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無(wú)錫單可控硅

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-27

    1.判定柵極G將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無(wú)窮大,并且交換表筆后仍為無(wú)窮大,則證明此腳為G極,因?yàn)樗土硗鈨蓚€(gè)管腳是絕緣的。2.判定源極S、漏極D由圖1可見(jiàn),在源-漏之間有一個(gè)PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識(shí)別S極與D極。用交換表筆法測(cè)兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時(shí)黑表筆的是S極,紅表筆接D極。3.測(cè)量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)將G-S極短路,選擇萬(wàn)用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。由于測(cè)試條件不同,測(cè)出的RDS(on)值比手冊(cè)中給出的典型值要高一些。例如用500型萬(wàn)用表R×1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=,大于(典型值)。4.檢查跨導(dǎo)將萬(wàn)用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S極,黑表筆接D極,手持螺絲刀去碰觸柵極,表針應(yīng)有明顯偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)愈大,管子的跨導(dǎo)愈高。注意事項(xiàng):(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對(duì)于P溝道管,測(cè)量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置。(2)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護(hù)二極管,本檢測(cè)方法中的1、2項(xiàng)不再適用。(3)目前市場(chǎng)上還有一種VMOS管功率模塊。整流器常用的冷卻方式有自然冷卻、純風(fēng)扇冷卻、自然冷卻和風(fēng)扇冷卻相結(jié)合三種。無(wú)錫單可控硅

    若在晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后斷開(kāi)G極,T2、T1極間不能維持低阻導(dǎo)通狀態(tài)而阻值變?yōu)闊o(wú)窮大,則說(shuō)明該雙向晶閘管性能不良或已經(jīng)損壞。若給G極加上正(或負(fù))極性觸發(fā)信號(hào)后,晶閘管仍不導(dǎo)通(T1與T2間的正、反向電阻值仍為無(wú)窮大),則說(shuō)明該晶閘管已損壞,無(wú)觸發(fā)導(dǎo)通能力。對(duì)于工作電流在8A以上的中、大功率雙向晶閘管,在測(cè)量其觸發(fā)能力時(shí),可先在萬(wàn)用表的某支表筆上串接1~3節(jié)1.5V干電池,然后再用R×1檔按上述方法測(cè)量。對(duì)于耐壓為400V以上的雙向晶閘管,也可以用220V交流電壓來(lái)測(cè)試其觸發(fā)能力及性能好壞。圖6是雙向晶閘管的測(cè)試電路。電路中,F(xiàn)L為60W/220V白熾燈泡,VT為被測(cè)雙向晶閘管,R為100Ω限流電阻,S為按鈕。將電源插頭接入市電后,雙向晶閘管處于截止?fàn)顟B(tài),燈泡不亮(若此時(shí)燈泡正常發(fā)光,則說(shuō)明被測(cè)晶閘管的T1、T2極之間已擊穿短路;若燈泡微亮,則說(shuō)明被測(cè)晶閘管漏電損壞)。按動(dòng)一下按鈕S,為晶閘管的門極G提供觸發(fā)電壓信號(hào),正常時(shí)晶閘管應(yīng)立即被觸發(fā)導(dǎo)通,燈泡正常發(fā)光。若燈泡不能發(fā)光,則說(shuō)明被測(cè)晶閘管內(nèi)部開(kāi)路損壞。若按動(dòng)按鈕s時(shí)燈泡點(diǎn)亮,松手后燈泡又熄滅,則表明被測(cè)晶閘管的觸發(fā)性能不良。無(wú)錫單可控硅整流器/充電機(jī)應(yīng)有蓄電池充電電流限流電路,將蓄電池充電電流限制到UPS額定輸出容量(KW)的15%。

    讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為***陽(yáng)極A1,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定的第二陽(yáng)極A2,紅表筆接***陽(yáng)極A1,此時(shí)萬(wàn)用表指針不應(yīng)發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無(wú)窮大。再用短接線將A2、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發(fā)電壓,A2、A1間阻值約10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G間短接線,萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右。互換紅、黑表筆接線,紅表筆接第二陽(yáng)極A2,黑表筆接***陽(yáng)極A1。同樣萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無(wú)窮大。用短接線將A2、G極間再次瞬間短接,給G極加上負(fù)的觸發(fā)電壓,A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G極間短接線,萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)不變,保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律,說(shuō)明被測(cè)雙向可控硅未損壞且三個(gè)引腳極性判斷正確。檢測(cè)較大功率可控硅時(shí),需要在萬(wàn)用表黑筆中串接一節(jié),以提高觸發(fā)電壓。晶閘管(可控硅)的管腳判別晶閘管管腳的判別可用下述方法:先用萬(wàn)用表R*1K擋測(cè)量三腳之間的阻值,阻值小的兩腳分別為控制極和陰極,所剩的一腳為陽(yáng)極。再將萬(wàn)用表置于R*10K擋,用手指捏住陽(yáng)極和另一腳,且不讓兩腳接觸,黑表筆接陽(yáng)極,紅表筆接剩下的一腳,如表針向右擺動(dòng),說(shuō)明紅表筆所接為陰極,不擺動(dòng)則為控制極。

    應(yīng)用KY-TSC系列投切開(kāi)關(guān)是在三相系統(tǒng)中用來(lái)投切電容,和其他投切器相比,該投切開(kāi)關(guān)具有在投切時(shí)無(wú)涌流,無(wú)接觸噪聲以及很高的開(kāi)關(guān)頻率。這些優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)觸發(fā)電路,晶閘管,二極管,以及一些輔助電路實(shí)現(xiàn)。該投切器適合用在負(fù)載變化較快的場(chǎng)合。組成單元該投切器主要有雙向可控硅,觸發(fā)電路,吸收電路,散熱片,以及冷卻裝置等元件組成。出點(diǎn)電路在電壓過(guò)零前后進(jìn)行判斷是否輸出控制信號(hào)(DC12V),進(jìn)而使可控硅進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷。觸發(fā)電路能夠可靠的保證控制信號(hào)的輸出,散熱片的良好的導(dǎo)熱作用以及散熱風(fēng)機(jī)的添加,改善了投切開(kāi)關(guān)的散熱效果。該裝置有內(nèi)置過(guò)溫保護(hù)開(kāi)關(guān),以及控制風(fēng)機(jī)自動(dòng)運(yùn)行的溫度開(kāi)關(guān),從而為安全的運(yùn)行提供了良好的條件。 一臺(tái)儀表可以同時(shí)控制多臺(tái)觸發(fā)板。

    只要陽(yáng)極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續(xù)處于低阻導(dǎo)通狀態(tài)。只有把陽(yáng)極A電壓拆除或陽(yáng)極A、陰極K間電壓極性發(fā)生改變(交流過(guò)零)時(shí),單向可控硅才由低阻導(dǎo)通狀態(tài)轉(zhuǎn)換為高阻截止?fàn)顟B(tài)。單向可控硅一旦截止,即使陽(yáng)極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的導(dǎo)通與截止?fàn)顟B(tài)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的閉合與斷開(kāi)狀態(tài),用它可制成無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。雙向可控硅***陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和***陽(yáng)極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,即使失去觸發(fā)電壓,也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)***陽(yáng)極A1、第二陽(yáng)極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒(méi)有觸發(fā)電壓時(shí),雙向可控硅才截?cái)啵藭r(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。單向可控硅的檢測(cè)。萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋,用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳,此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G,紅表筆的引腳為陰極K,另一空腳為陽(yáng)極A。此時(shí)將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A,紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。螺栓可控硅

調(diào)整器采用移相觸發(fā)方式,適用于阻性、感性負(fù)載,變壓器一次側(cè)。無(wú)錫單可控硅

從事電子科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開(kāi)發(fā),技術(shù)服務(wù),技術(shù)咨詢,電子元器件,電子系統(tǒng)設(shè)備,計(jì)算機(jī),軟件及輔助設(shè)備(除計(jì)算機(jī)信息系統(tǒng)安全**產(chǎn)品),電子元器件,可控硅半導(dǎo)體模塊,電子數(shù)碼產(chǎn)品,通信設(shè)備及相關(guān)產(chǎn)品,通訊器材銷售。將迎來(lái)新一輪的創(chuàng)新周期,在新一輪創(chuàng)新周期中,國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)有望進(jìn)一步加強(qiáng)。公司所處的本土電子元器件授權(quán)分銷行業(yè),近年來(lái)進(jìn)入飛速整合發(fā)展期,產(chǎn)業(yè)集中度不斷提升,規(guī)模化、平臺(tái)化趨勢(shì)加強(qiáng)。對(duì)于下一步發(fā)展計(jì)劃,不少行業(yè)家和企業(yè)表示,后續(xù)將繼續(xù)完善電子信息全產(chǎn)業(yè)鏈的交易服務(wù)平臺(tái),深耕拓展從事電子科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開(kāi)發(fā),技術(shù)服務(wù),技術(shù)咨詢,電子元器件,電子系統(tǒng)設(shè)備,計(jì)算機(jī),軟件及輔助設(shè)備(除計(jì)算機(jī)信息系統(tǒng)安全**產(chǎn)品),電子元器件,可控硅半導(dǎo)體模塊,電子數(shù)碼產(chǎn)品,通信設(shè)備及相關(guān)產(chǎn)品,通訊器材銷售。線下授權(quán)分銷及上下游相關(guān)行業(yè),完善產(chǎn)業(yè)布局,通過(guò)發(fā)揮華強(qiáng)半導(dǎo)體集團(tuán)的大平臺(tái)優(yōu)勢(shì),整合優(yōu)化從事電子科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開(kāi)發(fā),技術(shù)服務(wù),技術(shù)咨詢,電子元器件,電子系統(tǒng)設(shè)備,計(jì)算機(jī),軟件及輔助設(shè)備(除計(jì)算機(jī)信息系統(tǒng)安全**產(chǎn)品),電子元器件,可控硅半導(dǎo)體模塊,電子數(shù)碼產(chǎn)品,通信設(shè)備及相關(guān)產(chǎn)品,通訊器材銷售。線下授權(quán)分銷業(yè)務(wù)內(nèi)外部資源。新型顯示、智能終端、人工智能、汽車電子、互聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用產(chǎn)品、移動(dòng)通信、智慧家庭、5G等領(lǐng)域成為中國(guó)電子元器件市場(chǎng)發(fā)展的源源不斷的動(dòng)力,帶動(dòng)了電子元器件的市場(chǎng)需求,也加快電子元器件更迭換代的速度,從下游需求層面來(lái)看,電子元器件市場(chǎng)的發(fā)展前景極為可觀。目前國(guó)內(nèi)外面臨較為復(fù)雜的經(jīng)濟(jì)環(huán)境,傳統(tǒng)電子制造企業(yè)提升自身技術(shù)能力是破局轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵。通過(guò)推動(dòng)和支持傳統(tǒng)電子企業(yè)制造升級(jí)和自主創(chuàng)新,可以增強(qiáng)企業(yè)在產(chǎn)業(yè)鏈中的重點(diǎn)競(jìng)爭(zhēng)能力。同時(shí)我國(guó)層面通過(guò)財(cái)稅政策的持續(xù)推進(jìn),從實(shí)質(zhì)上給予可控硅觸發(fā)板,電力調(diào)整器,SCR調(diào)功器,SCR整流器創(chuàng)新型企業(yè)以支持,亦將對(duì)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步產(chǎn)生更深遠(yuǎn)的影響。無(wú)錫單可控硅

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