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    作為本實用新型的進一步方案：所述變壓器隔離電路采用高頻隔離變壓器，其副邊有兩個**的繞組，輸出兩路隔離電源。與現有技術相比，本實用新型的有益效果是：本實用新型能夠有效保護igbt模塊，并且該實用新型原邊電路集成了死區電路、互鎖電路和保護電路，可以提高抗干擾能力，提高驅動電路可靠性。附圖說明圖1為本實用新型涉及的風電變流器驅動電路示意圖。圖2為本實用新型涉及的風電變流器的具體驅動電路。具體實施方式下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例**是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。請參閱圖1-2，實施例1：本實用新型實施例中，風電變流器的igbt驅動電路，包括原邊電路、隔離電路和副邊電路，原邊電路包括死區電路、互鎖電路、保護電路、15v電源輸入濾波電路和dc/dc電路，隔離電路包括變壓器隔離電路和光耦隔離電路，副邊電路包括±15v驅動電源、驅動電路和vce-sat檢測電路。原邊電路包括上下管的死區電路、互鎖電路和保護電路。山東進口模塊電流等級從6 A到3600 A不等。IGBT模塊的適用功率小至幾百瓦，高至數兆瓦。

    pwm_l信號為低電平時，c2通過r2充電，r2,c2構成死區延時td。當pwm_h信號為高電平時，c3通過d3快速放電，pwm_l信號為低電平時，c3通過r3充電，r3,c3構成死區延時td。其中v1輸入采用cmos施密特與非門，可以提高輸入信號門檻電壓，提高信號抗干擾能力。上管驅動電路由r11,q3,q4,r8構成推挽放大電路，對光耦輸出信號u2_out信號進行放大,上管驅動信號drv_h直接連接igbt模塊上管門極hg，滿足igbt模塊對于驅動峰值電流的需求。下管驅動電路由r17,q5,q6,r18構成推挽放大電路，對光耦輸出信號u4_out信號進行放大，下管驅動信號drv_l直接連接igbt模塊下管門極lg，滿足igbt模塊對于驅動峰值電流的需求。上管vce-sat檢測電路由r9,d11,r10構成vce-sat采樣電路:當驅動信號drv_h為高電平（15v）時，通過電阻和igbt模塊導通壓降vce-sat的分壓原理：，采樣信號vce_h，r13和r14構成分壓電路(通過r13和r14設定保護值)，比較信號comp_h，通過vce_h與comp_h的比較實現vce飽和壓降的檢測，并輸出故障信號fault_h：當vce_h小于comp_h，fault_h為高電平，正常狀態；當vce_h大于comp_h，fault_h為低電平，報故障狀態;當驅動信號drv_l為低電平（-15v）時。

    更好的電氣性能新的機械設計也改善了電氣性能。事實上，***降低的熱阻允許更高的輸出電流。得益于角形柵極可控硅的使用，新的芯片具有更大的有效表面積，可以流過更多的電流。由于這些變化，在與當前模塊具有同樣有效芯片面積的情況***過芯片的輸出電流大約多了10％以上。衡量可控硅模塊可靠性的另一個重要參數是浪涌電流。該值顯示了二極管/可控硅的穩健性，指的是故障條件下二極管/可控硅能夠經受的住而無損傷的單一正弦半波通態電流脈沖，該脈沖持續10或（50或60Hz），這種情況在二極管/可控硅的使用壽命期間應該發生的很少［4］。認證所有賽米控的模塊都要經歷質量審批測試程序。測試的目的是在各種不同的測試條件下確定設計的極限，以評價生產過程的一致性，并對提出的工藝和設計的改變對可靠性的影響進行評估。為此，定義了標準測試和條件。測試本身主要集中于芯片和封裝［5］。所有產品都經**批準認可，如UL（UnderwritersLaboratories保險商實驗室）。應用領域SEMIPACK產品可被用作為整流直流電源、交流電機控制和驅動的軟起動器，或者用在電池充電器及焊接設備中。結論多虧了第六代SEMIPACK中新的層概念，模塊更加可靠。不用說，更低的熱阻，改善了的電氣性能。它們可以與 EconoPACK 2 & 3 和 EconoPACK 4 封裝三相橋較高程度地配合使用。

    ***，市場發展的趨勢要求系統的高可靠性，正是這些趨勢是促使焊接雙極模塊發展的背后動力。現在這些模塊有了一個全新的設計結構，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級了的彈簧壓接技術，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結果是輸出電流增大了10％以上。技術鑒于工業應用中對功率模塊日益增加的功率密度，可靠性和成本效益的要求，功率半導體制造商正不斷努力開發新模塊，這些新模塊在擁有高度可靠性的同時成本也低。新模塊中，DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點提供。機械設計方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了，使得輸出電流大，并增強了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進，新SEMIPACK模塊的外封裝尺寸還和當前模塊的尺寸一樣。賽米控公司，作為SEMIPACK1的發明者，堅持采用同樣的模塊尺寸，這意味著，散熱器的大小以及輔助端子的高度和位置都保持不變。對于客戶來說，這意味著無需改變設計，例如到直流環節的連接或散熱器的鉆孔。在沒有影響機械設計或對電氣性能有任何妥協的前提下，新版模塊的層數更少：新設計的DBC襯底上不再有鉬層和銅層；芯片是直接焊到DBC上的。在功率循環（10000次負載循環，△Tj=100k）中。構成了晶體二極管，如下圖所示。P區的引出的電極稱為正極或陽極，N區的引出的電極稱為負極或陰極。海南模塊歡迎選購

如曲線OD段稱為反向截止區，此時電流稱為反向飽和電流。廣西本地模塊

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江蘇芯鉆時代電子科技有限公司是我國IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器專業化較早的有限責任公司（自然）之一，公司始建于2022-03-29，在全國各個地區建立了良好的商貿渠道和技術協作關系。公司承擔并建設完成電子元器件多項重點項目，取得了明顯的社會和經濟效益。將憑借高精尖的系列產品與解決方案，加速推進全國電子元器件產品競爭力的發展。