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    以解決上述背景技術中提出的問題。為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案：風電變流器的igbt驅動電路，包括原邊電路、隔離電路和副邊電路，所述原邊電路包括死區電路、互鎖電路、保護電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路，所述隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路，所述副邊電路包括±15v驅動電源、驅動電路和vce-sat檢測電路，vce-sat檢測電路分別連接igbt模塊、驅動電路和光耦隔離電路，光耦隔離電路還連接死區電路、互鎖電路和保護電路，驅動電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊，vce-sat檢測電路檢測到igbt模塊發生短路故障或過流故障時，通過光耦隔離電路傳遞故障信號給原邊電路，原邊電路同時***igbt模塊上下管驅動信號，并通過光耦隔離電路和驅動電路關斷igbt模塊。作為本實用新型的進一步方案：所述igbt模塊分為上下兩路。作為本實用新型的進一步方案：所述死區電路、互鎖電路、保護電路均分為上下兩路。作為本實用新型的進一步方案：所述光耦隔離電路分為上下兩路。作為本實用新型的進一步方案：所述驅動電路分為上下兩路。作為本實用新型的進一步方案：所述光耦隔離電路包括反饋光耦和驅動光耦。湖南模塊多少錢并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼，構成了晶體二極管，如下圖所示。

    本實用新型涉及半導體領域，具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術：igbt隨著結構設計和工藝技術的升級，主流產品已經從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示)，現有技術中溝槽柵結構的制作方法如圖3所示，先在半導體襯底上光刻出溝槽，接著在該溝槽內沉積**氧化層23(圖3a所示)，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續在溝槽內沉積***氧化層21(圖3c所示)，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示)，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結構雖然相比平面柵結構電流密度大幅度提升，但由于溝槽柵結構帶來的結電容的大幅度上升，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應用于高頻場景。技術實現要素：本實用新型為解決現有技術中溝槽柵igbt結電容較大的問題，提供了一種新的溝槽柵igbt結構。本實用新型采用的技術方案如下：一種溝槽柵igbt，包括：半導體襯底，所述半導體襯底表面內設置兩個溝槽柵結構；兩個溝槽柵結構，兩個所述溝槽柵結構對稱，溝槽內設置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層，所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層，所述***氧化層設置在溝道區，所述第二氧化層設置在非溝道區，所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進一步地。

    光耦隔離電路還連接死區電路、互鎖電路和保護電路，驅動電路還分別連接光耦隔離電路和igbt模塊，vce-sat檢測電路檢測到igbt模塊發生短路故障或過流故障時，通過光耦隔離電路傳遞故障信號給原邊電路，原邊電路同時***igbt模塊上下管驅動信號，并通過光耦隔離電路和驅動電路關斷igbt模塊。實施例2：在實施例1的基礎上，本實用新型的一種實施例電路如圖2所示，其中，15v電源輸入濾波電路由l1和c1構成的濾波器，其作用主要是：對輸入15v電源進行濾波，并且降低開關噪聲和電磁干擾。dc/dc電路由q1,q2,t1構成推挽電路，并且q1和q2由晶體管構成，t1為高頻隔離變壓器，其副邊有兩個**的繞組，輸出兩路隔離電源：其中上管隔離電源包括:d7與c4構成二極管整流電路，輸出-15v_sh電源；d8與c5構成二極管整流電路，輸出+15v_sh電源；其中下管隔離電源包括:d9與c6構成二極管整流電路，輸出-15v_sl電源；d11與c7構成二極管整流電路，輸出+15v_sl電源；上管死區電路和互鎖電路由v1,v2,r2,c2,d2組成，下管死區電路和互鎖電路由v3,v4,r3,c3,d3組成，保護電路包括d5,v5,d6,v6構成。pwm_h信號為上管輸入信號，pwm_l信號為下管輸入信號；當pwm_l信號為高電平時，c2通過d2快速放電。當加上輸入信號VI（一般為高電平）、并且交流負載電源電壓通過零點時，雙向晶閘管被觸發，將負載電源接通。

    是一種非常直觀...發表于2018-01-1509:38?700次閱讀為物聯網未來發聲——物聯網微功率頻譜應用研討會***上午，來自全國各地及海外的一百多家物聯網行業企業、用戶單位和科研機構**齊聚北京，共同參與了“為...發表于2018-01-1217:20?1299次閱讀功率和功耗一樣嗎_功耗和功率的區別功率是指物體在單位時間內所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的數量一定，時間越短，功率值...發表于2018-01-1214:43?1024次閱讀浪涌電壓防護_電解電容浪涌電壓措施在電子設計中，浪涌主要指的是電源（只是主要指電源）剛開通的那一瞬息產生的強力脈沖，由于電路本身的非線...發表于2018-01-1111:11?301次閱讀什么是浪涌電壓_浪涌電壓產生原因浪涌也叫突波，就是超出正常電壓的瞬間過電壓，一般指電網中出現的短時間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流...發表于2018-01-1111:09?686次閱讀解析充電IC中的功率管理策略：動態路徑管理***MPS小編要和大家聊一聊充電IC中的功率管理策略：動態路徑管理。隨外加電壓的增加正向電流迅速增加，如BC段特性曲線陡直，伏安關系近似線性，處于充分導通狀態。河北模塊排行榜

市場**的62 mm、Easy和Econo系列、IHM / IHV B系列、PrimePACK和XHP系列功率模塊都采用了***的IGBT技術。陜西模塊供應商

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