半導體集成電路
? 應用場景:
? 晶圓制造:正性膠為主(如ArF/EUV膠),實現20nm以下線寬,用于晶體管柵極、接觸孔等精細結構;
? 封裝工藝:負性膠用于凸點(Bump)制造,厚膠(5-50μm)耐電鍍溶液腐蝕。
? 關鍵要求:高分辨率、低缺陷率、耐極端工藝(如150℃以上高溫、等離子體轟擊)。
印刷電路板(PCB)
? 應用場景:
? 線路成像:負性膠(如環化橡膠膠)用于雙面板/多層板外層線路,線寬≥50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化銅);
? 阻焊層:厚負性膠(50-100μm)覆蓋非焊盤區域,耐260℃焊接溫度和助焊劑腐蝕;
? 撓性PCB(FPC):正性膠用于精細線路(線寬≤20μm),需耐彎曲應力。
? 優勢:工藝簡單、成本低,適合大面積基板(如1.2m×1.0m的PCB基板)。
平板顯示
? 應用場景:
? 彩色濾光片:正性膠制作黑矩陣(BM)和RGB色阻間隔層,耐UV固化和濕法蝕刻(如HF溶液);
? OLED像素定義:負性膠形成像素開口(孔徑5-50μm),耐有機溶劑(如OLED蒸鍍前的清洗液);
? 觸控面板:正性膠制作透明電極(如ITO線路),線寬≤10μm,需透光率>90%。
? 關鍵參數:高透光性、低收縮率(避免圖案變形)。
光刻膠技術突破加速,對芯片制造行業有哪些影響?湖北納米壓印光刻膠品牌
國產替代進程加速
日本信越化學因地震導致KrF光刻膠產能受限后,國內企業加速驗證本土產品。鼎龍股份潛江工廠的KrF/ArF產線2024年12月獲兩家大廠百萬大單,二期300噸生產線在建。武漢太紫微的T150A光刻膠性能參數接近日本UV1610,已通過中芯國際14nm工藝驗證。預計到2025年,國內KrF/ArF光刻膠國產化率將從不足5%提升至10%。
原材料國產化突破
光刻膠樹脂占成本50%-60%,八億時空的光刻膠樹脂產線預計2025年實現百噸級量產,其產品純度達到99.999%,金屬雜質含量低于1ppb。怡達股份作為全球電子級PM溶劑前段(市占率超40%),與南大光電合作開發配套溶劑,打破了日本關東化學的壟斷。這些進展使光刻膠生產成本降低約20%。
供應鏈風險緩解
合肥海關通過“空中專線”保障光刻膠運輸,將進口周期從28天縮短至17天,碳排放減少18%。國內在建12座光刻膠工廠(占全球總數58%),預計2025年產能達3000噸/年,較2023年增長150%。
杭州水性光刻膠供應商吉田產業鏈協同與政策紅利。
公司遵循國際質量管理標準,通過 ISO9001:2008 認證,并在生產過程中執行 8S 現場管理,從原料入庫到成品出庫實現全流程監控。以錫膏產品為例,其無鹵無鉛配方符合環保要求,同時具備低飛濺、高潤濕性等特點,適用于電子產品組裝。此外,公司建立了行業標準化實驗室,配備先進檢測設備,確保產品性能達到國際同類水平。
憑借多年研發積累,公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領域的豐富產品線。在焊接材料方面,不僅提供常規錫膏、助焊膏,還針對特殊場景開發了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產品,滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時,感光膠系列產品分為水性與油性兩類,兼具耐潮性與易操作性,廣泛應用于印刷電路板制造。
主要應用場景
印刷電路板(PCB):
? 通孔/線路加工:負性膠厚度可達20-50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化鐵、堿性氯化銅),適合制作大尺寸線路(線寬/線距≥50μm),如雙面板、多層板的外層電路。
? 阻焊層:作為絕緣保護層,覆蓋非焊盤區域,需厚膠(50-100μm)和高耐焊接溫度(260℃以上),負性膠因工藝簡單、成本低而廣泛應用。
微機電系統(MEMS):
? 深硅蝕刻(DRIE):負性膠作為蝕刻掩膜,厚度可達100μm以上,耐SF?等強腐蝕性氣體,用于制作加速度計、陀螺儀的高深寬比結構(深寬比>20:1)。
? 模具制造:在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,利用負性膠的厚膠成型能力。
平板顯示(LCD):
? 彩色濾光片(CF)基板預處理:在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層,耐濕法蝕刻(如HF溶液),確保后續RGB色阻層的精確涂布。
功率半導體與分立器件:
? IGBT、MOSFET的隔離區蝕刻:負性膠用于制作較寬的隔離溝槽(寬度>10μm),耐高濃度酸堿蝕刻,降低工藝成本。
光刻膠廠家推薦吉田半導體,23 年研發經驗,全自動化生產保障品質!
市場拓展
? 短期目標:2025年前實現LCD光刻膠國內市占率10%,半導體負性膠進入中芯國際、華虹供應鏈,納米壓印膠完成臺積電驗證。
? 長期愿景:成為全球的半導體材料方案提供商,2030年芯片光刻膠營收占比超40%,布局EUV光刻膠和第三代半導體材料。
. 政策與產業鏈協同
? 受益于廣東省“強芯工程”和東莞市10億元半導體材料基金,獲設備采購補貼(30%)和稅收減免,加速KrF/ArF光刻膠研發。
? 與松山湖材料實驗室、華為終端建立聯合研發中心,共同攻關光刻膠關鍵技術,縮短客戶驗證周期(目前平均12-18個月)。
. 挑戰與應對
? 技術壁壘:ArF/EUV光刻膠仍依賴進口,計劃2026年建成中試線,突破分辨率和靈敏度瓶頸(目標曝光劑量<10mJ/cm2)。
? 供應鏈風險:部分原材料(如樹脂)進口占比超60%,正推進“國產替代計劃”,與鼎龍股份、久日新材建立戰略合作為原材料供應。
光刻膠新興及擴展應用。杭州水性光刻膠供應商
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吉田半導體厚板光刻膠 JT-3001:國產技術助力 PCB 行業升級
JT-3001 厚板光刻膠支持 500nm/min 深蝕刻,成為國產 PCB 電路板制造推薦材料。
吉田半導體自主研發的 JT-3001 厚板光刻膠,分辨率 1.5μm,抗深蝕刻速率 > 500nm/min,適用于高密度 PCB 制造。其無鹵無鉛配方通過歐盟 RoHS 認證,已應用于華為 5G 基站主板量產。產品采用國產原材料與全自動化工藝,批次穩定性達 99.5%,幫助客戶提升生產效率 20%,加速國產 PCB 行業技術升級,推動 PCB 行業國產化進程。
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