS管的并聯得到廣泛應用。眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:***，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，***垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方法。無錫可控硅定做業界推出的節能燈和電子鎮流器**三極管都十分注重對貯存時間的控制。

    也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發能力。電路中，vT為被測晶閘管，HL為6．3V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為6V電源(可使用4節1．5V干電池或6V穩壓電源)，S為按鈕，R為限流電阻。當按鈕S未接通時，晶閘管VT處于阻斷狀態，指示燈HL不亮(若此時HL亮，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動一下按鈕S后(使S接通一下，為晶閘管VT的門極G提供觸發電壓)，若指示燈HL一直點亮，則說明晶閘管的觸發能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明晶閘管性能不良、導通壓降大(正常時導通壓降應為1v左右)。若按鈕S接通時，指示燈亮，而按鈕S斷開時，指示燈熄滅，則說明晶閘管已損壞，觸發性能不良。2．雙向晶閘管的檢測(1)判別各電極：用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個引腳間的正、反向電阻值，若測得某一管腳與其他兩腳均不通，則此腳便是主電極T2。找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3。測量這兩腳之間的正、反向電阻值，會測得兩個均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為主電極T1。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。

    場效應管檢測一、用指針式萬用表對場效應管進行判別（1）用測電阻法判別結型場效應管的電極根據場效應管的PN結正、反向電阻值不一樣的現象，可以判別出結型場效應管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結型場效應管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極Ｇ。也可以將萬用表的黑表筆（紅表筆也行）任意接觸一個電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個電極，測其電阻值。當出現兩次測得的電阻值近似相等時，則黑表筆所接觸的電極為柵極，其余兩電極分別為漏極和源極。若兩次測出的電阻值均很大，說明是ＰＮ結的反向，即都是反向電阻，可以判定是Ｎ溝道場效應管，且黑表筆接的是柵極；若兩次測出的電阻值均很小，說明是正向ＰＮ結，即是正向電阻，判定為Ｐ溝道場效應管，黑表筆接的也是柵極。若不出現上述情況，可以調換黑、紅表筆按上述方法進行測試，直到判別出柵極為止。。鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。

    **交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式結構。（4）現在市售VNF系列（N溝道）產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其比較高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關電路和廣播、通信設備中。（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達到30W。（6）多管并聯后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓。調整器具有恒電壓、恒電流、恒功率三種反饋形式供用戶選擇。南通通用可控硅

可控硅觸發板用于水泵、風機等軟啟動控制，調速節能控制等。多路可控硅經銷

    10ms內截止輸出過熱保護主回路SCR溫度>75℃,截止輸出相序保護輸入電源相序錯誤報警環境溫度－5～+45℃濕度≤90%RH，無水珠凝結海拔高度低于1000米(超過1000米降額使用)第二章控制原理及功能特性控制原理三相晶閘管閉環技術可控硅調壓器采用移相觸發控制方式，輸出電壓、電流或功率連續可調，具有恒電壓、恒電流或恒功率的特性。三相晶閘管閉環技術觸發板的原理框圖，其控制原理為一個典型的雙閉環控制，電流環為內環，電壓環為外環。現以調壓器的“恒電壓控制特性”來介紹其控制原理。調節過程如下：給定信號(Ug)、電壓反饋信號(Uf)、電流反饋信號(If)當由于某種原因使調壓器輸出電壓降低時(如電網電壓降低)：（Ug-Uf）↑→UO↑→Uy↑→α↓→調壓器輸出電壓U↑***達到Uf與Ug相互平衡，調壓器輸出穩定電壓。。圖2-1恒電壓原理框圖電流環作用是，在突加負載或負載電流超過限流值時，限制調壓器的輸出電流在額定電流范圍內，確保輸出和調壓器正常工作。其調節過程如下：U0恒定，負載電流增加：If↑→（UO-If）↓→IO↓→Uy↓→α↑→調壓器輸出電壓U↓——If↓；同時電壓環也參與調節，使調壓器的輸出電流被限制在額定電流范圍內。多路可控硅經銷

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