大中小燒IGBT或保險絲的維修程序2010-03-28流水淙淙展開全文一、電路板燒IGBT或保險絲的維修程序電流保險絲或IGBT燒壞,不能馬上換上該零件,必須確認下列其它零件是在正常狀態時才能進行更換,否則,IGBT和保險絲又會燒壞。1.目視電流保險絲是否燒斷2.檢測IGBT是否...一、電路板燒IGBT或保險絲的維修程序保險絲或IGBT燒壞,不能馬上換上該零件,必須確認下列其它零件是在正常狀態時才能進行更換,否則,IGBT和保險絲又會燒壞。這樣付出的代價就大了。1.檢查保險絲是否燒斷2.檢測IGBT是否擊穿:用萬用表二極管檔測量IGBT的“E”;“C”;“G”三極間是否擊穿短路。A:“E”極與“G”極;“C”極與“G”極,正反測試均不導通(正常)。B:萬用表紅筆接”E“極,黑筆接“C”極有電壓降(型號為GT40T101三極全不通)。3.測量互感器是否斷腳,正常狀態如下:用萬用表電阻檔測量互感器次級電阻約80Ω;初極為0Ω。4.整流橋是否正常(用萬用表二極管檔測試):A:數字萬用表紅筆接“-”,黑筆接“+”有,調反無顯示。B:萬用表紅筆接“-”,黑筆分別接兩個輸入端均有,調反無顯示。C:萬用表黑筆接“+”,紅筆分別接兩個輸入端均有,調反無顯示。5.檢查電容C301;C302;C303。對IGBT模塊需求也在逐步擴大,新興行業的加速發展將持續推動IGBT市場的高速增長。江西模塊直銷價
2013年2月,賽米控公司正式推出全國**式電磁油煙凈化一體機。2012年5月,賽米控公司正式加入廣東省酒店用品行業協會。2012年4月,賽米控公司正式加入順德民營企業投資商會理事會。2012年3月,賽米控公司投資控股佛山市順德區智械智能設備有限公司和佛山市順德區智熱電子科技有限公司。2012年3月,賽米控公司成立**永豐賽米控電子科技有限公司支部。2011年9月,賽米控公司在全國同行業中**推出美食和美器相結合的節能低碳廚房體驗廳開業。2011年2月,賽米控公司聯合阿里巴巴建立專業的外貿團隊,同年9月份出口西班牙大型電磁搖鍋。2010年12月,賽米控合資公司----石家莊晟歐電子科技有限公司董事會會議勝利召開。決議通過2011年商用電磁爐新的工作思路和發展方向。2010年9月,賽米控牌商用電磁爐榮獲中國***品牌,并被列入國內商用電磁爐**品牌之一。2010年6月,賽米控成功研發出拋炒爐無盲點技術。并成功申請國家**。2010年3月,世界首臺自動煮食機器人誕生,同月又成功開發出國內首臺自動煮粥機。標志著賽米控將為中國智能化、標準化、**化餐飲業的發展翻開嶄新的一頁。2009年11月,賽米控公司在上海崇明島注冊成立上海灶福智能科技有限公司。天津模塊零售價還可以應用于太陽能、風能發電的逆變器里,將蓄電池的直流電逆變成交流電。
特別是對于8寸以上的大硅片,極易破碎,難度更大。背面工藝,包括了背面離子注入,退火***,背面金屬化等工藝步驟,由于正面金屬的熔點的限制,這些背面工藝必須在低溫下進行(不超過450°C),退火***這一步難度極大。背面注入以及退火,此工藝并不像想象的那么簡單。國外某些公司可代加工,但是他們一旦與客戶簽訂協議,就不再給中國客戶代提供加工服務。在模塊封裝技術方面,國內基本掌握了傳統的焊接式封裝技術,其中中低壓模塊封裝廠家較多,高壓模塊封裝主要集中在南車與北車兩家公司。與國外公司相比,技術上的差距依然存在。國外公司基于傳統封裝技術相繼研發出多種先進封裝技術,能夠大幅提高模塊的功率密度、散熱性能與長期可靠性,并初步實現了商業應用。**工藝開發人員非常缺乏,現有研發人員的設計水平有待提高。目前國內沒有系統掌握IGBT制造工藝的人才。從國外先進功率器件公司引進是捷徑。但單單引進一個人很難掌握IGBT制造的全流程,而要引進一個團隊難度太大。國外IGBT制造中許多技術是有**保護。目前如果要從國外購買IGBT設計和制造技術,還牽涉到好多**方面的東西。
在...發表于2017-06-1217:28?875次閱讀電阻電容標準值取值法則及電阻的技術范疇和常見特性如E6系列的公比為6√10≈,系列的***個量取,接下來的量為上臨的量乘以公比值6√10...發表于2017-06-0914:45?504次閱讀基礎知識:伏安法如何取電阻值及電阻色環的取值標準拿到色環電阻要把**靠近電阻端部的那一環認為***環,否則會讀反,如三個環分別是紅橙黃,正確讀是2300...發表于2017-06-0817:15?479次閱讀絕緣電阻該如何測量功率?如何使用兆歐表測量絕緣電...兆歐表的接線柱共有三個:一個為“L”即線端,一個“E”即為地端,再一個“G”即屏蔽端(也叫保護環)。...發表于2017-06-0810:41?336次閱讀什么是電阻分壓?電阻分壓的工作原理是什么?電阻分...當電流表和其相連電阻連接時起到分壓效果,此時用外接(電流表內阻一般不足一歐,但如果于其相連的電阻也只...發表于2017-06-0716:17?3161次閱讀什么是電阻的高頻工作模式?電阻電橋的工作原理及其...電橋是用來精密測量電阻或其他模擬量的一種非常有效的方法。普通PPS的CTI值大約在150V左右,遠遠滿足不了要求,我們研發團隊通過特殊配方對PPS材料進行改性.
本實用新型涉及半導體領域,具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術:igbt隨著結構設計和工藝技術的升級,主流產品已經從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示),現有技術中溝槽柵結構的制作方法如圖3所示,先在半導體襯底上光刻出溝槽,接著在該溝槽內沉積**氧化層23(圖3a所示),然后去除該**氧化層23(圖3b所示),然后繼續在溝槽內沉積***氧化層21(圖3c所示),接著沉積多晶硅層1(圖3d所示),接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示),溝槽柵結構雖然相比平面柵結構電流密度大幅度提升,但由于溝槽柵結構帶來的結電容的大幅度上升,造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應用于高頻場景。技術實現要素:本實用新型為解決現有技術中溝槽柵igbt結電容較大的問題,提供了一種新的溝槽柵igbt結構。本實用新型采用的技術方案如下:一種溝槽柵igbt,包括:半導體襯底,所述半導體襯底表面內設置兩個溝槽柵結構;兩個溝槽柵結構,兩個所述溝槽柵結構對稱,溝槽內設置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層,所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層,所述***氧化層設置在溝道區,所述第二氧化層設置在非溝道區,所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進一步地。新能源汽車的成本構成中,動力電池占比比較高,其次則是IGBT。節能模塊批發
在程序操縱下,IGBT模塊通過變換電源兩端的開關閉合與斷開,實現交流直流電的相互轉化。江西模塊直銷價
圖5為本實用新型實施例提供的溝槽柵結構制作方法的流程圖。圖中:1為多晶硅層,2為氧化層,21為***氧化層,22為第二氧化層,23為**氧化層,3為光刻膠。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例,本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。圖4示出了本實施例提供的一種溝槽柵igbt示意圖,包括半導體襯底和設置在半導體襯底表面內的兩個溝槽柵結構,兩個溝槽柵結構對稱,溝槽柵結構設置有多晶硅層1和包圍多晶硅層1的氧化層2,氧化層包括***氧化層21和第二氧化層22,***氧化層21設置在溝道區,第二氧化層22設置在非溝道區,第二氧化層22的厚度大于***氧化層21的厚度,與現有技術相比,本實施例提供的溝槽柵igbt氧化層2的厚度大于現有技術中的厚度,因此本實施例的結電容更小。需要說明的是,本實施例減小結電容的方式是通過增加溝槽內非溝道區第二氧化層22的厚度,***氧化層21厚度不變,因此本實施例在減小結電容的同時并不會造成器件整體性能變差。江西模塊直銷價
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