可控硅模塊選購注意事項:

(1)注明您需要的產品的型號、結構（螺栓、凹臺、凸臺）、配置散熱器型號。

(2)注明您關注的參數要求。

(3)選擇電流電壓時要留有適當的余量；

可控硅模塊使用注意事項：

(1)線路中須有過壓過流保護措施，串并聯使用時必須有均流措施。

(2)用萬用表簡單判斷器件是否損壞： 門陰極間電阻，應有十幾或幾十Ω，否則門極已短路或開路。陰陽極間電阻，應大于1MΩ，（整流管正向除外），電阻小于1MΩ表明器件極間絕緣性能不良，電阻近零時表明器件已擊穿。發現有短路或斷路現象時，應立即更換，東營反并聯可控硅模塊哪家好。

(3)嚴禁用兆歐表（即搖表）檢查元件的絕緣情況。

(4)電流為5A以上的可控硅模塊要裝散熱器，并且保證所規定的冷卻條件。為保證散熱器與可控硅模塊管心接觸良好，它們之間應涂上一薄層有機硅油或硅脂，以幫于良好的散熱，東營反并聯可控硅模塊哪家好。

(5)按規定對主電路中的可控硅模塊采用過壓及過流保護裝置。

(6)要防止可控硅模塊控制極的正向過載和反向擊穿。

可控硅模塊在電子行業中應用以及發展比較廣，它已經應用到了很多電子設備中，不同設備中使用的可控硅模塊類型也是不同的，下面可控硅模塊廠家就來來您了解一下。

1．選擇可控硅模塊的類型可控硅模塊有多種類型，應根據應用電路的具體要求合理選用。

  若用于交直流電壓控制、可控整流、交流調壓、逆變電源、開關電源保護電路等，可選用普通可控硅模塊。

  若用于交流開關、交流調壓、交流電動機線性調速、燈具線性調光及固態繼電器、固態接觸器等電路中，應選用雙向可控硅模塊。

  若用于交流電動機變頻調速、斬波器、逆變電源及各種電子開關電路等，可選用門極關斷可控硅模塊。

  若用于鋸齒波器、長時間延時器、過電壓保護器及大功率晶體管觸發電路等，可選用BTG可控硅模塊。

  若用于電磁灶、電子鎮流器、超聲波電路、超導磁能儲存系統及開關電源等電路，可選用逆導可控硅模塊。

  若用于光電耦合器、光探測器、光報警器、光計數器、光電邏輯電路及自動生產線的運行監控電路，可選用光控可控硅模塊。 東營反并聯可控硅模塊哪家好誠信是企業生存和發展的根本。

只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導通的時間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。

這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內可控硅模塊導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。

可控硅鑒別三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以判斷出來。

  陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，而且方向相反，因此陽極和控制極正反向都不通）。

  控制極與陰極之間是一個P-N結，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍，反向電阻比正向電阻要大。可是控制極二極管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻斷狀態的，可以有比較大的電流通過，因此，有時測得控制極反向電阻比較小，并不能說明控制極特性不好。另外，在測量控制極正反向電阻時，萬用表應放在R*10或R*1擋，防止電壓過高控制極反向擊穿。

  若測得元件陰陽極正反向已短路，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞。 淄博正高電氣有限公司以高品質，高質量的產品，滿足廣大新老用戶的需求。

實際上，可控硅模塊元件的結溫不容易直接測量，因此不能用它作為是否超溫的判據。通過控制模塊底板的溫度（即殼溫Tc）來控制結溫是一種有效的方法。由于PN結的結溫Tj和殼溫Tc存在著一定的溫度梯度，知道了殼溫也就知道了結溫，而相當高殼溫Tc是限定的，由產品數據表給出。借助溫控開關可以很容易地測量到與散熱器接觸處的模塊底板溫度（溫度傳感元件應置于模塊底板溫度相當高的位置）。從溫控天關測量到的殼溫可以判斷模塊的工作是否正常。若在線路中增加一個或兩個溫度控制電路，分別控制風機的開啟或主回路的通斷（停機），就可以有效地保證晶閘管模塊在額定結溫下正常工作。

  需要指出的是，溫控開關測量到的溫度是模塊底板表面的溫度，易受環境、空氣對流的影響，與模塊和散熱器的接觸面上的溫度Tc，還有一定的差別（大約低幾度到十幾度），因此其實際控制溫度應低于規定的Tc值。用戶可以根據實際情況和經驗決定控制的溫度。 淄博正高電氣有限公司過硬的產品質量、優質的售后服務、認真嚴格的企業管理，贏得客戶的信譽。東營反并聯可控硅模塊哪家好

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雙向可控硅晶閘管使用中，應特別注意以下事項：

1.靈敏度

雙向可控硅是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陰陽極，而是稱作T1和T2極，G為控制極，其控制極上所加電壓無論為正向觸發脈沖或負向觸發脈沖均可使控制極導通，但是觸發靈敏度互不相同，即保證雙向可控硅能進入導通狀態的較小門極電流IGT是有區別的。

2.可控硅過載的保護

可控硅元件優點很多，但是它過載能力差，短時間的過流，過壓都會造成元件損壞，因此為保證元件正常工作，需有條件：

（1）外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用；

（2）可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來��；

（3）為保證控制極可靠觸發，加到控制極的觸發電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大些，一般多采用前者，過電壓保護常發生在存在電感的電路上，或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路加以。

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