P3電位器調整。調整范圍*電壓限制：板內P1電位器或外接10KΩ電位器調整。調整范圍0~****電流限制（選件）：內置電流變換器，外接10KΩ電位器調整。調整范圍20%~****過流報警（選件）：內置電流變換器，板內P2電位器調整。調整范圍***~150%*散熱器超溫保護:75℃溫度開關，常閉接點動作時間：<10ms*起動/停止開關:外接開關*調功/調壓切換(選件):外接開關*工作環境:溫度范圍：-30~+50℃濕度范圍：90%RH比較大無結露海拔高度2000m以下存儲溫度：-30~+60℃其它要求：通風良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性、可燃性氣體*安裝形式和要求:壁掛式，垂直安裝絕緣電阻:模塊輸出端與外殼，500VDC；**小控制板電源端與外殼，500VDC；控制輸入端與外殼，500VDC；控制板輸入端與電源端，500VDC*介電強度：模塊輸出端與外殼之間，2000VAC1分鐘；控制電源端與外殼之間，2000VAC1分鐘單相電力調整器是移相型閉環電力控制器，其**部件采用國外生產的高性能、高可靠性的**級可控硅觸發**集成電路。輸出觸發脈沖具有極高的對稱性及穩定性，且不隨環境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調整。現場調試一般不需要示波器即可完成。在雙變換UPS中，此裝置既為逆變器供電，又給蓄電池充電，故稱為整流器/充電機。單相整流可控硅生產加工

    **交流電機調速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產的IRFT001型模塊，內部有N溝道、P溝道管各三只，構成三相橋式結構。（4）現在市售VNF系列（N溝道）產品，是美國Supertex公司生產的超高頻功率場效應管，其比較高工作頻率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關電路和廣播、通信設備中。（5）使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例，該管子加裝140×140×4（mm）的散熱器后，比較大功率才能達到30W。（6）多管并聯后，由于極間電容和分布電容相應增加，使放大器的高頻特性變壞，通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩。為此，并聯復合管管子一般不超過4個，而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻。單向可控硅、雙向可控硅檢測可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個引出腳。雙向可控硅有***陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制極G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓。通用可控硅貨源整流器常用的冷卻方式有自然冷卻、純風扇冷卻、自然冷卻和風扇冷卻相結合三種。

    選用具有溫度補償特性的2CW234系列硅穩壓管作為基準源，并選擇其穩定電壓為6．4V。由特性較好的三端集成穩壓器供電，限流電阻采用精密金屬膜電阻R（溫度系數約為±1×10－5／℃）。為了減小噪聲的影響，將穩壓管封裝在盛油的小容器里，噪聲指標將會有明顯的改善。電壓取樣如圖2所示。分別將調整管的集－射極電壓經電阻分壓，并將分壓后的射極電壓通過一電阻送入比較放大器反相端；在集電極電壓的取樣電路中串入一穩壓管，由該管決定調整管壓降大小。此處選3．3V。并將集電極電壓減去穩壓管穩壓值后分壓送入比較放大器的同相端。為保證取樣精度，應使集－射極采樣電阻完全對稱，并選取溫度特性較好、同一型號的精密金屬膜電阻。比較放大器采用集成運放并接成負反饋。令R1＝R3，R2＝R4；設分壓系數n＝R2／（R1＋R2）；集成運算放大器輸出為Uo；放大系數為K；調整管集電極電壓為UC；調整管發射極電壓為UE；A點電壓為UA；B點電壓為UB；有：當調整管壓降增大，UcE上升，使Uo增大，即觸發器的控制電壓Ub增大，而集成觸發器KJ785是負極型的：控制電壓增大，導通角減小。因此，觸發脈沖后移，整流輸出減小。可控硅整流擔任***步的穩壓工作。

工作原理

本控制器輸出觸發脈沖必須同時具備兩個條件，分別是：控制輸入有效和可控硅兩端電壓為零，兩個條件缺其中任何一個都不能輸出觸發脈沖。控制信號有效的較早周波檢測過零，過零條件滿足即輸出觸發脈沖，在以后的控制信號有效的時間段內持續輸出觸發脈沖。

性能特點

高可靠的可控硅電壓過零觸發，三相**控制，脈沖隔離輸出，安全可靠。

有自同步功能，免去傳統可控硅電路認定同步和相序的麻煩，使用與調試方便。

適用于阻性負載、感性負載、容性負載等類型。

一體化結構，接線簡單，互換性好。

驅動能力強，每路可以輸出600毫安的電流，6V觸發電壓,可以驅動4000A可控硅。

工作可靠,有非常強的抗干擾能力，適用性強，耐壓高。

調整器具有軟起動、軟關斷功能，減少對電網的沖擊和干擾，使主回路晶閘管更加安全可靠。

    1．判定柵極G將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無窮大，并且交換表筆后仍為無窮大，則證明此腳為G極，因為它和另外兩個管腳是絕緣的。2．判定源極S、漏極D由圖1可見，在源-漏之間有一個PN結，因此根據PN結正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。3．測量漏-源通態電阻RDS（on）將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。由于測試條件不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，大于（典型值）。4．檢查跨導將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。注意事項：（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管，但絕大多數產品屬于N溝道管。對于P溝道管，測量時應交換表筆的位置。（2）有少數VMOS管在G-S之間并有保護二極管，本檢測方法中的1、2項不再適用。（3）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊。鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。通用可控硅貨源

輸出觸發脈沖具有極高的對稱性及穩定性，且不隨環境溫度變化，使用中不需要對脈沖對稱度及限位進行調整。單相整流可控硅生產加工

雙向晶閘管的電極引線不規則，通常G極是在T1極側引出而不是T2極側。雙向晶閘管的兩個主電極T1和T2還是有區別的，雙向晶閘管的觸發通常是相對與T1與G之間的電流。

可控硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅**基本也**重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構成了一個可控整流電路。

 在一個**基本的單相半波可控整流電路中，當正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制極外加觸發脈沖時，可控硅才被觸發導通，負載上才會有電壓輸出，因此可以通過改變控制極上觸發脈沖到來的時間，來進一步調節負載上輸出電壓的平均值，達到可控整流的作用。 單相整流可控硅生產加工

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