1．判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。2．判定源極S、漏極D由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。3．測量漏-源通態電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于（典型值）。4．檢查跨導將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。注意事項：（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時應交換表筆的位置。（2）有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊。調整器主電路和控制電路一體化結構，體積小，重量輕，使用、維護十分方便。調壓可控硅價位

    其G、K極問PN結已失去單向導電作用。測量陽極A與門極G之間的正、反向電阻，正常時兩個阻值均應為幾百千歐姆(kΩ)或無窮大，若出現正、反向電阻值不一樣(有類似二極管的單向導電)。則是G、A極之間反向串聯的兩個PN結中的一個已擊穿短路。(3)觸發能力檢測：對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量。測量時黑表筆接陽極A，紅表筆接陰極K，此時表針不動，顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或導線將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2)，相當于給G極加上正向觸發電壓，此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據晶閘管的型號不同會有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發而導通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動，只將G極的觸發電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此晶閘管的觸發性能良好。對于工作電流在5A以上的中、大功率普通晶閘管，因其通態壓降VT維持電流IH及門極觸發電壓Vo均相對較大，萬用表R×1kΩ檔所提供的電流偏低，晶閘管不能完全導通，故檢測時可在黑表筆端串接一只200Ω可調電阻和1～3節1．5V干電池(視被測晶閘管的容量而定，其工作電流大于100A的，應用3節1．5V干電池)，如圖3所示。封裝可控硅經銷批發因為貯存時間ts過長，電路的振蕩頻率將下降，整機的工作電流增大易導致三極管的損壞。

    摘要：為了深入了解雙向可控硅內部電路和工作原理，以運用簡便易懂的三極管為主，依據雙向可控硅內部P型半導體和N型半導體的分布，設計一種可以被雙向觸發導通的電路。并從理論上來對其進行論述，通過實際電路制作對其進行了驗證，在實際運用方面達到與雙向可控硅具有同樣的效果。0引言雙向可控硅（TRIAC）在控制交流電源控制領域的運用非常***，如我們的日光燈調光電路、交流電機轉速控制電路等都主要是利用雙向可控硅可以雙向觸發導通的特點來控制交流供電電源的導通相位角，從而達到控制供電電流的大小[1]。然而對其工作原理和結構的描述，以我們可以查悉的資料都只是很淺顯地提及，大部分都是對它的外圍電路的應用和工作方式、參數的選擇等等做了比較多的描述，更進一步的--哪怕是內部方框電路--內容也很難找到。由于可控硅所有的電子部件是集成在同一硅源之上，我們根本是不可能通過采用類似機械的拆卸手段來觀察其內部結構。為了深入了解和運用可控硅，依據現有可查資料所給P型和N型半導體的分布圖，采用分離元器件--三極管、電阻和電容--來設計一款電路，使該電路在PN的連接、分布和履行的功能上完全與雙向可控硅類似。

    焊接場效應管是比較方便的，并且確保安全；在未關斷電源時，***不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。（5）在安裝場效應管時，注意安裝的位置要盡量避免靠近發熱元件；為了防管件振動，有必要將管殼體緊固起來；管腳引線在彎曲時，應當大于根部尺寸５毫米處進行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作?？傊?，確保場效應管安全使用，要注意的事項是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業技術人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據自己的實際情況出發，采取切實可行的辦法，安全有效地用好場效應管。三.VMOS場效應管VMOS場效應管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應管，其全稱為V型槽MOS場效應管。它是繼MOSFET之后新發展起來的高.效、功率開關器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高（≥108W）、驅動電流小（μA左右），還具有耐壓高（比較高1200V）、工作電流大（～100A）、輸出功率高（1～250W）、跨導的線性好、開關速度快等優良特性。可控硅觸發板是通過調整可控硅的導通角來實現電氣設備的電壓電流功率調整的一種移相型的電力控制器。

    若在晶閘管被觸發導通后斷開G極，T2、T1極間不能維持低阻導通狀態而阻值變為無窮大，則說明該雙向晶閘管性能不良或已經損壞。若給G極加上正(或負)極性觸發信號后，晶閘管仍不導通(T1與T2間的正、反向電阻值仍為無窮大)，則說明該晶閘管已損壞，無觸發導通能力。對于工作電流在8A以上的中、大功率雙向晶閘管，在測量其觸發能力時，可先在萬用表的某支表筆上串接1～3節1．5V干電池，然后再用R×1檔按上述方法測量。對于耐壓為400V以上的雙向晶閘管，也可以用220V交流電壓來測試其觸發能力及性能好壞。圖6是雙向晶閘管的測試電路。電路中，FL為60W／220V白熾燈泡，VT為被測雙向晶閘管，R為100Ω限流電阻，S為按鈕。將電源插頭接入市電后，雙向晶閘管處于截止狀態，燈泡不亮(若此時燈泡正常發光，則說明被測晶閘管的T1、T2極之間已擊穿短路；若燈泡微亮，則說明被測晶閘管漏電損壞)。按動一下按鈕S，為晶閘管的門極G提供觸發電壓信號，正常時晶閘管應立即被觸發導通，燈泡正常發光。若燈泡不能發光，則說明被測晶閘管內部開路損壞。若按動按鈕s時燈泡點亮，松手后燈泡又熄滅，則表明被測晶閘管的觸發性能不良。觸發板應用于工業各領域的電壓電流調節，用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側及各種整流裝置等。封裝可控硅經銷批發

通常把電流容量在1安以下的器件稱為整流二極管，1安以上的稱為整流器。調壓可控硅價位

    2具體電路實現電路結構框圖如圖1所示。該電路選取單向橋式半控整流電路，降低了成本。大功率或大電流的穩壓電源，一般采用L－C濾波電路。但是，大電流的濾波電抗器體積大，重量重，價格也較貴，因此，在該穩壓電源的設計中仍采用大電容濾波。線性穩壓器部分仍采用串聯反饋調整型穩壓器原理，構成一個閉環反饋系統。主要包括：調整管，取樣電路，基準電壓源，誤差比較放大器。由于該穩壓電源輸出電流20A，電流很大，所以，為減小調整管功耗，采用并聯形式，在本電源中，調整管用兩個大功率三極管并聯，使每管流過電流為10A左右。這樣，每個管子的功耗不大于40W，減小了調整管功耗。調整管集電極電流為10A左右，因此應采用大功率晶體三極管，選取β＝40～50，這樣，基極電流應達2×0．3A，即600mA。而一般集成運算放大器輸出電流只有幾十毫安級，不能讓比較放大電路的輸出端直接來推動調整管，因此在比較放大電路的輸出端與調整管的基極之間，加入推動級，此處選擇一個小功率三極管，構成復合管的形式。啟動電阻Rc取2k。防振電容C取10μF。在穩壓電路中，基準源是整個穩壓系統工作的參考，穩壓的**終效果取決于基準源的水平。因此，該電源中。調壓可控硅價位

上海凱月電子科技有限公司是一家從事電子科技領域內的技術開發，技術服務，技術咨詢，電子元器件，電子系統設備，計算機，軟件及輔助設備（除計算機信息系統安全**產品），電子元器件，可控硅半導體模塊，電子數碼產品，通信設備及相關產品，通訊器材銷售。的公司，是一家集研發、設計、生產和銷售為一體的專業化公司。上海凱月電子科技作為從事電子科技領域內的技術開發，技術服務，技術咨詢，電子元器件，電子系統設備，計算機，軟件及輔助設備（除計算機信息系統安全**產品），電子元器件，可控硅半導體模塊，電子數碼產品，通信設備及相關產品，通訊器材銷售。的企業之一，為客戶提供良好的可控硅觸發板，電力調整器，SCR調功器，SCR整流器。上海凱月電子科技不斷開拓創新，追求出色，以技術為先導，以產品為平臺，以應用為重點，以服務為保證，不斷為客戶創造更高價值，提供更優服務。上海凱月電子科技創始人李丹，始終關注客戶，創新科技，竭誠為客戶提供良好的服務。