正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區等優點，尤其是其具有負的電流溫度系數，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現象所引起的管子損壞現象。因此，VMOS管的并聯得到廣泛應用。眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:***，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，***垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方法。如果把二極管換成可控硅，就可以構成可控整流電路。功率可控硅采購

    讀數相對較小的那次測量的黑表筆所接的引腳為***陽極A1，紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽極A2，紅表筆接***陽極A1，此時萬用表指針不應發生偏轉，阻值為無窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接，給G極加上正向觸發電壓，A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開A2、G間短接線，萬用表讀數應保持10歐姆左右?；Q紅、黑表筆接線，紅表筆接第二陽極A2，黑表筆接***陽極A1。同樣萬用表指針應不發生偏轉，阻值為無窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接，給G極加上負的觸發電壓，A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數應不變，保持在10歐姆左右。符合以上規律，說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節，以提高觸發電壓。晶閘管(可控硅)的管腳判別晶閘管管腳的判別可用下述方法：先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。功率可控硅采購調整器具有“自動限流”功能，負載電流大于額定值時，調壓器輸出電流被限制在額定值左右。

    **交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式結構。（4）現在市售VNF系列（N溝道）產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其比較高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關電路和廣播、通信設備中。（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達到30W。（6）多管并聯后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓。

    自由調節輸出負載的能力較好。附圖說明圖1是本實用新型實施例相交流固態調壓器的電路示意圖。具體實施方式下面結合附圖并通過實施例對本實用新型作進一步的詳細說明，以下實施例是對本實用新型的解釋而本實用新型并不局限于以下實施例。參見圖1，本實施例一種單相交流固態調壓器，其電路結構如下：整流橋的其中兩個腳連接交流電源的兩端，整流橋的其余兩腳分別連接電阻R4的一端和穩壓二極管的正極，穩壓二極管的正極連接電容C4的一端和變壓器B2輸入端2，穩壓二極管的負極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結晶體管T2的發射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極，光耦OC的腳2經由電阻R5連接輸入控制端的負極，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極，NPN三極管T1的發射極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結晶體管T2的發射極b1，單結晶體管T2的發射極b1連接變壓器B1的輸入端1，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1。鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。

    P3電位器調整。調整范圍*電壓限制：板內P1電位器或外接10KΩ電位器調整。調整范圍0~****電流限制（選件）：內置電流變換器，外接10KΩ電位器調整。調整范圍20%~****過流報警（選件）：內置電流變換器，板內P2電位器調整。調整范圍***~150%*散熱器超溫保護:75℃溫度開關，常閉接點動作時間：<10ms*起動/停止開關:外接開關*調功/調壓切換(選件):外接開關*工作環境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無結露海拔高度2000m以下存儲溫度：-30~+60℃其它要求：通風良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調整器是移相型閉環電力控制器，其**部件采用國外生產的高性能、高可靠性的**級可控硅觸發**集成電路。輸出觸發脈沖具有極高的對稱性及穩定性，且不隨環境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調整?，F場調試一般不需要示波器即可完成。整流器可以由真空管，引燃管，固態矽半導體二極管，汞弧等制成。功率可控硅采購

調整器具有軟起動、軟關斷功能，減少對電網的沖擊和干擾，使主回路晶閘管更加安全可靠。功率可控硅采購

    采用比較常用的NPN三級管S8050和PNP三極管S8550來設計制作實際的測試電路板(PCB)，如圖5所示。圖6中所標識的T2、T1和G與圖5所示的相同，也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個接線極。利用該模塊電路串入負載接通正或負的直流電源和觸發信號來測試，所得結果如圖7所示，在正或負觸發信號接入前電流表上的指示為0，當正或負觸發信號接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值。該實驗表明該電路在正負電源供電情況下能雙向觸發導通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號時，其測驗結果如圖8所示。示波器探針1接觸發信號，探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發信號為0是，T1-T2之間的電壓等于電源電壓值，表明該電路沒有導通，當觸發信號脈沖到來時，T1-T2兩端的電壓值為0，表明模塊電路已經導通。4結束語在詳細解讀了雙向可控硅的內部結構和工作原理的基礎之上，設計了一款以7個三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發的控制電路。利用常用的對管S8050和S8550制作出實驗電路驗證了該電路的正確性。在今后具體運用過程中可以通過對此電路的相關器件做適當調整來滿足具體的需求和設計要求。同時。功率可控硅采購

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