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青海低溫光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家

來(lái)源： 發(fā)布時(shí)間：2025-05-16

主要應(yīng)用場(chǎng)景

 印刷電路板（PCB）：

? 通孔/線路加工：負(fù)性膠厚度可達(dá)20-50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化鐵、堿性氯化銅），適合制作大尺寸線路（線寬/線距≥50μm），如雙面板、多層板的外層電路。

? 阻焊層：作為絕緣保護(hù)層，覆蓋非焊盤(pán)區(qū)域，需厚膠（50-100μm）和高耐焊接溫度（260℃以上），負(fù)性膠因工藝簡(jiǎn)單、成本低而廣泛應(yīng)用。

 微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）：

? 深硅蝕刻（DRIE）：負(fù)性膠作為蝕刻掩膜，厚度可達(dá)100μm以上，耐SF?等強(qiáng)腐蝕性氣體，用于制作加速度計(jì)、陀螺儀的高深寬比結(jié)構(gòu)（深寬比＞20:1）。

? 模具制造：在硅或玻璃基板上制作微流控芯片的通道模具，利用負(fù)性膠的厚膠成型能力。

 平板顯示（LCD）：

? 彩色濾光片（CF）基板預(yù)處理：在玻璃基板上制作絕緣層或緩沖層，耐濕法蝕刻（如HF溶液），確保后續(xù)RGB色阻層的精確涂布。

 功率半導(dǎo)體與分立器件：

? IGBT、MOSFET的隔離區(qū)蝕刻：負(fù)性膠用于制作較寬的隔離溝槽（寬度＞10μm），耐高濃度酸堿蝕刻，降低工藝成本。
吉田半導(dǎo)體全系列產(chǎn)品覆蓋，滿足多元化需求。青海低溫光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家

青海低溫光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家,光刻膠

吉田半導(dǎo)體 YK-300 正性光刻膠：半導(dǎo)體芯片制造的材料

YK-300 正性光刻膠以高分辨率與耐蝕刻性，成為 45nm 及以上制程的理想選擇。
YK-300 正性光刻膠分辨率達(dá) 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，適用于半導(dǎo)體芯片前道工藝。其耐溶劑性與絕緣阻抗性能突出，在顯影與蝕刻過(guò)程中保持圖形穩(wěn)定性。產(chǎn)品已通過(guò)中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證，良率達(dá) 98% 以上，生產(chǎn)過(guò)程執(zhí)行 ISO9001 標(biāo)準(zhǔn)，幫助客戶降低封裝成本 20% 以上。支持小批量試產(chǎn)與定制化需求，為國(guó)產(chǎn)芯片制造提供穩(wěn)定材料支撐。
廣州UV納米光刻膠工廠光刻膠半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用。

青海低溫光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家,光刻膠

? 化學(xué)反應(yīng)：

? 正性膠：曝光后光敏劑（如重氮醌DQN）分解，生成羧酸，在堿性顯影液中溶解；

? 負(fù)性膠：曝光后光敏劑引發(fā)交聯(lián)劑與樹(shù)脂形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

5. 顯影（Development）

? 顯影液：

? 正性膠：堿性水溶液（如0.26N四甲基氫氧化銨TMAH），溶解曝光區(qū)域；

? 負(fù)性膠：有機(jī)溶劑（如二甲苯、醋酸丁酯），溶解未曝光區(qū)域。

? 方法：噴淋顯影（PCB）或沉浸式顯影（半導(dǎo)體），時(shí)間30秒-2分鐘，需控制顯影液濃度和溫度。

6. 后烘（Post-Bake）

? 目的：固化膠膜，提升耐蝕刻性和熱穩(wěn)定性。

? 條件：

? 溫度：100-150℃（半導(dǎo)體用正性膠可能更高，如180℃）；

? 時(shí)間：15-60分鐘（厚膠或高耐蝕需求時(shí)延長(zhǎng)）。

7. 蝕刻/離子注入（后續(xù)工藝）

? 蝕刻：以膠膜為掩膜，通過(guò)濕法（酸堿溶液）或干法（等離子體）刻蝕基板材料（如硅、金屬、玻璃）；

? 離子注入：膠膜保護(hù)未曝光區(qū)域，使雜質(zhì)離子只能注入曝光區(qū)域（半導(dǎo)體摻雜工藝）。

8. 去膠（Strip）

? 方法：

? 濕法去膠：強(qiáng)氧化劑（如硫酸+雙氧水）或有機(jī)溶劑（如N-甲基吡咯烷酮NMP）；

? 干法去膠：氧等離子體灰化（半導(dǎo)體領(lǐng)域，無(wú)殘留）。

作為中國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的企業(yè)，吉田半導(dǎo)體材料有限公司始終以自研自產(chǎn)為戰(zhàn)略，通過(guò) 23 年技術(shù)沉淀與持續(xù)創(chuàng)新，成功突破多項(xiàng) “卡脖子” 技術(shù)，構(gòu)建起從原材料到成品的全鏈條國(guó)產(chǎn)化能力。其自主研發(fā)的光刻膠產(chǎn)品已覆蓋芯片制造、顯示面板、精密電子等領(lǐng)域，為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化提供關(guān)鍵支撐。
吉田半導(dǎo)體依托自主研發(fā)中心與產(chǎn)學(xué)研合作，在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)多項(xiàng)技術(shù)突破：
  • YK-300 正性光刻膠：分辨率達(dá) 0.35μm，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，適用于 45nm 及以上制程，良率達(dá) 98% 以上，成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%，已通過(guò)中芯國(guó)際量產(chǎn)驗(yàn)證。
  • SU-3 負(fù)性光刻膠：支持 3μm 厚膜加工，抗深蝕刻速率 > 500nm/min，成功應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片封裝，良率提升至 98.5%。
  • JT-2000 納米壓印光刻膠：突破 250℃耐高溫極限，圖形保真度 > 95%，性能對(duì)標(biāo)德國(guó) MicroResist 系列，已應(yīng)用于國(guó)產(chǎn) EUV 光刻機(jī)前道工藝。
吉田半導(dǎo)體強(qiáng)化研發(fā)，布局下一代光刻技術(shù)。

青海低溫光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家,光刻膠

吉田半導(dǎo)體 SU-3 負(fù)性光刻膠：國(guó)產(chǎn)技術(shù)賦能 5G 芯片封裝

自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠支持 3 微米厚膜加工，成為 5G 芯片高密度封裝材料。
針對(duì) 5G 芯片封裝需求，吉田半導(dǎo)體自主研發(fā) SU-3 負(fù)性光刻膠，分辨率達(dá) 1.5μm，抗深蝕刻速率 > 500nm/min。其超高感光度與耐化學(xué)性確保復(fù)雜圖形的完整性，已應(yīng)用于高通 5G 基帶芯片量產(chǎn)。產(chǎn)品采用國(guó)產(chǎn)原材料與工藝，不采用國(guó)外材料，成本較進(jìn)口產(chǎn)品降低 40%，幫助客戶提升封裝良率至 98.5%，為國(guó)產(chǎn) 5G 芯片制造提供關(guān)鍵材料支撐。
納米壓印光刻膠哪家強(qiáng)？吉田半導(dǎo)體附著力提升 30%！寧波PCB光刻膠國(guó)產(chǎn)廠商

正性光刻膠生產(chǎn)廠家。青海低溫光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家

技術(shù)趨勢(shì)與挑戰(zhàn)

 半導(dǎo)體先進(jìn)制程：

? EUV光刻膠需降低缺陷率（目前每平方厘米缺陷數(shù)＜10個(gè)），開(kāi)發(fā)低粗糙度（≤5nm）材料；

? 極紫外吸收問(wèn)題：膠膜對(duì)13.5nm光吸收率高，需厚度控制在50-100nm，挑戰(zhàn)化學(xué)增幅體系的靈敏度。

 環(huán)保與低成本：

? 水性負(fù)性膠替代溶劑型膠（如PCB阻焊膠），減少VOC排放；

? 單層膠工藝替代多層膠，簡(jiǎn)化流程（如MEMS厚膠的一次性涂布）。

 新興領(lǐng)域拓展：

? 柔性電子：開(kāi)發(fā)耐彎曲（曲率半徑＜5mm）、低模量感光膠，用于可穿戴設(shè)備電路；

? 光子芯片：高折射率膠（n＞1.8）制作光波導(dǎo)，需低傳輸損耗（＜0.1dB/cm）。

典型產(chǎn)品與廠商

? 半導(dǎo)體正性膠：

? 日本信越（Shin-Etsu）的ArF膠（分辨率22nm，用于12nm制程）；

? 美國(guó)陶氏（Dow）的EUV膠（靈敏度10mJ/cm2，缺陷密度＜5個(gè)/cm2）。

? PCB負(fù)性膠：

? 中國(guó)容大感光（LP系列）：耐堿性蝕刻，厚度20-50μm，國(guó)產(chǎn)化率超60%；

? 日本東京應(yīng)化（TOK）的THMR-V：全球PCB膠市占率30%，適用于高可靠性汽車(chē)板。

? MEMS厚膠：

? 美國(guó)陶氏的SU-8：實(shí)驗(yàn)室常用，厚度5-200μm，分辨率1μm（需優(yōu)化交聯(lián)均勻性）；

? 德國(guó)Microresist的MR膠：耐深硅蝕刻，線寬精度±2%，用于工業(yè)級(jí)MEMS制造。

青海低溫光刻膠國(guó)產(chǎn)廠家

標(biāo)簽： 光刻膠 錫片