LCD顯示
? 彩色濾光片(CF):
? 黑色矩陣(BM)光刻膠:隔離像素,線寬精度±2μm,透光率<0.1%。
? RGB色阻光刻膠:形成紅/綠/藍(lán)像素,需高色純度(NTSC≥95%)和耐光性。
? 陣列基板(Array):
? 柵極絕緣層光刻膠:用于TFT-LCD的柵極圖案化,分辨率≤3μm。
OLED顯示(柔性/剛性)
? 像素定義層(PDL)光刻膠:在基板上形成有機(jī)發(fā)光材料的 confinement 結(jié)構(gòu),線寬精度±1μm,需耐溶劑侵蝕(適應(yīng)蒸鍍工藝)。
? 觸控電極(如ITO/PET):通過光刻膠圖形化實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電線路,線寬≤5μm。
Mini/Micro LED
? 巨量轉(zhuǎn)移前的芯片制備:使用高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)定義微米級LED陣列,良率要求>99.99%。
LCD 光刻膠供應(yīng)商哪家好?吉田半導(dǎo)體高分辨率 +低 VOC 配方!深圳PCB光刻膠國產(chǎn)廠商
先進(jìn)制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產(chǎn)能力提升直接推動(dòng)7nm及以下制程的國產(chǎn)化進(jìn)程。例如,恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應(yīng)12英寸產(chǎn)線,覆蓋7nm工藝,其工藝寬容度較日本同類型產(chǎn)品提升30%。這使得國內(nèi)晶圓廠(如中芯國際)在DUV多重曝光技術(shù)下,能夠以更低成本實(shí)現(xiàn)接近EUV的制程效果,緩解了EUV光刻機(jī)禁運(yùn)的壓力。此外,武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗(yàn)證,為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。
EUV光刻膠研發(fā)加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進(jìn)口,但國內(nèi)企業(yè)已啟動(dòng)關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。久日新材的光致產(chǎn)酸劑實(shí)現(xiàn)噸級訂單,科技部“十四五”專項(xiàng)計(jì)劃投入20億元支持EUV光刻膠研發(fā)。華中科技大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)”技術(shù),將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm2,較傳統(tǒng)材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術(shù)儲(chǔ)備奠定基礎(chǔ)。
新型光刻技術(shù)融合
復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊(duì)開發(fā)的功能型光刻膠,在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個(gè)有機(jī)晶體管,實(shí)現(xiàn)特大規(guī)模集成(ULSI)水平。這種技術(shù)突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域的應(yīng)用,還為碳基芯片、量子計(jì)算等顛覆性技術(shù)提供了材料支撐。
成都油性光刻膠生產(chǎn)廠家吉田半導(dǎo)體助力區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新。
吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈:
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芯片制造:YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國際、長江存儲(chǔ),支持國產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn)。
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顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%,成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
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新能源領(lǐng)域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認(rèn)證,批量應(yīng)用于寧德時(shí)代儲(chǔ)能系統(tǒng),年供貨量超 500 噸。
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研發(fā)投入:年研發(fā)費(fèi)用占比超 15%,承擔(dān)國家 02 專項(xiàng)課題,獲 “國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)”。
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產(chǎn)能規(guī)模:光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
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質(zhì)量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認(rèn)證,生產(chǎn)過程執(zhí)行 8S 管理,批次穩(wěn)定性達(dá) 99.5%。
吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā),加速 EUV 光刻膠與木基材料技術(shù)突破,目標(biāo)在 2027 年前實(shí)現(xiàn) 7nm 制程材料量產(chǎn)。同時(shí),深化國產(chǎn)供應(yīng)鏈協(xié)同,構(gòu)建 “材料 - 設(shè)備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈,為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化貢獻(xiàn) “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),吉田半導(dǎo)體以自研自產(chǎn)為引擎,走出了一條中國半導(dǎo)體材料企業(yè)的崛起之路。未來,公司將以更具競爭力的產(chǎn)品與技術(shù),助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高臺(tái)階。
行業(yè)地位與競爭格局
1. 國際對比
? 技術(shù)定位:聚焦細(xì)分市場(如納米壓印、LCD),而國際巨頭(如JSR、東京應(yīng)化)主導(dǎo)半導(dǎo)體光刻膠(ArF、EUV)。
? 成本優(yōu)勢:原材料自主化率超80%,成本低20%;國際巨頭依賴進(jìn)口原材料,成本較高。
? 客戶響應(yīng):48小時(shí)內(nèi)提供定制化解決方案,認(rèn)證周期為國際巨頭的1/5。
2. 國內(nèi)競爭
國內(nèi)光刻膠市場仍由日本企業(yè)壟斷(全球市占率超60%),但吉田在納米壓印、LCD光刻膠等領(lǐng)域具備替代進(jìn)口的潛力。與南大光電、晶瑞電材等企業(yè)相比,吉田在細(xì)分市場的技術(shù)積累更深厚,但ArF、EUV光刻膠仍需突破。
風(fēng)險(xiǎn)與挑戰(zhàn)
技術(shù)瓶頸:ArF、EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口,研發(fā)投入不足國際巨頭的1/10。
客戶認(rèn)證周期:半導(dǎo)體光刻膠需2-3年驗(yàn)證,吉田尚未進(jìn)入主流晶圓廠供應(yīng)鏈。
供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn):部分樹脂(如ArF用含氟樹脂)依賴日本住友電木。
行業(yè)競爭加?。簢鴥?nèi)企業(yè)如南大光電、晶瑞電材加速技術(shù)突破,可能擠壓吉田的市場份額。
光刻膠廠家推薦吉田半導(dǎo)體,23 年專注研發(fā),全系列產(chǎn)品覆蓋芯片制造與 LCD 面板!
生產(chǎn)設(shè)備與工藝:從設(shè)計(jì)到制造的“木桶效應(yīng)”
前端設(shè)備的進(jìn)口依賴
光刻膠生產(chǎn)所需的超臨界流體萃取設(shè)備、納米砂磨機(jī)等關(guān)鍵裝備被德國耐馳、日本光洋等企業(yè)壟斷。國內(nèi)企業(yè)如拓帕實(shí)業(yè)雖推出砂磨機(jī)產(chǎn)品,但在研磨精度(如納米級顆粒分散)上仍落后于國際水平。
工藝集成的系統(tǒng)性短板
光刻膠生產(chǎn)涉及精密混合、過濾、包裝等環(huán)節(jié),需全流程數(shù)字化控制。國內(nèi)企業(yè)因缺乏MES(制造執(zhí)行系統(tǒng))等智能管理工具,導(dǎo)致批次一致性波動(dòng)。例如,鼎龍股份潛江工廠的KrF光刻膠產(chǎn)線雖實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化,但工藝參數(shù)波動(dòng)仍較日本同類產(chǎn)線高約10%。
厚板光刻膠 JT-3001,抗深蝕刻,PCB 電路板制造Preferred!深圳PCB光刻膠國產(chǎn)廠商
光刻膠:半導(dǎo)體之路上的挑戰(zhàn)與突破。深圳PCB光刻膠國產(chǎn)廠商
主要應(yīng)用場景
印刷電路板(PCB):
? 通孔/線路加工:負(fù)性膠厚度可達(dá)20-50μm,耐堿性蝕刻液(如氯化鐵、堿性氯化銅),適合制作大尺寸線路(線寬/線距≥50μm),如雙面板、多層板的外層電路。
? 阻焊層:作為絕緣保護(hù)層,覆蓋非焊盤區(qū)域,需厚膠(50-100μm)和高耐焊接溫度(260℃以上),負(fù)性膠因工藝簡單、成本低而廣泛應(yīng)用。
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS):
? 深硅蝕刻(DRIE):負(fù)性膠作為蝕刻掩膜,厚度可達(dá)100μm以上,耐SF?等強(qiáng)腐蝕性氣體,用于制作加速度計(jì)、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)(深寬比>20:1)。
? 模具制造:在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具,利用負(fù)性膠的厚膠成型能力。
平板顯示(LCD):
? 彩色濾光片(CF)基板預(yù)處理:在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層,耐濕法蝕刻(如HF溶液),確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。
功率半導(dǎo)體與分立器件:
? IGBT、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻:負(fù)性膠用于制作較寬的隔離溝槽(寬度>10μm),耐高濃度酸堿蝕刻,降低工藝成本。
深圳PCB光刻膠國產(chǎn)廠商