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KY3-B2型可控硅移相觸發板一、概述KY3-B2型三相閉環觸發器是引進國外**的**可控硅移相觸發集成電路。輸出觸發脈沖具有極高的對稱性和穩定性，不隨環境溫度變化，無相序要求。內含完整的缺相、過流、過熱等故障保護功能；具有高精度、功能完善、使用簡單可靠、易調試、抗干擾性強等優點。它可***的應用于工業各領域的電壓電流調節，適用于電阻性負載、電感性負載、變壓器一次側及各種整流裝置等。其主要應用于大功率電源、高頻設備交直流調壓、鹽浴爐、工頻感應爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制及各種工業爐；整流變壓器、調工機、電爐變壓器一次側、充磁退磁調節、直流電機調速控制、電機軟啟動節能裝置；以鎳、鐵鉻、遠紅外發熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等加熱元件的溫度控制等等。二、性能特點○無相序要求限制，可用于電源為220V與380V電源頻率50/60Hz電網?！鹉芘c國內外各種控制儀表（溫控儀）、微機的輸出信號直接接口。○適用于阻性負載、感性負載、變壓器一次側等各種負載類型?！鹁哂熊泦榆浲Ｖ构δ?，減少對電網的沖擊干擾，使主電路更加安全可靠?！痱寗幽芰姡柯房梢暂敵?00毫安的電流，可以驅動4000A可控硅?！鹁哂腥毕?、過流、過壓保護功能。江西進口模塊量大從優新能源汽車上用的IGBT模塊，客戶要求CTI值大于250V左右。
作為本實用新型的進一步方案：所述變壓器隔離電路采用高頻隔離變壓器，其副邊有兩個**的繞組，輸出兩路隔離電源。與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：本實用新型能夠有效保護igbt模塊，并且該實用新型原邊電路集成了死區電路、互鎖電路和保護電路，可以提高抗干擾能力，提高驅動電路可靠性。附圖說明圖1為本實用新型涉及的風電變流器驅動電路示意圖。圖2為本實用新型涉及的風電變流器的具體驅動電路。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請參閱圖1-2，實施例1：本實用新型實施例中，風電變流器的igbt驅動電路，包括原邊電路、隔離電路和副邊電路，原邊電路包括死區電路、互鎖電路、保護電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路，隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路，副邊電路包括±15v驅動電源、驅動電路和vce-sat檢測電路。原邊電路包括上下管的死區電路、互鎖電路和保護電路。
圖5為本實用新型實施例提供的溝槽柵結構制作方法的流程圖。圖中：1為多晶硅層，2為氧化層，21為***氧化層，22為第二氧化層，23為**氧化層，3為光刻膠。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。圖4示出了本實施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖，包括半導體襯底和設置在半導體襯底表面內的兩個溝槽柵結構，兩個溝槽柵結構對稱，溝槽柵結構設置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2，氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22，***氧化層21設置在溝道區，第二氧化層22設置在非溝道區，第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度，與現有技術相比，本實施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現有技術中的厚度，因此本實施例的結電容更小。需要說明的是，本實施例減小結電容的方式是通過增加溝槽內非溝道區第二氧化層22的厚度，***氧化層21厚度不變，因此本實施例在減小結電容的同時并不會造成器件整體性能變差。聚苯硫醚PPS是一種白色、堅硬的聚合物類，具有良好化學結晶度的特種熱塑性工程塑料.
TA＝125°C圖7其他公司的IGBT的低端IGBT開關電壓和dV/dt感生電流的18A峰值圖8IRGP30B120KD-EIGBT的低端IGBT開關電壓和dV/dt感生電流的dV/dt感生電流的減小清楚說明單正向柵驅動設計的優勝之處。但在這個測試中，Co-Pack二極管電流的影響并沒有完全計算在內。為了只顯示出IGBT對整體電流的影響，我們只利用相同的分立式反并聯二極管再重復測試，如圖9中的Ice(cntrl)。圖9利用相同的分立式Co-Pack二極管產生的dV/dt感生電流圖10顯示出在沒有IGBT情況下，負偏置柵驅動器IGBT的I電流。圖11為IRGP30B120KD-E單正向柵驅動器的I電流。兩種情況下的電流都很低，分別為1A和。圖10其他公司的IGBT的Co-Pack二極管內的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流1A峰值圖11IRG30B120KD-E的Co-Pack二極管內的低端IGBT的VCE和dV/dt感生電流如果從整體IGBT/二極管電流中減去圖10和圖11的二極管電流，結果是I（負偏置柵驅動IGBT）=18-1=17AI（IRGP30B120KD-E）==可見總的減小為17:=21:1在相同的測試條件下，當柵電壓是在0V或單正向柵驅動情況下，IRGP30B120KD的電路性能顯示dV/dt感生開通電流減小比例為21:1。如果IGBT采用這種方式驅動，電流很小，對功耗的影響幾乎可以忽略。IGBT既可以幫助空調、洗衣機實現較小的導通損耗和開關損耗，實現節能減排。河南標準模塊
新能源汽車的成本構成中，動力電池占比比較高，其次則是IGBT。湖北標準模塊
所述***氧化層厚度為1000-1200a。進一步地，所述第二氧化層厚度為3000-5000a。進一步地，兩個所述溝槽柵結構之間設置有***摻雜區，所述***摻雜區的摻雜類型與所述半導體襯底的類型相反。進一步地，在所述***摻雜區的內表面設置兩個第二摻雜區，所述第二摻雜區的摻雜類型與***摻雜區的摻雜類型相反，兩個所述第二摻雜區分別設置在靠近兩個所述溝槽柵結構的一側，所述***摻雜區和所述第二摻雜區與發射極金屬接觸。進一步地，所述半導體的底部還設置有緩沖層和集電極，所述集電極設置在比較低層。與現有技術相比，本實用新型的有益效果：本實用新型提供的溝槽柵igbt通過在溝槽內設置兩種厚度氧化層，兩種厚度氧化層分別為***氧化層和第二氧化層，該第二氧化層厚度大于***氧化層厚度，因為結電容與氧化層的厚度成反比，因此增加氧化層的厚度會降低器件的結電容大小，從而解決了現有技術中溝槽柵igbt結電容大的問題，從而提高了本實用新型的開關特性，使得本實用新型可應用于高頻場景。附圖說明圖1為現有技術中平面柵igbt的示意圖；圖2為現有技術中溝槽柵igbt的示意圖；圖3為現有技術中溝槽柵結構制作方法的流程圖；圖4為本實用新型實施例提供的溝槽柵igbt的示意圖。湖北標準模塊
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