晶閘管智能模塊電流規格的選取方法
考慮到晶閘管智能模塊產品一般都是非正弦電流，存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩定因素，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，在選取模塊電流規格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算：
I>K×I負載×U較大∕U實際
K ：安全系數，阻性負載K= 1.5，感性負載K= 2；
I負載：負載流過的較大電流； U實際：負載上的較大電壓；
U較大：模塊能輸出的較大電壓；（三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍，其余規格均為1.0倍）；
I：需要選擇模塊的較大電流，聊城MTDC150晶閘管智能模塊供應商，聊城MTDC150晶閘管智能模塊供應商,模塊標稱的電流一定要大于該值。
例：某系統用三相整流模塊電爐調溫，380V輸入，輸出電流130A，輸出直流電壓可調350V～450V，應選擇什么型號的模塊？
選擇方法：三相整流模塊，380V輸入，較大輸出直流電壓為380×1.35=513V,電爐為阻性負載,按公式輸出電流應不小于1.5×130×513/350=285，聊城MTDC150晶閘管智能模塊供應商.81A,可選取接近（但一定要大于）值，即320A的模塊，型號為:3MTDC320。 正高電氣嚴格控制原材料的選取與生產工藝的每個環節，保證產品質量不出問題。聊城MTDC150晶閘管智能模塊供應商
當C5上的電壓上升到氛管的導通電壓時，雙向晶閘管就會被觸發導通。另一種是用兩個NPN型三極管反向串聯（基極開路）代替雙向觸發二極管，調壓效果還不錯。再有一種是用RC電路取代雙向觸發二極管，調壓效果要差一些，在對調壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結晶體管張弛振蕩器組成的觸發電路呢？雙向晶閘管的特點是不論給它的控制極加上正的或負的觸發脈沖都能使它導通，所以，單結晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發電路。這種觸發電路調壓效果很好，只是電路比較復雜。由于單結晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應用橋式整流電路得到全波脈動直流電壓，再經過穩壓管VD削波成為梯形波電壓，為張弛振蕩器供電。為什么使用梯形波電壓而不用濾波電容器得到平滑的直流電壓呢？一定要用梯形波電壓，不能使用平滑的直流電壓。這是為了能使觸發脈沖與交流電源同步。經過全波整流、穩壓管削波后得到的梯形波電壓與主電路電壓是同步變化的，即二者同時經過零值，同時上升，同時下降。這樣，當晶閘管上承受的主電壓過零時。聊城MTDC150晶閘管智能模塊供應商正高電氣過硬的產品質量、優質的售后服務、認真嚴格的企業管理，贏得客戶的信譽。
晶閘管智能模塊的輸出特性
模塊的控制電壓與控制角α的關系因負載性質和電路形式的不同而有所區別：
單相交流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～ 180°，控制電壓對應0.5V～9.5V。
單相整流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應0.5V～9.5V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于5V～9.5V。
三相全控整流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～120°，控制電壓對應2V～8V；感性負載時α范圍為0°～90°，控制電壓對應于3.5V～8V。
三相半控整流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～180°，控制電壓對應0.5V～9.5V。
三相全控交流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～150°，控制電壓對應1.5V～9V。
三相半控交流調壓模塊用于阻性負載時，α有效范圍為0°～210°，控制電壓對應0.5V～9.5V。
三相整流充放電模塊逆變放電時，α有效范圍為90°～180°，控制電壓對應0.5V～5V；整流充電時，α有效范圍為0°～90°，控制電壓對應5V～9.5V。
注：交流調壓模塊用于感性負載時α應大于負載阻抗角Ψ，即α≥Ψ；當α≤Ψ時，模塊已輸出較大電壓，且不再隨α的改變而變化。
傳統的電加熱行業使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發板的方式來完成對變壓器初級或次級的調壓；加熱行業往往工作環境很惡劣，粉塵飛揚，溫度變化較大，濕度較高，長時間工作后會出現觸發板工作失常，造成晶閘管擊穿，導致設備停產，產品報廢等，給生產造成嚴重損失。并且普通電工無法完成維修工作，必須專業人員進行操作。為了避免出現上述問題，比較好采用密封性好，工作環境適應能力強，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來替代傳統的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發系統（即觸發板）集成共同封裝在一個塑料外殼內，從而省去了觸發板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯誤的幾率，維護方便，普通電工即可完成操作，省去人員成本。把觸發板封裝到模塊內，環境中的粉塵、濕氣等都不會對其產生影響，增加了可靠性。 選擇正高電氣，就是選擇質量、真誠和未來。
普通晶閘管普通晶閘管（SCR）是由PNPN四層半導體材料構成的三端半導體器件，三個引出端分另為陽極A、陰極K和門極G、圖8-4是其電路圖形符號。普通晶閘管的陽極與陰極之間具有單向導電的性能，其內部可以等效為由一只PNP晶閘管和一只NPN晶閘管組成的組合管，如圖8-5所示。當晶閘管反向連接（即A極接電源負端，K極接電源正端）時，無論門極G所加電壓是什么極性，晶閘管均處于阻斷狀態。當晶閘管正向連接（即A極接電源正端，K極接電源負端）時，若門極G所加觸發電壓為負時，則晶閘管也不導通，只有其門極G加上適當的正向觸發電壓時，晶閘管才能由阻斷狀態變為導通狀態。此時，晶閘管陽極A極與陰極K極之間呈低阻導通狀態，A、K極之間壓降約為1V。普通晶閘管受觸發導通后，其門極G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰極K之間仍保持正向電壓，晶閘管將維持低阻導通狀態。只有把陽極A電壓撤除或陽極A、陰極K之間電壓極性發生改變（如交流過零）時，普通晶閘管才由低阻導通狀態轉換為高阻阻斷狀態。普通晶閘管一旦阻斷，即使其陽極A與陰極K之間又重新加上正向電壓，仍需在門極G和陰極K之間重新加上正向觸發電壓后方可導通。普通晶閘管的導通與阻斷狀態相當于開關的閉合和斷開狀態。誠摯的歡迎業界新朋老友走進正高電氣！聊城MTDC150晶閘管智能模塊供應商
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由于晶閘管在導通期間，載流子充滿元件內部，所以元件在關斷過程中，正向電壓下降到零時，內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現較大的反向電流，使積蓄載流子迅速消失，這時反向電流消失的極快，即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小，電感產生的感應電勢L（di/dt）值仍很大，這個電勢與電源電壓串聯，反向加在已恢復阻斷的元件上，可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓，稱為關斷過電壓，其數值可達工作電壓峰值的5～6倍，所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯，電阻防止電容與電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導通到截止時產生的過電壓，有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子，即引線要短。比較好采用無感電阻，以取得較好的保護效果。各型號模塊對應的電阻和電容值根據表10選取。（2）壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產生能量較大、持續時間較長的過電壓。壓敏電阻標稱電壓（V1mA），是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇，主要考慮額定電壓和通流容量。聊城MTDC150晶閘管智能模塊供應商
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