雙向晶閘管的電極引線不規則，通常G極是在T1極側引出而不是T2極側。雙向晶閘管的兩個主電極T1和T2還是有區別的，雙向晶閘管的觸發通常是相對與T1與G之間的電流。

可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構成了一個可控整流電路。

 在一個**基本的單相半波可控整流電路中，當正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發脈沖時，可控硅才被觸發導通，負載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發脈沖到來的時間，來進一步調節負載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用。 嚴格控制貯存時間ts并恰當調整整機電路，就可以降低對hFE參數的依賴程度。小型可控硅芯片廠家

    控制交流負載回路的通斷，通常會用到繼電器。繼電器是機械式觸點的電磁元器件，可以實現弱電控制強電的目的。但是在帶電流分斷負載回路時，會產生電弧腐蝕觸點，降低了繼電器的使用壽命，并且繼電器觸點的響應時間在ms級別，不適合用于高速通斷的回路中。題目不想用繼電器來控制交流回路的通斷，那么可以考慮使用可控硅來實現。1什么是可控硅可控硅是具有四層結構的PNPN型半導體器件，可以看作是由兩個三極管所構成的元器件，可控硅的半導體結構如下圖所示。可控硅從導通方向可以分為單向可控硅SCR和雙向可控硅Triac。單向可控硅的三個電極分別是陽極A、陰極K和控制極G；雙向可控硅的三個電極分別為T1，T2以及控制G。可控硅的在導通后，及時將控制信號去掉，可控硅仍然處于導通狀態。在交流負載回路中，一般使用雙向可控硅。2可控硅控制回路的設計單片機控制可控硅回路的通斷時，比較好使用光耦做隔離。所設計的可控硅控制電路如下圖所示。單片機的輸出端接三極管的基極，通過三極管來控制光耦的通斷，圖中以燈泡作為負載。當單片機輸出高電平時，光耦導通，此時可控硅的控制極有觸發信號，并且T1和T2上的交流電源滿足導通條件。單片機輸出低電平時，光耦截止。小型可控硅芯片廠家整流器是把交流電轉換成直流電的裝置，可用于供電裝置及偵測無線電信號等。

可控硅有三個極----陽極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN 結，與只有一個PN結的硅整流二極管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引入，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。可控硅應用時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

    也可以用圖4中的測試電路測試普通晶閘管的觸發能力。電路中，vT為被測晶閘管，HL為6．3V指示燈(手電筒中的小電珠)，GB為6V電源(可使用4節1．5V干電池或6V穩壓電源)，S為按鈕，R為限流電阻。當按鈕S未接通時，晶閘管VT處于阻斷狀態，指示燈HL不亮(若此時HL亮，則是vT擊穿或漏電損壞)。按動一下按鈕S后(使S接通一下，為晶閘管VT的門極G提供觸發電壓)，若指示燈HL一直點亮，則說明晶閘管的觸發能力良好。若指示燈亮度偏低，則表明晶閘管性能不良、導通壓降大(正常時導通壓降應為1v左右)。若按鈕S接通時，指示燈亮，而按鈕S斷開時，指示燈熄滅，則說明晶閘管已損壞，觸發性能不良。2．雙向晶閘管的檢測(1)判別各電極：用萬用表R×1或R×10檔分別測量雙向晶閘管三個引腳間的正、反向電阻值，若測得某一管腳與其他兩腳均不通，則此腳便是主電極T2。找出T2極之后，剩下的兩腳便是主電極Tl和門極G3。測量這兩腳之間的正、反向電阻值，會測得兩個均較小的電阻值。在電阻值較小(約幾十歐姆)的一次測量中，黑表筆接的是主電極T1，紅表筆接的是門極G。螺栓形雙向晶閘管的螺栓一端為主電極T2，較細的引線端為門極G，較粗的引線端為主電極T1。金屬封裝(To—3)雙向晶閘管的外殼為主電極T2。硅材料的禁帶寬度較大，導熱性能良好，適于制作大功率整流器件。

    當T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發信號（相對于T1、T2所接電源負極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當G極接負觸發信號時，其工作過原理如圖4所示，此時Q3的基極B和發射極E處于正偏電壓而致使Q3導通，繼而Q1導通給電容C充電后致Q2導通并保持導通狀態。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導體開關，目前主要用于對交流電源的控制，主要特點表現在能在四個象限來使可控硅觸發導通和保持導通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發信號Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發信號Vg的負。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負極，G觸發信號分別接Vg的正、負極。2類雙向可控硅電路設計在理解了前面所述雙向可控硅的內部結構和工作原理之后，依據其內部結構采用我們熟悉的晶體管來設計一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發電路。如圖5所示，電路采用用7個三極管和幾個電阻組成。把圖5電路中PN結的結構按圖6所示結構圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。可控硅調整器可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。小型可控硅芯片廠家

調整器主電路和控制電路一體化結構，體積小，重量輕，使用、維護十分方便。小型可控硅芯片廠家

從事電子科技領域內的技術開發，技術服務，技術咨詢，電子元器件，電子系統設備，計算機，軟件及輔助設備（除計算機信息系統安全**產品），電子元器件，可控硅半導體模塊，電子數碼產品，通信設備及相關產品，通訊器材銷售。將迎來新一輪的創新周期，在新一輪創新周期中，國產替代趨勢有望進一步加強。公司所處的本土電子元器件授權分銷行業，近年來進入飛速整合發展期，產業集中度不斷提升，規模化、平臺化趨勢加強。在一些客觀因素如貿易型的推動下，部分老舊、落后的產能先后退出市場，非重點品種的短缺已經非常明顯。在這樣的市場背景下，電子元器件產業有望迎來高速增長周期，如何填補這一片市場空白，需要理財者把握時勢，精確入局。努力開發國際從事電子科技領域內的技術開發，技術服務，技術咨詢，電子元器件，電子系統設備，計算機，軟件及輔助設備（除計算機信息系統安全**產品），電子元器件，可控硅半導體模塊，電子數碼產品，通信設備及相關產品，通訊器材銷售。原廠和國內原廠的代理權，開拓前沿應用垂直市場，如數據中心、5G基礎設施、物聯網、汽車電子、新能源、醫治等領域的重點器件和客戶消息，持續開展分銷行業及其上下游的并購及其他方式的擴張。目前國內外面臨較為復雜的經濟環境,傳統電子制造企業提升自身技術能力是破局轉型的關鍵。通過推動和支持傳統電子企業制造升級和自主創新,可以增強企業在產業鏈中的重點競爭能力。同時我國層面通過財稅政策的持續推進,從實質上給予可控硅觸發板，電力調整器，SCR調功器，SCR整流器創新型企業以支持,亦將對產業進步產生更深遠的影響。小型可控硅芯片廠家

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