集成電路的早期發展可以追溯到1949年，當時德國工程師沃納·雅可比[4]（西門子)[5]申請了集成電路狀半導體放大器的**[6]示出了公共襯底上的五個晶體管組成的三級放大器。雅可比披露了小巧便宜的助聽器作為他**的典型工業應用。他的**尚未被報道而立即用于商業用途。集成電路的概念是由杰弗里·杜默(1909-2002)提出的，一名工作于英國**部皇家雷達機構的雷達科學家。杜默在公元1952年5月7日華盛頓質量電子元件進展研討會上向公眾提出了這個想法。[7]他公開舉辦了許多研討會來宣傳他的想法，并在1956年試圖建造這樣一個電路，但沒有成功。| 無錫微原電子科技，提供一站式集成電路芯片服務。南京本地集成電路芯片

型號的分類：

芯片命名方式一般都是：字母+數字+字母前面的字母是芯片廠商或是某個芯片系列的縮寫。像MC開始的多半是摩托羅拉的，MAX開始的多半是美信的。中間的數字是功能型號。像MC7805和LM7805，從7805上可以看出它們的功能都是輸出5V，只是廠家不一樣。后面的字母多半是封裝信息，要看廠商提供的資料才能知道具體字母代表什么封裝。74系列是標準的TTL邏輯器件的通用名稱，例如74LS00、74LS02等等，單從74來看看不出是什么公司的產品。不同公司會在74前面加前綴，例如SN74LS00等。 福建集成電路芯片發展現狀| 無錫微原電子科技，以客戶需求為導向開發芯片技術。

外媒聲音

1、日本《日經亞洲評論》8月12日文章稱，中國招聘了100多名前臺積電工程師以力爭獲得芯片（產業）**地位 。作為全世界比較大的芯片代工企業，臺積電成為中國（大陸）求賢若渴的芯片項目的首要目標。高德納咨詢半導體分析師羅杰·盛（音）說：“中國芯片人才依然奇缺，因為該國正在同時開展許多大型項目。人才不足是制約半導體發展的瓶頸。  

2、華為消費者業務CEO余承東近日承認，由于美國對華為的第二輪制裁，到9月16日華為麒麟**芯片就將用光庫存。在芯片危機上華為如何破局，美國CNBC網站11日分析稱，華為有5個選擇，但同時“所有5個選擇都面臨重大挑戰”。 

3、德國《經濟周刊》表示，以半導體行業為例，盡管中國芯片需求達到全球60％，但中國自產的只有13％。路透社稱，美國對華為打壓加劇，中國則力推經濟內循環，力爭在高科技領域不受制于人。

外形及封裝不同芯片是一種把電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，并時常制造在半導體晶圓表面上。幾乎所有芯片制造商采用的**常見標準是DIP，即雙列直插式封裝。這定義了一個矩形封裝，相鄰引腳之間的間距為2.54毫米（0.1英寸），引腳排之間的間距為0.1英寸的倍數。因此，0.1"x0.1"間距的標準“網格”可用于在電路板上組裝多個芯片并使它們保持整齊排列。隨著MSI和LSI芯片的出現，包括許多早期的CPU，稍大的DIP封裝能夠處理多達40個引腳的更多數量，而DIP標準沒有真正改變。集成電路是一種微型電子器件或部件。集成電路被放入保護性封裝中，以便于處理和組裝到印刷電路板上，并保護設備免受損壞。存在大量不同類型的包。某些封裝類型具有標準化的尺寸和公差，并已在JEDEC和ProElectron等行業協會注冊。其他類型是可能*由一兩個制造商制造的專有名稱。集成電路封裝是測試和運送設備給客戶之前的***一個組裝過程。| 高性能集成電路芯片，源自無錫微原電子科技。

**早的集成電路使用陶瓷扁平封裝，這種封裝很多年來因為可靠性和小尺寸繼續被軍方使用。商用電路封裝很快轉變到雙列直插封裝，開始是陶瓷，之后是塑料。20世紀80年代，VLSI電路的針腳超過了DIP封裝的應用限制，***導致插針網格數組和芯片載體的出現。表面貼著封裝在20世紀80年代初期出現，該年代后期開始流行。它使用更細的腳間距，引腳形狀為海鷗翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）為例，比相等的DIP面積少30-50%，厚度少70%。這種封裝在兩個長邊有海鷗翼型引腳突出，引腳間距為0.05英寸。| 無錫微原電子科技，用技術服務全球客戶群體。南京本地集成電路芯片

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從20世紀30年代開始，元素周期表中的化學元素中的半導體被研究者如貝爾實驗室的威廉·肖克利（William Shockley）認為是固態真空管的**可能的原料。從氧化銅到鍺，再到硅，原料在20世紀40到50年代被系統的研究。盡管元素周期表的一些III-V價化合物如砷化鎵應用于特殊用途如：發光二極管、激光、太陽能電池和比較高速集成電路，單晶硅成為集成電路主流的基層。創造無缺陷晶體的方法用去了數十年的時間。

半導體集成電路工藝，包括以下步驟，并重復使用：光刻刻蝕薄膜（化學氣相沉積或物***相沉積）摻雜（熱擴散或離子注入）化學機械平坦化CMP使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成MOSFET或BJT等組件，再利用薄膜和CMP技術制成導線，如此便完成芯片制作。因產品性能需求及成本考量，導線可分為鋁工藝（以濺鍍為主）和銅工藝（以電鍍為主參見Damascene）。主要的工藝技術可以分為以下幾大類：黃光微影、刻蝕、擴散、薄膜、平坦化制成、金屬化制成。 南京本地集成電路芯片

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