可控整流電路的作用是把交流電變換為電壓值可以調節的直流電。圖20－1所示為單相半控橋式整流實驗電路。主電路由負載RL（燈炮）和晶閘管T1組成，觸發電路為單結晶體管T2及一些阻容元件構成的阻容移相橋觸發電路。改變晶閘管T1的導通角，便可調節主電路的可控輸出整流電壓（或電流）的數值，這點可由燈炮負載的亮度變化看出。晶閘管導通角的大小決定于觸發脈沖的頻率f，由公式圖1單相半控橋式整流實驗電路可知，當單結晶體管的分壓比η（一般在～）及電容C值固定時，則頻率f大小由R決定，因此，通過調節電位器Rw，使可以改變觸發脈沖頻率，主電路的輸出電壓也，從而達到可控調壓的目的。用萬用電表的電阻檔（或用數字萬用表二極管檔）可以對單結晶體管和晶閘管進行簡易測試。圖2為單結晶體管BT33管腳排列、結構圖及電路符號。好的單結晶體管PN結正向電阻REB1、REB2均較小，且REB1稍大于REB2，PN結的反向電阻RB1E、RB2E均應很大，根據所測阻值，即可判斷出各管腳及管子的質量優劣。圖2單結晶體管BT33管腳排列、結構圖及電路符號圖3為晶閘管3CT3A管腳排列、結構圖及電路符號。晶閘管陽極（A）—陰極（K）及陽極（A）—門極（G）之間的正、反向電阻RAK、RKA、RAG、RGA均應很大。整流器是一個整流裝置，簡單的說就是將交流（AC）轉化為直流（DC）的裝置。江西可控硅采購廠家

KY-ZB3型周波觸發器是工業電加熱系統中相當有廣泛應用的SSR信號處理控制器。具有周期過零式（PWM占空比控制）和周波過零式（CYC變周期控制）兩種控制方式。觸發器采用鎖相環同步電路、自動判別相位。可做為單相調功、三相三控、三相兩控過零觸發控制。其優越的周波過零控制使負載電流的通斷是按正弦波均勻分布的。它提高了調節精度和電源的利用效率以及避免了打表針現象，節電效果也十分明顯。主要應用于電阻性負載、溫度加熱控制單元以及各種工業爐等。小型可控硅定制可控硅觸發板用于同步機勵磁控制、汽輪發電機機勵磁控制等。

    主要應用如下：◇以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠紅外發熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。◇鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度控制。◇整流變壓器、電爐變壓器一次側控制。◇真空鍍膜設備等◇三相力矩電動機的速度控制。◇電壓、電流、功率、燈光等無級平滑調節。◇恒壓、恒流、恒功率控制。■特點:*可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。*采用移相式觸發方式、適用于阻性負載、感性負載、變壓器一次側等各種負載類型。*能與國內外各種控制儀表、微機的輸出信號直接接口。*一臺儀表可以同時控制多臺觸發板。*具有軟啟動功能，減少對電網的沖擊干擾，使主電路更加安全可靠。*脈沖輸出對稱度小于。*同步電壓范圍寬。恒電壓反饋:電源電壓波動±10%，負載阻抗變化10倍時，負荷電壓保持恒定，輸出電壓與控制信號成線性關系恒電流反饋:電源電壓波動±10%，負載阻抗變化10倍時，負荷電流保持恒定，輸出電流與控制信號成線性關系恒功率反饋:電源電壓波動±10%，負載阻抗變化10倍時，負荷功率保持恒定，輸出功率與控制信號成線性關系■正常使用條件:*海拔不超過3000米。*工作環境溫度-30℃~55℃。*空氣比較大相對濕度不超過90%。

    控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通。如果把二極管換成可控硅，就可以構成可控整流電路。

    說明被測雙向可控硅未損壞且三個引腳極性判斷正確。檢測較大功率可控硅時，需要在萬用表黑筆中串接一節干電池，以提高觸發電壓。晶閘管(可控硅)的管腳判別晶閘管管腳的判別可用下述方法：先用萬用表R*1K擋測量三腳之間的阻值，阻值小的兩腳分別為控制極和陰極，所剩的一腳為陽極。再將萬用表置于R*10K擋，用手指捏住陽極和另一腳，且不讓兩腳接觸，黑表筆接陽極，紅表筆接剩下的一腳，如表針向右擺動，說明紅表筆所接為陰極，不擺動則為控制極。各種晶閘管(可控硅)的檢測方法1．單向晶閘管的檢測(1)判別各電極：根據普通晶閘管的結構可知，其門極G與陰極K極之間為一個PN結，具有單向導電特性，而陽極A與門極之間有兩個反極性串聯的PN結。因此，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個電極。若測量結果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G。 可控硅調整器能與國內外各種控制儀表、微機的輸出信號直接接口。江西可控硅采購廠家

可控硅觸發板用于水泵、風機等軟啟動控制，調速節能控制等。江西可控硅采購廠家

    正是由于它將電子管與功率晶體管之優點集于一身，因此在電壓放大器（電壓放大倍數可達數千倍）、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用。VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區等優點，尤其是其具有負的電流溫度系數，即在柵-源電壓不變的情況下，導通電流會隨管溫升高而減小，故不存在由于“二次擊穿”現象所引起的管子損壞現象。因此，VMOS管的并聯得到廣泛應用。眾所周知，傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極**致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，從圖1上可以看出其兩大結構特點:***，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區（源極S）出發，經過P溝道流入輕摻雜N-漂移區，***垂直向下到達漏極D。電流方向如圖中箭頭所示，因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。國內生產VMOS場效應管的主要廠家有877廠、天津半導體器件四廠、杭州電子管廠等，典型產品有VN401、VN672、VMPT2等。下面介紹檢測VMOS管的方法。江西可控硅采購廠家

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