在本實施例中，當n＝0時，即，當處理從步驟s300轉移到步驟s301時，在關閉所有功耗電路130的情況下測量結溫。在步驟s302中，診斷部分170確定測量結果是否正常。如果測量結果異常，則處理進入步驟s303，而如果測量結果正常，則處理進入步驟s304。如果所有功耗電路130都關閉，則如果沒有從溫度傳感器120獲取測量結果，或者如果沒有獲取指示預定溫度范圍(例如，定義為操作保證范圍的環境溫度的溫度范圍)的測量結果，則診斷部分170確定測量結果異常。否則，診斷部分170確定測量結果正常。當多個功耗電路130中的至少一個接通時，檢查此時獲取的結溫與上一次在步驟s301中獲取的結溫之間的差值(即，結溫的變化δtj)和與預定適當量的偏差量是否等于或小于預定閾值。當偏差超過閾值時，診斷部分170確定測量結果異常。另一方面，當偏移量不超過閾值時，診斷部分170確定測量結果正常。在步驟s303中，診斷部分170確定溫度傳感器120中已經發生錯誤，并且結束診斷操作。在步驟s304中，診斷部分170確定計數值n是否大于診斷數n。當計數值n大于診斷數n時，處理進入步驟s305。在步驟s305中，診斷部分170確定溫度傳感器120正常，并且結束診斷操作。如果計數值n等于或小于n，則在步驟s304之后。半導體器件專門設備應用寬廣LED封裝,光通訊,半導體封裝,支持1對1定制化生產設計.湖北工程半導體器件設備知識宣傳

    可以降低保證微控制器100的操作的環境溫度的下限。此外，由于在使用半導體工藝制造的微控制器中的操作保證的溫度范圍的約束，該功能可以降低設計邏輯塊110的難度，其中邏輯速率(例如，邏輯塊110的操作頻率)在低溫下劣化。第二實施例接下來，將描述第二實施例。圖5是示出根據第二實施例的微控制器200的示例性配置的框圖。微控制器200與根據率先實施例的微控制器100的不同之處在于，提供多個功耗電路130并且控制器140被替換為控制器150?？刂破?50與控制器140的不同之處在于，它控制多個功耗電路130的開關。在下文中，將描述與率先實施例的不同點，并且將省略對與率先實施例相同的點的描述。根據本實施例的控制器150根據由溫度傳感器120測量的溫度與邏輯塊110的下限溫度之間的差值來控制功耗電路130消耗功率。具體地，當由溫度傳感器120測量的當前結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，控制器150接通更多的功耗電路130。即，例如，當所測量的結溫小于下限溫度并且結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d1且小于d2時，控制器150接通n1個功耗電路130，并且當所測量的結溫小于下限溫度并且結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的差值不小于d2時，控制器150接通n2個功耗電路130。四川標準半導體器件設備在線半導體器件由（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號有第三、四、五部分）組成。

    本發明涉及用于控制半導體器件的方法和半導體器件，例如，本發明涉及用于確保半導體器件操作的技術。近年來，對更高可靠性和功能安全性的需求不斷增加，特別是在汽車工業中。因此，在半導體器件中，還需要擴大半導體器件可以操作的溫度。日本未審專利申請公開，其能夠通過使用包括功率晶體管的線性調節器電路來控制對發光二極管的供電，并且能夠防止功率晶體管的過度發熱。作為相關技術，日本未審專利申請公開。日本未審專利申請公開，其用于容易地抑制由與時鐘周期同步的電路引起的功耗狀態的差異引起的電源電壓的變化。技術實現要素：日本未審專利申請公開，但是不能防止過低的結溫。如果由于環境溫度低而導致結溫過低，則可能無法確保半導體器件中的邏輯塊的正常操作。因此，本領域需要一種能夠限定半導體器件可以正常操作的低環境溫度的技術。根據本說明書的描述和附圖，其他目的和新穎特征將變得很清楚。根據一個實施例，半導體器件包括用于控制功耗電路的功率耗散使得在溫度傳感器處測量的結溫不小于邏輯塊的預定下限操作溫度的控制器。根據率先實施例，可以將半導體器件可以正常操作的環境溫度定義為低于不使用根據率先實施例的技術時的環境溫度。

    其中d1圖6是示出與微控制器200中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖6描述微控制器200的操作。圖6所示的溫度控制過程例如在微控制器200啟動時執行。在步驟s200中，如在圖3的步驟s100中，設定測量周期和結溫的下限。在步驟s200之后，處理進入步驟s201。在步驟s201中，測量結溫。也就是說，控制器150獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。在步驟s201之后，處理進入步驟s202。在步驟s202中，控制器150根據在步驟s201中獲取的結溫與邏輯塊110的下限溫度之間的溫度差來確定要操作的功耗電路130的數目。因此，在當前結溫低于邏輯塊110的下限溫度時，產生更多的強制熱量。當由溫度傳感器120測量的當前結溫等于或大于預定閾值時，控制器150關閉所有功耗電路130。在步驟s202中，控制器150重置計數器的計數t。在步驟s202之后，處理進入步驟s203。在步驟s203中，類似于圖3中的步驟s104，控制器150確定在步驟s200中設置的測量周期是否已經過去。當測量周期已經過去時(步驟s203中的“是”)，處理進入步驟s204。在步驟s204中，如在圖3的步驟s105中，控制器150確定是否已經接收到指示終止溫度控制的信號。當接收到指示終止溫度控制的信號時，溫度控制終止。半導體是指一種導電性可控,范圍從絕緣體到導體之間的材料。

    當來自反相器133的輸出被輸入到n溝道mos晶體管132的柵極并且n溝道mos晶體管132接通時，電流流過電阻器131以產生熱量。圖2所示的配置是功耗電路130的示例性配置，并且功耗電路130的配置不限于此。功耗電路130可以是通過包括諸如電阻器等加熱元件來消耗功率的電路。接下來，將描述與微控制器100中的結溫控制相關的操作。圖3是示出與微控制器100中的結溫控制相關的示例性操作的流程圖。在下文中，將參考圖3描述微控制器100的操作。圖3所示的溫度控制過程例如在微控制器100啟動時執行，但是可以在其他預定定時執行。在步驟s100中，設定測量結溫的測量周期和下限。如上所述，設定結溫的下限是邏輯塊110的下限溫度，即邏輯塊110能夠正常操作的溫度范圍的下限。例如，這些設置通過讀取存儲在諸如微控制器100中提供的非易失性存儲器等存儲電路中的預定測量周期和預定下限溫度來執行。下限溫度是基于用于制造邏輯塊110、邏輯塊110的特定配置等的半導體工藝而預先定義的溫度。在步驟s100之后，處理進入步驟s101。在步驟s101中，測量結溫。也就是說，控制器140獲取由溫度傳感器120測量的微控制器100的結溫。然后，控制器140確定所獲取的溫度是否等于或大于在步驟s100中設置的下限溫度。半導體產品所需的生產設備,屬于半導體行業產業鏈的支撐環節,在半導體產業鏈中的地位至關重要。四川低碳半導體器件設備治理

對半導體層進行摻雜而在非原胞區上形成保護結構，以及在阱區進行摻雜而在原胞區內形成工作結構。湖北工程半導體器件設備知識宣傳

    第三實施例接下來，將描述第三實施例。圖9是示出根據第三實施例的微控制器300的示例性配置的框圖。微控制器300與根據第二實施例的微控制器200的不同之處在于，控制器150被替換為控制器160，并且添加了診斷部分170。在下文中，將描述與第二實施例的不同點，并且將省略對與第二實施例相同的點的描述?？刂破?60與控制器150的不同之處在于，除了控制器150的控制功能之外，控制器160還具有用于診斷溫度傳感器120的控制功能。下面，將描述用于診斷溫度傳感器120的控制器160的控制功能。在診斷部分170執行診斷操作的同時，控制器160控制消耗功率的功耗電路的數目(即，操作的功耗電路130的數目)。具體地，在診斷部分170隨著功耗電路130的數目的變化而執行診斷操作的同時，控制器160設置消耗功率一次或多次的功耗電路130的數目。例如，控制器160具有要操作的一個功耗電路130和在預定的等待時間過去之后要操作的兩個功耗電路130。在本實施例中，控制器160在每個預定等待時間由診斷部分170執行診斷的同時改變數目以增加要操作的功耗電路130的數目。具體地，當診斷部分170執行診斷操作時，控制器160首先將要操作的功耗電路130設置為0，然后將要操作的功耗電路130設置為1。此后。湖北工程半導體器件設備知識宣傳

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