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單相整流可控硅模塊

來源: 發布時間:2022-05-19

    主要應用如下:◇以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠紅外發熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。◇鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度控制?!笳髯儔浩?、電爐變壓器一次側控制?!笳婵斟兡ぴO備等◇三相力矩電動機的速度控制?!箅妷?、電流、功率、燈光等無級平滑調節?!蠛銐?、恒流、恒功率控制?!鎏攸c:*可用380V電源頻率為50HZ/60HZ電**殊電壓要求可定制。*采用移相式觸發方式、適用于阻性負載、感性負載、變壓器一次側等各種負載類型。*能與國內外各種控制儀表、微機的輸出信號直接接口。*一臺儀表可以同時控制多臺觸發板。*具有軟啟動功能,減少對電網的沖擊干擾,使主電路更加安全可靠。*脈沖輸出對稱度小于。*同步電壓范圍寬。恒電壓反饋:電源電壓波動±10%,負載阻抗變化10倍時,負荷電壓保持恒定,輸出電壓與控制信號成線性關系恒電流反饋:電源電壓波動±10%,負載阻抗變化10倍時,負荷電流保持恒定,輸出電流與控制信號成線性關系恒功率反饋:電源電壓波動±10%,負載阻抗變化10倍時,負荷功率保持恒定,輸出功率與控制信號成線性關系■正常使用條件:*海拔不超過3000米。*工作環境溫度-30℃~55℃。*空氣比較大相對濕度不超過90%。為了減小器件因過壓擊穿造成損壞的可能性和提高整流裝置的可靠性,可采用硅雪崩整流器。單相整流可控硅模塊

    可控硅檢測方法與經驗可控硅(SCR)國際通用名稱為Thyyistoy,中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作,具有耐壓高、容量大、體積小等優點,它是大功率開關型半導體器件,廣泛應用在電力、電子線路中。1.可控硅的特性??煽毓璺謫蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1(T1),第二陽極A2(T2)、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓,同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時,方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態,陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后,控制器G即使失去觸發電壓,只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓,單向可控硅繼續處于低阻導通狀態。只有把陽極A電壓拆除或陽極A、陰極K間電壓極性發生改變(交流過零)時,單向可控硅才由低阻導通狀態轉換為高阻截止狀態。單向可控硅一旦截止,即使陽極A和陰極K間又重新加上正向電壓,仍需在控制極G和陰極K間有重新加上正向觸發電壓方可導通。單向可控硅的導通與截止狀態相當于開關的閉合與斷開狀態,用它可制成無觸點開關。雙向可控硅***陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向。昆山可控硅調功在雙變換UPS中,此裝置既為逆變器供電,又給蓄電池充電,故稱為整流器/充電機。

    其輸出電壓的變化是由導通角的變化來決定的。相位控制部分正是根據調整管壓降的變化來改變可控硅導通角,進而改變整流濾波電路輸出電壓,將調整管壓降維持在3V左右。該穩壓電源中,采用KJ785晶閘管移相觸發電路。因為作為一種電源產品,應力求在實現同樣功能的前提下,器件性能好,電路簡單,實現容易。該觸發電路可以輸出兩路相差180度的觸發脈沖,可在0~180度范圍移相,可用于控制單相、雙向晶閘管和晶體管。KJ785由同步檢測寄存電路,基準電源,鋸齒波形成電路,移相電壓和鋸齒波綜合比較電路與邏輯控制功率放大等部分組成。鋸齒波斜率決定于9腳外接電阻和10腳外接電容。脈沖寬度由腳外接電容決定,不接該電容時,脈沖寬度由內接電容決定,約為30μs。KJ785只需單電源工作,觸發電路為負極性,即移相電壓增加,導通角減小。同步電壓從5腳輸入,可以直接取自電網電壓,降壓限流電阻取電網電壓×103Ω,也可采用同步變壓器隔離輸入。7,6腳可提供脈沖列和脈沖***的控制端。各管腳功能如表1所示。由于該穩壓電源是大功率電源,有發熱量較大的變壓器、整流二極管、可控硅、集成穩壓器等,更主要的是,調整管是大功率晶體管,發熱較大。因此該穩壓電源中,采用風扇送風。

    從而通過該電路來達到深入解析可控硅和設計實際運用電路的目的。1雙向可控硅工作原理與特點從理論上來講,雙向可控硅可以說是有兩個反向并列的單向可控硅組成,理解單向可控硅的工作原理是理解雙向可控硅工作原理的基礎[2-5]。單向可控硅也叫晶閘管,其組成結構圖如圖1-a所示,可以分割成四個硅區P、N、P、N和A、K、G三個接線極。把圖一按圖1-b所示切成兩半,就很容易理解成如圖1-c所示由一個PNP三極管和一個NPN三極管為主組成一個單向可控硅管。在圖1-c的基礎上接通電源控制電路如圖2所示,當陽極-陰極(A-K)接上正向電壓V后,只要柵極G接通觸發電源Vg,三極管Q2就會正向導通,開通瞬間Q1只是類似于接在Q1集電極的一個負載與電源正極接通,隨后Q1也在Q2的拉電流下導通,此時由于C被充電,即便斷開G極的觸發電源Vg,Q1和Q2在相互作用下仍能維持導通狀態,只有當電源電壓V變得相當小之后Q1和Q2才會再次截止。相比于單向可控硅,雙向可控硅在原理上比較大的區別就是能雙向導通,不再有陽極陰極之分,取而代之以T1和T2,其結構示意圖如圖3-a所示,如果不考慮G級的不同,把它分割成圖3-b所示,可以看出相當于兩個單向可控硅反向并聯而成[1-2],如圖3-c所示連接??煽毓栌|發板現場調試一般不需要示波器即可完成。

    穩壓二極管的負極連接電阻R4的另一端、光耦OC的腳4、NPN三極管T1的集電極、單結晶體管T2的發射極b2、單向可控硅SCR1的A極、單向可控硅SCR2的K極以及電源輸出端1,所述光耦OC的腳1連接輸入控制端的正極,光耦OC的腳2經由電阻R5連接輸入控制端的負極,光耦OC的腳3連接NPN三極管T1的基極,NPN三極管T1的發射極連接電阻R6的一端,電阻R6的另一端連接電容C4的另一端以及單結晶體管T2的發射極b1,單結晶體管T2的發射極b1連接變壓器B1的輸入端1,變壓器B1的輸入端2連接變壓器B2輸入端1,變壓器B1的輸出端1連接電源輸出端1,變壓器B2的輸出端2連接電源輸出端2,所述單向可控硅SCR1的G極連接變壓器B2的輸出端1,所述單向可控硅SCR2的G極連接變壓器B1的輸出端2,所述單向可控硅SCR1的A極和K極分別連接電源輸出端1和電源輸出端2,所述單向可控硅SCR2的A極和K極分別連接電源輸出端2和電源輸出端1。作為推薦,所述電源輸出端1和電源輸出端2分別連接電容C的一端和電阻R的一端,電容C的另一端和電阻R的另一端連接。本實用新型與現有技術相比,具有以下優點和效果:單向可控硅分別通過**的光耦進行隔離,提高了單向可控硅的耐受性能,實現負載電壓從零伏到電網全電壓的無級可調??煽毓栌|發板用于單相、三相電焊機控制、電解電鍍控制等。昆山可控硅調功

硅材料的禁帶寬度較大,導熱性能良好,適于制作大功率整流器件。單相整流可控硅模塊

    焊接場效應管是比較方便的,并且確保安全;在未關斷電源時,***不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。(5)在安裝場效應管時,注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件;為了防管件振動,有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時,應當大于根部尺寸5毫米處進行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場效應管,要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用,必須設計足夠的散熱器,確保殼體溫度不超過額定值,使器件長期穩定可靠地工作??傊_保場效應管安全使用,要注意的事項是多種多樣,采取的安全措施也是各種各樣,廣大的專業技術人員,特別是廣大的電子愛好者,都要根據自己的實際情況出發,采取切實可行的辦法,安全有效地用好場效應管。三.VMOS場效應管VMOS場效應管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應管,其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高.效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅動電流小(μA左右),還具有耐壓高(比較高1200V)、工作電流大(~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。單相整流可控硅模塊

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