會使二極管芯片承受外力而損傷，造成二極管特性變壞，降低工作可靠性。發明內容本實用新型的目的是提供一種在安裝以及運行過程中能降低二極管芯片的機械應力和熱應力，能提高二極管工作可靠性的非絕緣雙塔型二極管模塊。本實用新型為達到上述目的的技術方案是一種非絕緣雙塔型二極管模塊，包括底板、二極管芯片、主電極以及外殼，其特征在于所述二極管芯片的下端面通過下過渡層固定連接在底板上，二極管芯片的上端面通過上渡層與連接橋板的一側固定連接，連接橋板是具有兩個以上折彎的條板，連接橋板的另一側通過絕緣體固定在底板上，頂部具有定位凹槽的外殼固定在底板上；所述的主電極為兩個以上折邊的條板，主電極的內側與連接橋板固定連接，主電極的另一側穿出外殼并覆在外殼頂部，且覆在外殼頂部的主電極上設有過孔與殼體上的定位凹槽對應，下過渡層、二極管芯片、上過渡層、連接橋板、絕緣體的外周以及主電極的一側灌注軟彈性膠密封。本實用新型采用上述技術方案后具有以下的優點1、本實用新型將具有折彎的連接橋板的兩側分別固定在二極管芯片和主極板之間，而二極管芯片和連接橋板的一側分別連接在底板上，當二極管受到機械應力和熱應力后。同一代技術中通態損耗與開關損耗兩者相互矛盾,互為消長。江西哪些是模塊廠家直銷

    導通延遲時間），td（off）（截止延遲時間），tr（上升時間）和開關損耗，在高頻應用（超過5kHz）時，這種損耗應盡量避免。另外。驅動器本身的損耗也必須考慮。如果驅動器本身損耗過大，會引起驅動器過熱，致使其損壞。**后，當M57962L被用在驅動大容量的IGBT時，它的慢關斷將會增大損耗。引起這種現象的原因是通過IGBT的Gres（反向傳輸電容）流到M57962L柵極的電流不能被驅動器吸收。它的阻抗不是足夠低，這種慢關斷時間將變得更慢和要求更大的緩沖電容器應用M57962L設計的驅動電路如下圖。電路說明：電源去耦電容C2～C7采用鋁電解電容器，容量為100uF／50V，R1阻值取1kΩ，R2阻值取Ω，R3取kΩ，電源采用正負l5V電源模塊分別接到M57962L的4腳與6腳，邏輯控制信號IN經l3腳輸入驅動器M57962L。雙向穩壓管Z1選擇為V，Z2為18V，Z3為30V，防止IGBT的柵極、發射極擊穿而損壞驅動電路，二極管采用快恢復的FR107管。IGBT模塊接線注意事項：1）柵極與任何導電區要絕緣，以免產生靜電而擊穿，IGBT在包裝時將G極和E極之問有導電泡沫塑料，將它短接。裝配時切不可用手指直接接觸G極，直到G極管腳進行長久性連接后，方可將G極和E極之間的短接線拆除。2）在大功率的逆變器中。湖北模塊批發廠家減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。

    7)固定在底板(1)上，頂部具有定位凹槽的外殼(9)固定在底板(1)上；所述的主電極(6)為兩個以上折邊的條板，主電極(6)的內側與連接橋板(5)固定連接，主電極(6)的另一側穿出外殼(9)并覆在外殼(9)頂部，且覆在外殼(9)頂部的主電極(6)上設有過孔(61)并與殼體(9)上的定位凹槽(91)對應，下過渡層(4)、二極管芯片(3)、上過渡層(2)、連接橋板(5)、絕緣體(7)的外周以及主電極(6)的一側灌注軟彈性膠(8)密封。2、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特征在于所述的連接橋板(5)為兩端平板中部凸起的梯形。3、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特征在于所述的連接橋板(5)為兩端平板且中部凸起弓形。4、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特征在于所述外殼(9)頂部的定位凹槽(91)的槽邊至少設有兩個平行的平面，且下部設有過孔。5、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特征在于所述的絕緣體(7)是兩面涂有或覆有金屬層的陶瓷片。6、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特征在于所述的上過渡層(2)為鉬片或鎢片或可伐片。7、根據權利要求1所述的非絕緣雙塔型二極管模塊，其特征在于所述的下過渡層(4)為鉬片或鎢片或可伐片。

    1范圍本技術規范提出的是比較低限度的要求，并未對所有技術細節作出規定，也未充分引述有關標準和規范的條文，供貨方應提供符合工業標準和本技術規范的質量產品。本技術規范所使用的標準如遇與供貨方所執行的標準不一致時，應按較高標準執行。2應遵循的主要現行標準該功率半導體模塊測試系統的設計、制造、檢查、試驗等遵循如下國內國際標準，但不限于以下標準。GB13869-2008用電安全導則GB19517-2004國家電器設備安全技術規范GB/T運動設備及系統GB4208-2008外殼防護等級（IP代碼）（IEC60529：2001，IDT）GB/T191-2008包裝儲運圖示標志GB/T15139-1994電工設備結構總技術條件GB/T2423電工電子產品環境試驗GB/T3797-2005電氣控制設備GB/T印制板的設計和使用GB/T9969-2008工業產品使用說明書總則GB/T6988-2008電氣技術用文件的編制GB/T半導體變流器變壓器和電抗器GB/T絕緣配合第1部分：定義、原則和規則IEC60747-2/GB/T4023-1997半導體器件分立器件和集成電路第2部分:整流二極管IEC60747-9:2007/GB/T29332-2012半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBTs）3技術要求功能與測試對象*1）功能GBT模塊動態參數測試。*2）測試對象被測器件IGBT模塊動態參數。單管封裝的IGBT的最大電流在100A左右，IGBT模塊的比較大額定電流可以達到3600A。

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0可控硅模塊編輯鎖定討論可控硅模塊通常被稱之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術領域，是采用模塊封裝形式，具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導體模塊時間1970年目錄1分類2優點3規格型號可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ)、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等。可控硅模塊優點編輯體積小、重量輕、結構緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結構重復性好，裝置的機械設計可以簡化，價格比分立器件低等諸多優點，因而在一誕生就受到了各大電力半導體廠家的熱捧，并因此得到長足發展。左邊所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極（即發射極E）。山西新能源模塊

IGBT非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、傳動等領域。江西哪些是模塊廠家直銷

    包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側的igbt單管，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。這樣，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后，再松開所述壓緊件即可實現所述igbt單管的固定。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法，**節約了igbt單管在安裝板上的安裝時間，并且減少了總裝的零件數量，提高了igbt模塊的生產效率，還降低了因螺釘松動而引起的igbt模塊損壞風險。附圖說明為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖**是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖。圖1為本實用新型實施例提供的一種igbt模塊的結構示意圖；圖2為圖1中的igbt模塊的局部示意圖；圖3為本實用新型實施例提供的其中一種壓緊件的結構示意圖；圖4為圖1中的igbt模塊去掉igbt單管后的結構示意圖。具體實施方式下面結合附圖對本實用新型實施例進行詳細描述。應當明確。江西哪些是模塊廠家直銷

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