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河北進口光刻膠耗材

來源： 發(fā)布時間：2025-05-29

? 化學反應：

? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；

? 負性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹脂形成不溶性網(wǎng)狀結構。

5. 顯影（Development）

? 顯影液：

? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域；

? 負性膠：有機溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域。

? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導體），時間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：100-150℃（半導體用正性膠可能更高，如180℃）；

? 時間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時延長）。

7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）

? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；

? 離子注入：膠膜保護未曝光區(qū)域，使雜質離子只能注入曝光區(qū)域（半導體摻雜工藝）。

8. 去膠（Strip）

? 方法：

? 濕法去膠：強氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導體領域，無殘留）。

聚焦封裝需求，吉田公司提供從光刻膠到配套材料的一姑式服務。河北進口光刻膠耗材

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技術趨勢與挑戰(zhàn)

 半導體先進制程：

? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個），開發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料；

? 極紫外吸收問題：膠膜對13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑戰(zhàn)化學增幅體系的靈敏度。

 環(huán)保與低成本：

? 水性負性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠），減少VOC排放；

? 單層膠工藝替代多層膠，簡化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）。

 新興領域拓展：

? 柔性電子：開發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠，用于可穿戴設備電路；

? 光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。

典型產品與廠商

? 半導體正性膠：

? 日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）；

? 美國陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm2，缺陷密度＜5個/cm2）。

? PCB負性膠：

? 中國容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm，國產化率超60%；

? 日本東京應化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車板。

? MEMS厚膠：

? 美國陶氏的SU-8：實驗室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）；

? 德國Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻，線寬精度±2%，用于工業(yè)級MEMS制造。

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關鍵應用領域

半導體制造：

? 在晶圓表面涂覆光刻膠，通過掩膜曝光、顯影，刻蝕出晶體管、電路等納米級結構（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）。

 印刷電路板（PCB）：

? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層，制作線路和焊盤。

 顯示面板（LCD/OLED）：

? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。

 微機電系統(tǒng)（MEMS）：

? 加工微結構（如傳感器、執(zhí)行器）。

工作原理（以正性膠為例）

1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠，烘干形成薄膜。

2. 曝光：通過掩膜版，用特定波長光線照射，曝光區(qū)域的光敏劑分解，使樹脂變得易溶于顯影液。

3. 顯影：用顯影液溶解曝光區(qū)域，留下未曝光的光刻膠圖案，作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層。

4. 后續(xù)工藝：刻蝕基材（保留未被光刻膠保護的區(qū)域），或去除光刻膠（剝離工藝）。

技術挑戰(zhàn)與發(fā)展趨勢

 更高分辨率需求：

? EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標＜5nm），通過納米顆粒分散技術或新型聚合物設計改善。

 缺陷控制：

? 半導體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個/mL，需優(yōu)化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）。

 國產化突破：

? 國內企業(yè)（如上海新陽、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實現(xiàn)批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷，需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。

 環(huán)保與節(jié)能：

? 開發(fā)水基顯影正性膠（減少有機溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導體制造能耗）。

典型產品示例

? 傳統(tǒng)正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。

? DUV正性膠：信越化學的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國際認證的國產KrF膠（28nm節(jié)點）。

? EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。

正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料，其技術進步直接關聯(lián)芯片制程的突破，未來將持續(xù)向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
納米級圖案化的主要工具。

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以 15% 年研發(fā)投入為驅動，吉田半導體加速 EUV 光刻膠與木基材料研發(fā)，搶占行業(yè)制高點。布局下一代光刻技術。
面對極紫外光刻技術挑戰(zhàn)，吉田半導體與中科院合作開發(fā)化學放大型 EUV 光刻膠，在感光效率（<10mJ/cm2）和耐蝕性（>80%）指標上取得階段性進展。同時，公司前瞻性布局木基光刻膠研發(fā)，對標日本王子控股技術，探索生物基材料在半導體封裝中的應用。這些技術儲備為 7nm 及以下制程提供支撐，助力中國在下一代光刻技術中占據(jù)重要地位。松山湖半導體材料廠家吉田，全系列產品支持小批量試產!四川進口光刻膠報價

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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。

UV 納米壓印光刻膠：JT-2000 型號，耐強酸強堿，耐高溫達 250°C，長期可靠性高，粘接強度高，重量 100g。適用于需要在特殊化學和高溫環(huán)境下進行納米壓印光刻的工藝，如半導體器件制造。

其他光刻膠

  • 水油光刻膠 JT-2001：屬于水油兩用光刻膠，具有工廠研發(fā)、可定制、使用、品質保障、性能穩(wěn)定的特點，重量 1L。
  • 水油光刻膠 SR-3308：同樣為水油兩用光刻膠，重量 5L，具備上述通用優(yōu)勢，應用場景。


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標簽： 錫片 光刻膠