采用比較常用的NPN三級管S8050和PNP三極管S8550來設計制作實際的測試電路板(PCB)，如圖5所示。圖6中所標識的T2、T1和G與圖5所示的相同，也類似于雙向可控硅的T2、T1和G三個接線極。利用該模塊電路串入負載接通正或負的直流電源和觸發信號來測試，所得結果如圖7所示，在正或負觸發信號接入前電流表上的指示為0，當正或負觸發信號接通并撤離后電流表指示依然保持原來的電流值。該實驗表明該電路在正負電源供電情況下能雙向觸發導通。該模塊電路在接通交流電源和脈沖控制信號時，其測驗結果如圖8所示。示波器探針1接觸發信號，探針2接模塊電路的兩端T1-T2之間的電壓。在觸發信號為0是，T1-T2之間的電壓等于電源電壓值，表明該電路沒有導通，當觸發信號脈沖到來時，T1-T2兩端的電壓值為0，表明模塊電路已經導通。4結束語在詳細解讀了雙向可控硅的內部結構和工作原理的基礎之上，設計了一款以7個三極管為主要元器件和電阻電容可以被雙向觸發的控制電路。利用常用的對管S8050和S8550制作出實驗電路驗證了該電路的正確性。在今后具體運用過程中可以通過對此電路的相關器件做適當調整來滿足具體的需求和設計要求。同時。整流器還用在調幅(AM)無線電信號的檢波。山東單相整流可控硅

    如It12和It21所示，It12流向是從P2流入經N2-P1-N1流出，It21從P1流入經N2-P2-N32流出；G極觸發電流Ig+由P2流入或Ig-從N31流出。下面是所設計電路在四個象限的觸發導通工作過程。T2接電源Vt21正極，T1接通電源Vt21負此時當G極接Vg+為正電壓，Q4、Q5、Q6、Q7處于反向截止，Q1的B極和E極之間無正偏壓也處于截止狀態，Vg+由P2輸入后經R3使Q2的B極和E極之間產生正偏電壓而導通，從而促使Q3導通，這時即使撤出Vg+，在電容C1的的作用下，Q2、Q3也仍然能處于導通狀態，只有當Vt21先反向或撤除才重回截止。當G極接Vg為負，Q4、Q5、Q6、Q7同樣處于反向截止狀態，Q1的B極和E極之間因Vg產生正偏電壓而導通，從而使Q3、Q2導通并得以保持導通狀態。T1接電源Vt12正極，T2接通負電源Vt12的負極此時G極接Vg為正，Q1因B極和E極之間處于反向偏壓而截止，Q3處于反向截止，Q2因B極和E極之間處于正向偏壓導通而導致Q4、Q7的導通，從而Q6、Q7導通并保持導通狀態，只有當Vt12先反向或撤除才重回截止。當G極接Vg為負，Q1、Q2、Q3和Q4處于反向截止，Q5的B極和E極之間因Vg而處于正偏導通，從而使Q6導通，繼而Q7、Q6導通并得以保持導通狀態。3電路制作與實驗驗證為了驗證所設計電路。山東單相整流可控硅業界推出的節能燈和電子鎮流器**三極管都十分注重對貯存時間的控制。

    穩壓二極管的負極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結晶體管T2的發射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1，所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極，光耦OC的腳2經由電阻R5連接輸入控制端的負極，光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極，NPN三極管T1的發射極連接電阻R6的一端，電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結晶體管T2的發射極b1，單結晶體管T2的發射極b1連接變壓器B1的輸入端1，變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1，變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1，變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2，所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1，所述單向可控硅SCR2的G極連接變壓器B1的輸出端2，所述單向可控硅SCR1的A極和K極分別連接電源輸出端1和電源輸出端2，所述單向可控硅SCR2的A極和K極分別連接電源輸出端2和電源輸出端1。作為推薦，所述電源輸出端1和電源輸出端2分別連接電容C的一端和電阻R的一端，電容C的另一端和電阻R的另一端連接。本實用新型與現有技術相比，具有以下優點和效果：單向可控硅分別通過**的光耦進行隔離，提高了單向可控硅的耐受性能，實現負載電壓從零伏到電網全電壓的無級可調。

    P3電位器調整。調整范圍*電壓限制：板內P1電位器或外接10KΩ電位器調整。調整范圍0~****電流限制（選件）：內置電流變換器，外接10KΩ電位器調整。調整范圍20%~****過流報警（選件）：內置電流變換器，板內P2電位器調整。調整范圍***~150%*散熱器超溫保護:75℃溫度開關，常閉接點動作時間：<10ms*起動/停止開關:外接開關*調功/調壓切換(選件):外接開關*工作環境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無結露海拔高度2000m以下存儲溫度：-30~+60℃其它要求：通風良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調整器是移相型閉環電力控制器，其**部件采用國外生產的高性能、高可靠性的**級可控硅觸發**集成電路。輸出觸發脈沖具有極高的對稱性及穩定性，且不隨環境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調整。現場調試一般不需要示波器即可完成。因為貯存時間ts過長，電路的振蕩頻率將下降，整機的工作電流增大易導致三極管的損壞。

    當T1與T2之間接通電源后，給G極正向觸發信號（相對于T1、T2所接電源負極而言），其工作原理如前面單向可控硅完全相同。當G極接負觸發信號時，其工作過原理如圖4所示，此時Q3的基極B和發射極E處于正偏電壓而致使Q3導通，繼而Q1導通給電容C充電后致Q2導通并保持導通狀態。雙向可控硅的英文簡稱TRIC是英文TriadACsemiconductorswitch的縮寫，其意思是三端交流半導體開關，目前主要用于對交流電源的控制，主要特點表現在能在四個象限來使可控硅觸發導通和保持導通，直到所接電源撤出或反向[6][7]。***象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發信號Vg的正。第二象限是T2接電源V的正極T1接電源V的負極，G觸發信號Vg的負。第三、四象限是T1接電源V的正極T2接電源V的負極，G觸發信號分別接Vg的正、負極。2類雙向可控硅電路設計在理解了前面所述雙向可控硅的內部結構和工作原理之后，依據其內部結構采用我們熟悉的晶體管來設計一種類似有雙向可控硅工作的雙向可觸發電路。如圖5所示，電路采用用7個三極管和幾個電阻組成。把圖5電路中PN結的結構按圖6所示結構圖描出，與圖3-a、b比較很是相似。在圖5所示電路中，內部電流在外界所接電源的極性不同而有兩種流向。整流器可以由真空管，引燃管，固態矽半導體二極管，汞弧等制成。山東單相整流可控硅

如果把二極管換成可控硅，就可以構成可控整流電路。山東單相整流可控硅

    可控硅檢測方法與經驗可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優點，它是大功率開關型半導體器件，廣泛應用在電力、電子線路中。1.可控硅的特性。可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變（交流過零）時，單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止，即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓，仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態，用它可制成無觸點開關。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間，無論所加電壓極性是正向還是反向。山東單相整流可控硅

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